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本发明公开一种接触插塞布局的制作方法，该制作方法包含有以下步骤：(a)接收多个主动区域图案与多个彼此平行的埋藏式栅极图案，该多个主动区域图案分别与二该埋藏式栅极图案重叠以于各该主动区域图案内形成二个重叠区域以及该二个重叠区域之间的一接触插塞...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。