占空比可控的方波发生器制造技术

一种占空比可控的方波发生器，一种占空比可控的方波发生器，其包括三极管T1、三极管T2、电阻R1、电阻R2、电容C1、比较器A1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、三极管T3、非门F1、电阻R5三极管T1、电阻R1、构成一恒流电路对电容C1充电；三极管T2、电阻R2构成一恒流电路对电容C1放电，比较器A1、电阻R3、电阻R4、电阻R5构成一比较电路，非门F1根据比较结果通过三极管T3控制对电容C1的充放电，由此形成方波振荡。本占空比可控的方波发生器的特点是，改变控制电压ui可使方波信号uo的占空比发生变化，而方波信号uo的振荡周期不变；能满足自动控制的需要。

【技术实现步骤摘要】
占空比可控的方波发生器
本专利技术涉及一种方波发生器，尤其是一种占空比可控的方波发生器，其方波的占空比可随控制电压变化而变化。
技术介绍
现有的方波发生器其占空比一般是通过电位器来调节，在一些自动控制的场合，通过电位器来调节就显的不变，因此有必要提供一种占空比可控的方波发生器，以满足自动控制的需要。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种占空比可控的方波发生器，其方波的占空比可随控制电压的变化而变化，以满足自动控制的需要。本专利技术的技术方案是，一种占空比可控的方波发生器，其包括三极管T1、三极管T2、三极管T3、比较器A1，其特征是，三极管T1的发射极通过电阻R1接电源VDD，三极管T1的集电极通过电容C1接地，三极管T2的集电极接三极管T1的集电极，三极管T2的发射极通过电阻R2接三极管T1的发射极，三极管T1和三极管T2的基极接控制电压ui，比较器A1的反相输入端接三极管T1的集电极，比较器A1的同相输入端通过电阻R3接电源VDD，比较器A1的同相输入端通过电阻R4接地，在比较器A1的同相输入端与输出之间接有电阻R5，比较器A1的输出端接非门F1的输入端，非门F1的输出端通过电阻R6接三极管T3的基极，三极管T3的集电极接三极管T1的发射极，比较器A1的输出端输出方波信号uo。本占空比可控的方波发生器的特点是，改变控制电压ui可使方波信号uo的占空比发生变化，而方波信号uo的振荡周期不变；能满足自动控制的需要。附图说明图1为本专利技术的电路原理图。具体实施方式现结合附图说明本专利技术的具体实施方式。一种占空比可控的方波发生器，其包括三极管T1、三极管T2、电阻R1、电阻R2、电容C1、比较器A1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、三极管T3、非门F1、电阻R5。三极管T1、电阻R1、构成一恒流电路对电容C1充电，当控制电压ui增大时，充电电流减小，反之亦然；三极管T2、电阻R2构成一恒流电路对电容C1放电，当控制电压ui增大时，放电流减小，反之亦然。比较器A1、电阻R3、电阻R4、电阻R5构成一比较电路，当比较器A1的输出为低电平时，电阻R4、电阻R5构成并联；当比较器A1的输出为高电平时，电阻R3、电阻R5构成并联；令电阻R3、电阻R4、电阻R5的阻值相等，当比较器A1的输出为低电平（即比较器A1输出电压接近0）时，比较器A1同相输入端的电压约为1/3的ud（ud为电源电压）；当比较器A1的输出为高电平（即比较器A1输出电压接近ud）时，比较器A1同相输入端的电压约为2/3的ud。阻R3、电阻R4、电阻R5的阻值相等可使电容C1的变化有一合适范围。非门F1对比较器A1的输出信号进行反相后控制三极管T3，三极管T3控制对电容C1的充放电；当比较器A1输出高电平时，三极管T3截止，电容C1处于充电阶段，当比较器A1输出低电平时，三极管T3导通，电容C1处于放电阶段。在电容C1的充电阶段，电容C1上的电压上升至等于或大于2/3的ud时，比较器A1的输出由高电平变为低电平，这时电容C1进入放电阶段，电容C1上的电压下降低于1/3的ud时，比较器A1的输出由低电平变为高电平，由此循环形成振荡输出方波信号。方波信号的占空比的定义为：占空比=tg/(tg+td)；其中tg为方波信号高电平时长，td为方波信号低电平时长，tg+td为方波信号的振荡周期。控制电压ui增大时，充电电流减小、放电电流增大，占空比增大，控制电压ui降低时，充电电流增大、放电电流减小，占空比减小。令控制电压ui的变化范围在0-ud之间，当控制电压ui接近ud时，三极管T3截止停止对电容C1充电，比较器A1的输出保持在高电平状态，占空比接近1；当控制电压ui接近ud时，三极管T1截止停止对电容C1充电，而三极管T1一直导通对电容C1放电，比较器A1的输出保持在高电平状态，占空比接近1；当控制电压ui接近0时，三极管T1一直导通对电容C1充电，而三极管T1一直截止停止对电容C1放电，比较器A1的输出保持在低电平状态，占空比接近0。采用恒流充放电可消除电容C1电压的变化对控制电压的影响，采用恒流充放电可使方波信号的振荡周期保持不变。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种占空比可控的方波发生器，其包括三极管T1、三极管T2、三极管T3、比较器A1，其特征是，三极管T1的发射极通过电阻R1接电源VDD，三极管T1的集电极通过电容C1接地，三极管T2的集电极接三极管T1的集电极，三极管T2的发射极通过电阻R2接三极管T1的发射极，三极管T1和三极管T2的基极接控制电压ui，比较器A1的反相输入端接三极管T1的集电极，比较器A1的同相输入端通过电阻R3接电源VDD，比较器A1的同相输入端通过电阻R4接地，在比较器A1的同相输入端与输出之间接有电阻R5，比较器A1的输出端接非门F1的输入端，非门F1的输出端通过电阻R6接三极管T3的基极，三极管T3的集电极接三极管T1的发射极，比较器A1的输出端输出方波信号uo。

【技术特征摘要】
1.一种占空比可控的方波发生器，其包括三极管T1、三极管T2、三极管T3、比较器A1，其特征是，三极管T1的发射极通过电阻R1接电源VDD，三极管T1的集电极通过电容C1接地，三极管T2的集电极接三极管T1的集电极，三极管T2的发射极通过电阻R2接三极管T1的发射极，三极管T1和三极管T2的基极接控制电压ui，比较器A1的反相输入端接三极管T1的集电极，比较器A1的同相输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：高玉琴，
申请(专利权)人：高玉琴，
类型：发明
国别省市：江苏,32