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本发明公开了一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法,步骤以下步骤:步骤一:对硅片基底进行制绒;步骤二:背面抛光及形成氧化硅;步骤三:正面氧化铝钝化层沉积;步骤四:背面氮化硅沉积;步骤五:正面氮化硅减反膜沉积;步骤六:背面印刷磷浆栅线形成n层...该专利属于通威太阳能(安徽)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过通威太阳能(安徽)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法,步骤以下步骤:步骤一:对硅片基底进行制绒;步骤二:背面抛光及形成氧化硅;步骤三:正面氧化铝钝化层沉积;步骤四:背面氮化硅沉积;步骤五:正面氮化硅减反膜沉积;步骤六:背面印刷磷浆栅线形成n层...