【技术实现步骤摘要】
一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法
本专利技术涉及IBC太阳能电池制备
,具体为一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法。
技术介绍
传统晶硅太阳能电池正面(受光面)由于受到金属电极造成的遮光,导致太阳能电池不能充分的利用太阳光能量,从而制约着太阳能电池的转换效率,现有的常规P型PERC电池的制备方法如说明书附图1所示,制备过程及其复杂。随着太阳能电池技术的发展及应用,一种将金属电极做到电池背面的背接触式(IBC)太阳能电池应运而生。然而,目前生产及研究的IBC太阳能电池制备工艺及其复杂,传统IBC电池的制备方法如说明书附图2所示,依然非常复杂。因为IBC电池的n+和p+结构都需要制备在电池的背面,且两种结构之间不能有交叉重叠,否则将导致电池失效,现在传统的IBC电池的制备过程中在形成n+和p+时都需要制备氮化硅掩膜,且需要用光刻等方法再将掩膜去掉,此制备方法极其复杂,且由于工序较多导致工艺稳定性难以控制,导致生产成本昂贵,不利于产业化的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现 ...
【技术保护点】
1.一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:对硅片基底(1)进行制绒;步骤二:背面抛光及形成氧化硅(2);步骤三:正面氧化铝(3)钝化层沉积;步骤四:背面氮化硅(4)沉积;步骤五:正面氮化硅(5)减反膜沉积;步骤六:背面印刷磷浆栅线形成n层(6);步骤七:背面印刷硼浆栅线形成p层(7);步骤八:激光烧蚀使背面形成n+层(8)和p+层(9);步骤九:丝网印刷背面金属正电极(10)、负电极(11);步骤十:烧结、测试。
【技术特征摘要】
1.一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:对硅片基底(1)进行制绒;步骤二:背面抛光及形成氧化硅(2);步骤三:正面氧化铝(3)钝化层沉积;步骤四:背面氮化硅(4)沉积;步骤五:正面氮化硅(5)减反膜沉积;步骤六:背面印刷磷浆栅线形成n层(6);步骤七:背面印刷硼浆栅线形成p层(7);步骤八:激光烧蚀使背面形成n+层(8)和p+层(9);步骤九:丝网印刷背面金属正电极(10)、负电极(11);步骤十:烧结、测试。2.根据权利要求1所述的一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法,其特征在于:步骤九中,金属正电极(10)、负电极(11)依次间隔设置。3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:常青,张冠纶,吴俊旻,张鹏,谢耀辉,闫涛,洪布双,
申请(专利权)人:通威太阳能安徽有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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