一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，步骤以下步骤：步骤一：对硅片基底进行制绒；步骤二：背面抛光及形成氧化硅；步骤三：正面氧化铝钝化层沉积；步骤四：背面氮化硅沉积；步骤五：正面氮化硅减反膜沉积；步骤六：背面印刷磷浆栅线形成n层；步骤七：背面印刷硼浆栅线形成p层；步骤八：激光烧蚀使背面形成n+层和p+层；步骤九：丝网印刷背面金属正电极、负电极；步骤十：烧结、测试。本发明专利技术利用丝网印刷的方法分别印刷磷浆和硼浆，再用激光烧蚀的方式形成n+和p+结构，相对于传统的IBC电池制备工艺，可省去相应的扩散、掩膜制备和刻蚀的步骤，缩短制备时间，极大程度上降低太阳能电池制备成本，非常值得推广。

【技术实现步骤摘要】
一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法
本专利技术涉及IBC太阳能电池制备
，具体为一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法。
技术介绍
传统晶硅太阳能电池正面(受光面)由于受到金属电极造成的遮光，导致太阳能电池不能充分的利用太阳光能量，从而制约着太阳能电池的转换效率，现有的常规P型PERC电池的制备方法如说明书附图1所示，制备过程及其复杂。随着太阳能电池技术的发展及应用，一种将金属电极做到电池背面的背接触式(IBC)太阳能电池应运而生。然而，目前生产及研究的IBC太阳能电池制备工艺及其复杂，传统IBC电池的制备方法如说明书附图2所示，依然非常复杂。因为IBC电池的n+和p+结构都需要制备在电池的背面，且两种结构之间不能有交叉重叠，否则将导致电池失效，现在传统的IBC电池的制备过程中在形成n+和p+时都需要制备氮化硅掩膜，且需要用光刻等方法再将掩膜去掉，此制备方法极其复杂，且由于工序较多导致工艺稳定性难以控制，导致生产成本昂贵，不利于产业化的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，包括以下步骤：步骤一：对硅片基底进行制绒；步骤二：背面抛光及形成氧化硅；步骤三：正面氧化铝钝化层沉积；步骤四：背面氮化硅沉积；步骤五：正面氮化硅减反膜沉积；步骤六：背面印刷磷浆栅线形成n层；步骤七：背面印刷硼浆栅线形成p层；步骤八：激光烧蚀使背面形成n+层和p+层；步骤九：丝网印刷背面金属正电极、负电极；步骤十：烧结、测试。优选的，步骤九中，金属正电极、负电极依次间隔设置。优选的，正电极包括正电极主栅线和正电极副栅线，负电极包括负电极主栅线和负电极副栅线，印刷正电极主栅线和负电极主栅线的数量总和范围为2—20根，印刷正电极副栅线和负电极副栅线的数量总和范围为80—180根。优选的，硅片基底为P型或N型硅片。优选的，步骤三中，正面钝化层也可以为氧化硅或氮化硅或氮氧化硅。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、采用丝网印刷的方式在硅片背面金属电极的下方分别印刷磷浆和硼浆，再用激光烧蚀的方式以获得n+和p+机构，有利于减少简化IBC电池的制备工艺，降低成本，利于产业化；2、IBC电池正面没有金属栅线遮光，且用Al2O3进行钝化，有利于提升电池转换效率。本专利技术中的IBC电池采用一种新型的制备方法，利用丝网印刷的方法分别印刷磷浆和硼浆，再用激光烧蚀的方式形成n+和p+结构，相对于传统的IBC电池制备工艺，可省去相应的扩散、掩膜制备和刻蚀的步骤，缩短制备时间，且目前丝网印刷和激光在太阳能电池的制备工艺中应用的非常成熟，因此制备方法及其简单，极大程度上降低太阳能电池制备成本，非常值得推广。附图说明图1为现有技术的常规P型PERC电池制备流程示意图；图2为现有技术的传统IBC电池制备流程示意图；图3为本专利技术的简易制备方法流程示意图；图4为本专利技术的IBC太阳能电池的整体结构示意图；图5为本专利技术的IBC太阳能电池的正面结构示意图；图6为本专利技术的IBC太阳能电池的背面结构示意图。图中：1硅片基底、2氧化硅、3氧化铝、4背面氮化硅、5正面氮化硅、6n层、7p层、8n+层、9p+层、10正电极、101正电极主栅线、102正电极副栅线、11负电极、111负电极主栅线、112负电极副栅线。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-6，本专利技术提供一种技术方案：一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，包括以下步骤：步骤一：首先对硅片基底1进行制绒，硅片基底1采用P型或N型硅片；步骤二：只对背面进行抛光，随后在背面形成氧化硅2膜层；步骤三：在电池的正面进行氧化铝3钝化层的沉积，钝化层所使用的氧化铝3也可以替换成氧化硅或氮化硅或氮氧化硅；步骤四：随后在电池的背面进行氮化硅4保护层的沉积；步骤五：在电池正面进行氮化硅5减反膜的沉积；步骤六：背面印刷磷浆栅线形成n层6；步骤七：背面印刷硼浆栅线形成p层7；步骤八：激光烧蚀使背面形成n+层8和p+层9；步骤九：丝网印刷背面金属正电极10、负电极11，金属正电极10、负电极11依次间隔设置，防止正负极接触，正电极10包括正电极主栅线101和正电极副栅线102，负电极11包括负电极主栅线111和负电极副栅线112，印刷正电极主栅线101和负电极主栅线111的数量总和范围为20根，印刷正电极副栅线102和负电极副栅线112的数量总和范围为100根。步骤十：烧结、测试。将说明书附图3与说明书附图1、2进行对比，详述了各种不同类型太阳能电池的制备方法，本专利技术中新型IBC太阳能电池较传统的IBC太阳能电池可以省去扩散、制备掩膜、刻蚀等步骤。如说明书附图3所示，本专利技术中新型IBC太阳能电池的制备关键点是：采用丝网印刷的方式在硅片背面金属电极的下方分别印刷磷浆和硼浆，再用激光烧蚀的方式以获得n+和p+机构。如说明书附图6所示，本专利中新型IBC太阳能电池在n+和p+上采用丝网印刷的方式印刷金属电极，其中主栅线的数量范围是2-20根，副栅线的数量范围(正极和负极的总和)是80-180根。如说明书附图4所示，本专利技术的新型IBC太阳能电池的侧面结构示意图，P型硅或者N型硅的上、下表面分别制备Al2O3和SiO2薄膜来对电池进行钝化，再用SiN做为保护层和减反射，有利于提升电池转换效率。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对硅片基底(1)进行制绒；步骤二：背面抛光及形成氧化硅(2)；步骤三：正面氧化铝(3)钝化层沉积；步骤四：背面氮化硅(4)沉积；步骤五：正面氮化硅(5)减反膜沉积；步骤六：背面印刷磷浆栅线形成n层(6)；步骤七：背面印刷硼浆栅线形成p层(7)；步骤八：激光烧蚀使背面形成n+层(8)和p+层(9)；步骤九：丝网印刷背面金属正电极(10)、负电极(11)；步骤十：烧结、测试。

【技术特征摘要】
1.一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对硅片基底(1)进行制绒；步骤二：背面抛光及形成氧化硅(2)；步骤三：正面氧化铝(3)钝化层沉积；步骤四：背面氮化硅(4)沉积；步骤五：正面氮化硅(5)减反膜沉积；步骤六：背面印刷磷浆栅线形成n层(6)；步骤七：背面印刷硼浆栅线形成p层(7)；步骤八：激光烧蚀使背面形成n+层(8)和p+层(9)；步骤九：丝网印刷背面金属正电极(10)、负电极(11)；步骤十：烧结、测试。2.根据权利要求1所述的一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，其特征在于：步骤九中，金属正电极(10)、负电极(11)依次间隔设置。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：常青，张冠纶，吴俊旻，张鹏，谢耀辉，闫涛，洪布双，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34