【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及氮化镓发光二极管
，具体为一种氮化镓发光二极管及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(lightemittingdiode)缩写及通称LED，是一种半导体固体发光器件；它是利用固体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射，发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的可见光或不可见光；现有技术中的发光二极管，结构繁冗，安装复杂，而且结构稳定性差，在使用时，抗震能力差，同时，现有技术中的发光二极管，功耗大，发光亮度低，远不能满足人们的使用需求，因此，设计一种氮化镓发光二极管及其制备方法是很有必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氮化镓发光二极管及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种氮化镓发光二极管，包括管脚、防尘套、密封圈、固定座、底板、紧固弹簧、挡板、固定卡块、封装体、保护套、第一陶瓷层、第一防静电层、散热层、防水层、第二防静电层、第二陶瓷层、二极管本体、P型电极、GaN:Mg层、InGaN多量子阱、GaN:Si层、Ga...
【技术保护点】
1.一种氮化镓发光二极管，包括管脚(1)、防尘套(2)、密封圈(3)、固定座(4)、底板(5)、紧固弹簧(6)、挡板(7)、固定卡块(8)、封装体(9)、保护套(10)、第一陶瓷层(11)、第一防静电层(12)、散热层(13)、防水层(14)、第二防静电层(15)、第二陶瓷层(16)、二极管本体(17)、P型电极(18)、GaN:Mg层(19)、InGaN多量子阱(20)、GaN:Si层(21)、GaN缓冲层(22)、蓝宝石衬底(23)、N型电极(24)、限位弹簧(25)、安装座(26)、限位块(27)、安装隔板(28)和导热胶(29)，其特征在于：所述封装体(9)的两侧通...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓发光二极管，包括管脚(1)、防尘套(2)、密封圈(3)、固定座(4)、底板(5)、紧固弹簧(6)、挡板(7)、固定卡块(8)、封装体(9)、保护套(10)、第一陶瓷层(11)、第一防静电层(12)、散热层(13)、防水层(14)、第二防静电层(15)、第二陶瓷层(16)、二极管本体(17)、P型电极(18)、GaN:Mg层(19)、InGaN多量子阱(20)、GaN:Si层(21)、GaN缓冲层(22)、蓝宝石衬底(23)、N型电极(24)、限位弹簧(25)、安装座(26)、限位块(27)、安装隔板(28)和导热胶(29)，其特征在于：所述封装体(9)的两侧通过固定座(4)安装有管脚(1)，且管脚(1)的外侧包裹有防尘套(2)，所述固定座(4)的内部通过螺栓安装有挡板(7)，所述挡板(7)的顶部两侧通过螺栓安装有两个底板(5)，所述底板(5)的一侧通过卡扣安装有紧固弹簧(6)，且紧固弹簧(6)的一侧通过螺栓安装有固定卡块(8)，所述封装体(9)的内部通过螺栓安装有保护套(10)，所述保护套(10)的内部的上下两侧通过螺栓安装有四个限位弹簧(25)，所述保护套(10)的内部的左右两侧通过螺栓安装有两个限位块(27)，所述保护套(10)通过限位弹簧(25)和限位块(27)与安装座(26)连接，所述安装座(26)的底部通过螺栓安装有安装隔板(28)，所述安装隔板(28)的顶部通过螺栓安装有二极管本体(17)，且二极管本体(17)的外侧包裹有导热胶(29)，所述二极管本体(17)的内部安装有P型电极(18)，所述P型电极(18)的底部封装有GaN:Mg层(19)，所述GaN:Mg层(19)的底部封装有InGaN多量子阱(20)，所述InGaN多量子阱(20)的底部封装有GaN:Si层(21)，所述GaN:Si层(21)的顶部一侧封装有N型电极(24)，所述GaN:Si层(21)的底部封装有GaN缓冲层(22)，所述GaN缓冲层(22)的底部封装有蓝宝石衬底(23)。2.一种氮化镓发光二极管制备方法，包括如下步骤：步骤一，二极管本体(17)成型；步骤二，部件组装；步...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，黄丽凤，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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