一种非对称磁路发声装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种非对称磁路发声装置。该非对称磁路发声装置包括音圈和磁路系统，所述音圈具有引线段和非引线段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对的位置，所述引线段上延伸出引线，所述磁路系统中形成有磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述引线段所在的磁间隙的区域为引线磁间隙，所述非引线段所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙；所述引线磁间隙的宽度小于所述非引线磁间隙的宽度。本实用新型专利技术非对称磁路发声装置可以平衡引线段与非引线段受到的作用力，减弱偏振。

【技术实现步骤摘要】
一种非对称磁路发声装置
本技术属于电声换能
，具体地，涉及一种非对称磁路发声装置。
技术介绍
发声装置是电子产品中用于将声音信号转化为声音的电子器件，其广泛应用于消费类电子产品中。手机、平板电脑等电子产品近年来发展迅速，技术更新快。相应的，发声装置的性能也需要提高，以满足电子产品的声学性能要求。在现有技术中，电子产品中应用的发声装置通常为动圈式发声装置，这种发声装置通过引线和振膜悬挂音圈。但是，由于引线从音圈中引出，所以引线对音圈具有牵引作用力。在动圈式发声装置中，引线的牵引力有可能导致音圈的不同区域受到的力不一致。这一问题进一步会导致音圈的振动不平衡，使音圈在工作时容易出现偏振。音圈的偏振问题一方面会影响发声装置的声学性能，无法满足电子产品对音质的要求；另一方面，有可能导致引线断线，对发声装置的使用寿命和可靠性形成了潜在风险。所以需要对发声装置进行改进，减小或解决发声装置的偏振问题，进而提高声学性能和改善产品可靠性。
技术实现思路
本技术的一个目的是，提供一种改进的发声装置。根据本技术的一个方面，提供了一种非对称磁路发声装置，包括音圈和磁路系统，所述音圈具有引线段和非引线段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对的位置，所述引线段上延伸出引线，所述磁路系统中形成有磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述引线段所在的磁间隙的区域为引线磁间隙，所述非引线段所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙；所述引线磁间隙的宽度小于所述非引线磁间隙的宽度。可选地，所述非引线磁间隙的宽度与引线磁间隙的宽度的比例范围为1.1-1.4。可选地，所述磁路系统为单磁路系统，包括中心磁体和下导磁板，所述下导磁板上具有侧壁，所述中心磁体设置于下导磁板上，所述中心磁体和侧壁之间形成有所述磁间隙。可选地，所述磁路系统为双磁路系统，包括中心磁体和边磁体，所述边磁体设置于中心磁体的周围，所述中心磁体和边磁体之间形成有所述磁间隙。可选地，所述音圈还具有连接段，所述连接段将引线段与非引线段连接。可选地，所述连接段所在的磁间隙的宽度等于所述引线磁间隙的宽度。可选地，连接段所处的磁间隙的宽度等于所述非引线磁间隙的宽度。可选地，所述侧壁为从所述下导磁板上延伸出的弯折侧壁。可选地，所述双磁路系统还包括下导磁板，所述中心磁体和边磁体设置在所述下导磁板上，所述音圈还具有连接段，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述下导磁板形成有侧壁，所述侧壁与所述中心磁体之间形成有磁间隙，所述连接段位于所述侧壁与中心磁体之间。可选地，上述非对称磁路发声装置还包括振膜、壳体以及中心华司；所述磁路系统设置在所述壳体中，所述音圈连接在所述振膜的一侧，所述振膜的边缘与壳体连接，所述中心华司设置在所述中心磁体上。本技术的一个技术效果在于：本技术的非对称磁路发声装置能够平衡引线段与非引线段受到的作用力，减弱偏振。技术通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本技术的实施例，并且连同说明书一起用于解释本技术的原理。图1是本技术具体实施方式提供的发声装置的侧面剖视图；图2是本技术具体实施方式提供的发声装置的侧面剖视图；图3是本技术具体实施方式提供的音圈与引线的结构示意图；图4是本技术具体实施方式提供的中心磁体与边磁体的结构示意图；图5是本技术具体实施方式提供的下导磁板的结构示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本技术提供了一种非对称磁路发声装置，包括音圈5和磁路系统，所述磁路系统中形成有磁间隙，音圈5位于所述磁间隙中，如图1所示。当音圈1通入声音信号后，磁路系统形成的磁场对音圈1产生电磁驱动力，进而驱动音圈振动。其中，音圈上未引出引线的部分受到的音圈牵引作用力较弱，能够更自由的振动。本技术使音圈未引出引线的部分所处的磁间隙较宽，受到的电磁驱动力相对较小。这样，能够使音圈引出有引线的部分与未引出引线的部分受到的作用力相对平衡。降低音圈产生偏振的可能性。如图1-3所示，音圈5具有引线段11和非引线段12。引线14通常从音圈5的一侧引出，音圈5的另一侧则不引出引线，引出引线的一侧与不引出引线的一侧在音圈整体上分布在相对的位置处。引出有引线14的区域为音圈的引线段11，音圈5上与所述引线段11相对的区域为非引线段12。当音圈5在通入声音信号后，磁路系统形成的磁场对音圈5产生电磁驱动力，驱动音圈振动，进而使发声装置产生声音。本技术所述音圈1的形状不限于如图3所示的矩形，也可以为椭圆等形状，这些音圈形状的改变，均属于本技术的保护范围。所述磁间隙中可以形成有匀强磁场或者场强较强的磁场，便于驱动音圈5振动。所述引线段11所在的磁间隙的区域为引线磁间隙1，所述非引线段12所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙2。特别地，所述引线磁间隙1的宽度小于所述非引线磁间隙2的宽度。磁间隙的宽度越小，所能产生的磁场强度越强，进而能够对音圈产生更强的电磁驱动作用力；相反的，磁间隙的宽度越宽，所能产生的磁场强度越弱，对音圈产生的点此驱动作用力越弱。本技术通过上述调节引线磁间隙1与非引线磁间隙2的宽度大小，使非引线段12受到的驱动力较弱，以免非引线段产生过大的振幅；使引线段11受到的驱动力较强，即使引线段受到引线牵引作用力的制约，仍能够达到发声装置所要求的振幅。通过这种配置方式，可以平衡引线段与非引线段的受力，从而防止引线14由于受力不平衡而出现断线的情况，进一步地，减小或解决产品的偏振问题，提高声学性能。在本技术的一种可选实施方式中，所述磁路系统为单磁路系统。参考图2，所述单磁路系统括中心磁体8和下导磁板9，所述下导磁板9上具有侧壁10，所述中心磁体8设置于下导磁板9上，所述侧壁10在中心磁体8周围，此侧壁10与中心磁体8之间留有空隙，该空隙构成所述磁间隙，侧壁10和中心磁体8之间的距离为磁间隙的宽度。该下导磁板9的侧壁10可以是下导磁板9本身弯折延伸出的一部分，也可以是额外的焊接或粘接上的侧壁10结构。本技术不对侧壁10具体的形成方式做出限定，可以根据实际的应用情况做出选择。中心磁体8与下导磁板9的侧壁10之间形成的磁间隙用于放置音圈5，引线段11与非引线段12处于其中。在本技术的另一种可选实施方式中，所述磁路系统为双磁路系统。参考图1，包括中心磁体8和边磁体7。所述边磁体7设置于中心磁体8的周围，所述中心磁体8和边磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非对称磁路发声装置，其特征在于，包括音圈和磁路系统，所述音圈具有引线段和非引线段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对的位置，所述引线段上延伸出引线，所述磁路系统中形成有磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述引线段所在的磁间隙的区域为引线磁间隙，所述非引线段所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙；所述引线磁间隙的宽度小于所述非引线磁间隙的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种非对称磁路发声装置，其特征在于，包括音圈和磁路系统，所述音圈具有引线段和非引线段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对的位置，所述引线段上延伸出引线，所述磁路系统中形成有磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述引线段所在的磁间隙的区域为引线磁间隙，所述非引线段所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙；所述引线磁间隙的宽度小于所述非引线磁间隙的宽度。2.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述非引线磁间隙的宽度与引线磁间隙的宽度的比例范围为1.1-1.4。3.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述磁路系统为单磁路系统，包括中心磁体和下导磁板，所述下导磁板上具有侧壁，所述中心磁体设置于下导磁板上，所述中心磁体和侧壁之间形成有所述磁间隙。4.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述磁路系统为双磁路系统，包括中心磁体和边磁体，所述边磁体设置于中心磁体的周围，所述中心磁体和边磁体之间形成有所述磁间隙。5.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱婷，郭翔，
申请(专利权)人：歌尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37