阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其中，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。本实用新型专利技术所述阵列基板，像素电路的存储电容包括至少三个电极板，相较于现有技术，在不增加整个存储电容的占用面积的情况下，通过增加电容的电极板，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值的目的。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其是指一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiodes，OLED)显示器件和量子点电致发光二极管(QuantumdotsLight-emittingDiodes，QLED)显示器件均为自发光型显示设备，通常包括分别用作阳极、阴极的像素电极和公共电极以及设在像素电极与公共电极之间的发光层，使得在适当的电压被施加于阳极与阴极时，发光层能够发光。如图1所示为通常OLED显示器中，像素单元的驱动电路的结构示意图。参阅图1所示，该电路中包括用于实现OLED开关控制的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)T2、用于实现OLED驱动的薄膜晶体管T1和存储电容C，其中开关TFTT2的栅极连接栅线(Gate)，源极连接数据线(Data)，漏极连接驱动TFTT1的栅极；驱动TFTT1的源极连接电源线(Vdd)，漏极连接像素电极(OLED的阳极)；存储电容C的一个电极C1连接至开关TFTT2的漏极和驱动TFTT1的栅极，另一个电极C2连接至TFTT1的漏极和OLED本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其特征在于，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其特征在于，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极板和/或所述第二电极板上，与所述第三电极板相正对的部分朝所述第三电极板的方向弯折。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容还包括第四电极板，与所述第一电极板电连接，且所述第四电极板设置于所述第一电极板与所述第三电极板之间，所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分。4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，每一像素单元包括依次设置于基板上的有源层、栅极绝缘层、第一TFT的栅极、层间绝缘层、第一TFT的源/漏极、钝化层和像素电极；其中，所述第一TFT的漏极与所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第一过孔电连接；所述有源层与所述第一电极板为一体结构，所述像素电极与所述第二电极板为一体结构。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三电极板与所述第一TFT的漏极为同层设置。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三电极板与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔电连接。7.根据权利要求4所述的阵列基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，张玉欣，郝学光，马永达，卢永春，李会，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11