滤波器封装方法及封装结构技术

本发明专利技术提供了一种滤波器封装方法及封装结构，所述封装方法包括：提供基板条，其具有多个基板单元，每个基板单元的正面设有多个导电焊盘，在多个导电焊盘上分别形成导电凸点；提供滤波器芯片，其具有多个芯片单元，每个芯片单元的正面设有与多个导电凸点相对应的焊垫，将焊垫与对应的导电凸点粘合；执行封装工序，封装料包围在多个导电凸点的外侧，并至少填充基板单元的正面以及芯片单元的正面之间的间隙，从而封装料与多个导电凸点、基板单元的正面以及芯片单元的正面之间形成密封腔。本发明专利技术实施例的滤波器封装方法及封装结构能够降低封装成本，提高封装良率和生产效率。

【技术实现步骤摘要】
滤波器封装方法及封装结构
本专利技术涉及声表面波滤波器封装
，尤其涉及一种滤波器封装方法及封装结构。
技术介绍
本部分的描述仅提供与本专利技术公开相关的背景信息，而不构成现有技术。声表面波滤波器(SAWF，surfaceacousticwavefilter)利用具有压电效应的压电材料上的声表面波的激发、传播与接收完成其滤波特性。由于产品性能和设计功能需求，通常需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质，即空腔结构设计。因此，为了形成空腔，现有技术中的声表面波滤波器封装结构通常在裸晶片上长出金属凸点，然后倒装焊于陶瓷基板上，再使用金属帽盖、顶部密封或包膜工艺对模块加以密封，形成空腔结构。由于声表面波(波长在2至10微米的范围内)是一种对传播表面非常敏感的机械波，而诸如钽酸锂、磷酸锂等压电材料制备形成的裸晶片，在满足和实现声表面波滤波器功能的同时，其材料自身的特性导致其具有类似于玻璃的易碎裂、易污染的缺陷。如此，裸晶片硬脆且易碎裂的特点，使得在其上长出金属凸点工序较为困难；而长出金属凸点结合裸晶片易被污染的特点，则使得最终的封装产品良率低下。此外，现有技术采用的陶瓷基板成本较高，且需要进行模具的设计和制作，而且混料、流延、叠片、冲孔等工艺难度较大，从而封装工艺较为复杂。并且，陶瓷具有收缩性，成品率低。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
基于前述的现有技术缺陷，本专利技术实施例提供了一种滤波器封装方法及封装结构，能够降低封装成本，提高封装良率和生产效率，并简化封装工艺。为了实现上述目的，本专利技术提供了如下的技术方案。一种滤波器封装方法，包括：提供基板条，所述基板条具有多个基板单元，每个所述基板单元的正面设有多个导电焊盘，在多个所述导电焊盘上分别形成导电凸点；提供滤波器芯片，所述滤波器芯片具有多个芯片单元，每个所述芯片单元的正面设有与多个所述导电凸点相对应的焊垫，将所述焊垫与对应的所述导电凸点粘合；执行封装工序，封装料包围在多个所述导电凸点的外侧，并至少填充所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间的间隙，从而所述封装料与多个所述导电凸点、所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间形成密封腔。优选地，所述导电凸点为采用钢板或丝网在所述基板单元的正面印刷混有助焊剂的锡膏的方式形成。优选地，所述锡膏的厚度在30至80微米之间，最优为50微米。优选地，所述导电凸点为先在所述基板单元的正面采用电镀的方式形成铜柱，再在所述铜柱上采用电镀的方式形成锡层的方式形成。优选地，所述铜柱的厚度在10至60微米之间，最优为30微米；所述锡层厚度在10至30微米之间，最优为20微米。优选地，所述导电凸点为先对所述基板单元的正面采用化学镀镍金镀层或镍钯金镀层，再在所述镍金镀层或镍钯金镀层上利用机器物理植锡球，或者，在所述镍金镀层或镍钯金镀层上采用钢板或丝网印刷锡膏形成锡球的方式形成。优选地，所述镍金镀层或镍钯金镀层的厚度在2至10微米之间，最优为5微米；所述锡球的高度在30至80微米之间，最优为50微米。优选地，所述焊垫与对应的所述导电凸点采用回流焊的方式实现粘合。优选地，在粘合所述焊垫与对应的所述导电凸点的步骤前，所述方法还包括：在所述焊垫和/或所述导电凸起上形成助焊剂层。优选地，所述封装工序的步骤为，在所述滤波器芯片的背面贴合一片状环氧聚合物，在抽真空的同时升温加热，所述片状环氧聚合物软化充满相邻所述芯片单元之间的空隙，所述片状环氧聚合物固化后形成所述封装料。优选地，所述升温加热的温度为30至100摄氏度，最优为50至60摄氏度。一种滤波器封装结构，包括：基板单元，所述基板单元的正面设有多个导电焊盘，多个所述导电焊盘上分别形成有导电凸点；芯片单元，所述芯片单元的正面设有与多个所述导电凸点相对应的焊垫，所述焊垫与对应的所述导电凸点相粘合；包围在多个所述导电凸点外侧的封装料，所述封装料至少填充所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间的间隙，从而所述封装料与多个所述导电凸点、所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间形成密封腔。本专利技术实施例的滤波器封装方法及封装结构，通过在基板单元的正面形成导电凸点，取代了在滤波器芯片长凸点的方式，从而避免了芯片单元被损坏和被污染，从而提高封装良率和生产效率。此外，本专利技术实施例的滤波器封装方法及封装结构不需要使用昂贵的陶瓷基板，取而代之的常规的有机基板，封装工艺得以简化，封装成本较低，可操作性强。参照后文的说明和附图，详细公开了本专利技术的特定实施例，指明了本专利技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本专利技术的实施例在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本专利技术的实施例包括许多改变、修改和等同。针对一种实施例描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施例中使用，与其它实施例中的特征相组合，或替代其它实施例中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本专利技术公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本专利技术的理解，并不是具体限定本专利技术各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本专利技术的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本专利技术。在附图中：图1为提供的基板单元的结构示意图；图2为在基板单元上形成导电凸点的结构示意图；图3为焊垫与导电凸点粘合前基板单元与芯片单元的位置结构示意图；图4为焊垫与导电凸点粘合后基板单元与芯片单元的位置结构示意图；图5为利用本专利技术滤波器封装方法制备形成的第一较佳实施例的滤波器封装结构的示意图；图6为利用本专利技术滤波器封装方法制备形成的第二较佳实施例的滤波器封装结构的示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施例。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术实施例提供了一种滤波器封装方法，其可以包括如下步骤：如图1和图2所示，步骤S1：提供基板条，基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器封装方法，其特征在于，包括：提供基板条，所述基板条具有多个基板单元，每个所述基板单元的正面设有多个导电焊盘，在多个所述导电焊盘上分别形成导电凸点；提供滤波器芯片，所述滤波器芯片具有多个芯片单元，每个所述芯片单元的正面设有与多个所述导电凸点相对应的焊垫，将所述焊垫与对应的所述导电凸点粘合；执行封装工序，封装料包围在多个所述导电凸点的外侧，并至少填充所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间的间隙，从而所述封装料与多个所述导电凸点、所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间形成密封腔。

【技术特征摘要】
1.一种滤波器封装方法，其特征在于，包括：提供基板条，所述基板条具有多个基板单元，每个所述基板单元的正面设有多个导电焊盘，在多个所述导电焊盘上分别形成导电凸点；提供滤波器芯片，所述滤波器芯片具有多个芯片单元，每个所述芯片单元的正面设有与多个所述导电凸点相对应的焊垫，将所述焊垫与对应的所述导电凸点粘合；执行封装工序，封装料包围在多个所述导电凸点的外侧，并至少填充所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间的间隙，从而所述封装料与多个所述导电凸点、所述基板单元的正面以及所述芯片单元的正面之间形成密封腔。2.如权利要求1所述的滤波器封装方法，其特征在于，所述导电凸点为采用钢板或丝网在所述基板单元的正面印刷混有助焊剂的锡膏的方式形成。3.如权利要求2所述的滤波器封装方法，其特征在于，所述锡膏的厚度在30至80微米之间，最优为50微米。4.如权利要求1所述的滤波器封装方法，其特征在于，所述导电凸点为先在所述基板单元的正面采用电镀的方式形成铜柱，再在所述铜柱上采用电镀的方式形成锡层的方式形成。5.如权利要求4所述的滤波器封装方法，其特征在于，所述铜柱的厚度在10至60微米之间，最优为30微米；所述锡层厚度在10至30微米之间，最优为20微米。6.如权利要求1所述的滤波器封装方法，其特征在于，所述导电凸点为先对所述基板单元的正面采用化学镀镍金镀层或镍钯金镀层，再在所述镍金镀层或镍钯金镀层上利用机器物理植锡球，或者，在所述镍金镀层或镍钯金镀层...

【专利技术属性】
技术研发人员：温剑波，郑友君，陆铮，王磊，
申请(专利权)人：嘉盛半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32