接触插塞布局的制作方法技术

本发明专利技术公开一种接触插塞布局的制作方法，该制作方法包含有以下步骤：(a)接收多个主动区域图案与多个彼此平行的埋藏式栅极图案，该多个主动区域图案分别与二该埋藏式栅极图案重叠以于各该主动区域图案内形成二个重叠区域以及该二个重叠区域之间的一接触插塞区域；以及(b)分别于该多个接触插塞区域上形成一接触插塞图案，该接触插塞图案包含一平行四边形形状，该平行四边形形状的内角不等于90度，且该多个接触插塞图案分别与各该主动区域内的二该埋藏式栅极图案部分重叠，其中该步骤(a)至该步骤(b)是于一电脑装置内进行。

【技术实现步骤摘要】
接触插塞布局的制作方法
本专利技术涉及一种接触插塞布局的制作方法，尤其是涉及一种半导体存储器元件的位线接触插塞布局的制作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，以下简称为DRAM)是一种主要的挥发性(volatile)存储器，且是很多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memorycell)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元则由一金属氧化半导体(metaloxidesemiconductor，以下简称为MOS)晶体管与一电容(capacitor)串联组成。电容是通过存储电极(storagenode)与形成于电极接触洞(nodecontact)中的导电结构电连接，并与MOS晶体管的漏极形成一位存取的通路，用于达到存储或输出数据的目的。随着DRAM集成度的提升，必须要减低DRAM存储单元中被电容所占据的面积，而为了使电容的电容量维持一个可以接受的数值，现有技术是采用堆叠电容的技术(stackedcapacitor)。堆叠电容的使用除了可以提供高电容量之外，也可降低每一个DRAM存储单元之间的相互干扰，更本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触插塞布局的制作方法，包含有：(a)接收多个主动区域图案与多个彼此平行的埋藏式栅极(buried gate)图案，该多个主动区域图案分别与二该埋藏式栅极图案重叠以于各该主动区域图案内形成二个重叠区域以及该二个重叠区域之间的一接触插塞区域；以及(b)分别于该多个接触插塞区域上形成一接触插塞图案，该接触插塞图案分别包含一平行四边形形状，该平行四边形形状的内角不等于90度，且该多个接触插塞图案分别与各该主动区域内的二该埋藏式栅极图案部分重叠，其中该步骤(a)至该步骤(b)是在一电脑装置内进行。

【技术特征摘要】
1.一种接触插塞布局的制作方法，包含有：(a)接收多个主动区域图案与多个彼此平行的埋藏式栅极(buriedgate)图案，该多个主动区域图案分别与二该埋藏式栅极图案重叠以于各该主动区域图案内形成二个重叠区域以及该二个重叠区域之间的一接触插塞区域；以及(b)分别于该多个接触插塞区域上形成一接触插塞图案，该接触插塞图案分别包含一平行四边形形状，该平行四边形形状的内角不等于90度，且该多个接触插塞图案分别与各该主动区域内的二该埋藏式栅极图案部分重叠，其中该步骤(a)至该步骤(b)是在一电脑装置内进行。2.如权利要求1所述的接触插塞布局的制作方法，其中该多个主动区域图案分别包含一对第一短边与一对第一长边，该一对第一短边与该多个埋藏式栅极图案平行，而该一对第一长边与该多个埋藏式栅极图案包含有一夹角。3.如权利要求2所述的接触插塞布局的制作方法，其中该夹角不等于90度。4.如权利要求2所述的接触插塞布局的制作方法，其中该多个接触插塞图案分别包含一对第二短边与一对第二长边，该一对第二短边与该多个埋藏式栅极图案平行，且该一对第二长边与该多个主动区域图案的该一对第一长边平行。5.如权利要求4所述的接触插塞布局的制作方法，其中该多个接触插塞图案的该一对第二短边之间的间距大于各该主动区域图案的该二个重叠区域之间的间距。6.如权利要求4所述的接触插塞布局的制作方法，其中分别于该多个主动区域内形成该多个接触插塞图案的步骤还包含：分别于该多个接触插塞区域上形成一第一矩形图案，该矩形图案分别包含一对第一边与一对第二边，且该一对第一边与该一对第二边彼此垂直；延长该多个第一矩形图案的该一对第一边或该一对第二边，以使该多个第一矩形图案形成一第二矩形图案；以及重塑(reshaping)该多个第二矩形图案以形成该多个接触插塞图案，且该多个接触插塞图案包含该平行四边形形状。7.如权利要求6所述的接触插塞布局的制作方法，还包含一延长该多个接触插塞图案的该一对第二短边的步骤，进行于重塑该多个第二矩形图案之后。8.如权利要求1所述的接触插塞布局的制作方法，其中分别于该接触插塞区域上形成该多个接触插塞图案的步骤还包含：分别于该多个接触插塞区域上形成一矩形图案，且该矩形图案分别包含一对第一边与一对第二边，且该一对第一边与该一对第二边彼此垂直；重塑(reshaping)该多个矩形图案以形成多个菱形图案，该多个菱形图案分别包含一对第三边与一对第四边，且该一对第三边与该二埋藏式栅极图案平行；以及延长该多个菱形图案的该多个第四边，以形成多个接触插塞图案，该多个接触插塞图案分别包含一平行四边形形状，且该平行四边形的内角不等于90°。9.如权利要求1所述的接触插塞布局的制作方法，还包含：输出该多个接触插塞图案至一光掩模上；以及将该多个接触插塞图案由该光掩模转移至一材料层上，以形成多个接触插塞开口。10.一种接触插塞布局的制作方法，包含有：(a)接收多个主动区域图案与多个埋藏式栅极图案，该多个埋藏式栅极图案沿一第一方向延伸，并沿一第二方向排列，且该第一方向与该第二方向彼此垂直，该多个主动区域图案分别与二该埋藏式栅极图案重叠以于各该主动区域图案内形成二个重叠区域以及该二个重叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嫈乔，童宇诚，何建廷，冯立伟，黄书涵，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71