【技术实现步骤摘要】
一种熔丝状态检测装置
本申请涉及半导体
,特别是涉及一种熔丝状态检测装置。
技术介绍
半导体
中为了调整芯片的性能或参数(例如,调整电压或者电流基准源等),常常通过修调熔丝的方式来达到调整的目的,熔丝的类型包括金属、多晶硅等。熔丝状态包括熔断状态和未熔断状态,传统判断熔丝状态的电路如图1所示,该电路包括熔丝10、与熔丝10串联的NMOS管(N型金属氧化物半导体)12,熔丝10与NMOS管12耦接处定义为节点A,NMOS管12的控制端120接收读取Read信号;当需要读取熔丝10状态时,读取Read信号为高电平信号,NMOS管12导通;若熔丝10处于未熔断状态,熔丝10本身的电阻很小,节点A处输出高电平;若熔丝10处于熔断状态,熔丝10的电阻非常大,节点A处输出低电平。本申请的专利技术人在长期研发过程中发现,由于有些熔丝10,例如多晶硅熔丝,在熔断后的电阻分布较广,为保证准确读取熔丝10的状态,图1中NMOS管12的等效电阻值不能过大;当熔丝10处于未熔断状态时,此时NMOS管12导通,NMOS管12的等效电阻值和熔丝10的电阻很小,这将导致熔丝10与NMOS管12所在的支路电流很大,这对电源电流输出能力要求较高。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种熔丝状态检测装置,能够降低读取熔丝状态时所需的电流。为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种熔丝状态检测装置,包括:并联的电流源、标准电阻和熔丝,所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第一端接收第一电源电压,所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第二端接收第二电源电压,所述第一电 ...
【技术保护点】
1.一种熔丝状态检测装置,其特征在于,包括:并联的电流源、标准电阻和熔丝,所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第一端接收第一电源电压,所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第二端接收第二电源电压,所述第一电源电压与所述第二电源电压不相等;第一电流镜,与所述电流源、所述标准电阻和所述熔丝耦接,用于将所述电流源提供的电流镜像到所述标准电阻和所述熔丝各自所在的支路;比较电路,包括第一开关元件和第二开关元件,其中,所述第一开关元件位于所述标准电阻所在的支路上,其第一通路端与所述标准电阻的第二端耦接,其第二通路端接收所述第二电源电压;所述第二开关元件位于所述熔丝所在的支路上,其第一通路端与所述熔丝的第二端耦接,其第二通路端接收所述第二电源电压,其控制端与所述第一开关元件的控制端耦接;其中,所述熔丝状态包括熔断状态或未熔断状态,所述第二开关元件的所述第二通路端在所述熔丝处于熔断状态或未熔断状态下的输出电平相反,从而判断出所述熔丝当前所处的状态。
【技术特征摘要】
1.一种熔丝状态检测装置,其特征在于,包括:并联的电流源、标准电阻和熔丝,所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第一端接收第一电源电压,所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第二端接收第二电源电压,所述第一电源电压与所述第二电源电压不相等;第一电流镜,与所述电流源、所述标准电阻和所述熔丝耦接,用于将所述电流源提供的电流镜像到所述标准电阻和所述熔丝各自所在的支路;比较电路,包括第一开关元件和第二开关元件,其中,所述第一开关元件位于所述标准电阻所在的支路上,其第一通路端与所述标准电阻的第二端耦接,其第二通路端接收所述第二电源电压;所述第二开关元件位于所述熔丝所在的支路上,其第一通路端与所述熔丝的第二端耦接,其第二通路端接收所述第二电源电压,其控制端与所述第一开关元件的控制端耦接;其中,所述熔丝状态包括熔断状态或未熔断状态,所述第二开关元件的所述第二通路端在所述熔丝处于熔断状态或未熔断状态下的输出电平相反,从而判断出所述熔丝当前所处的状态。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一电流镜包括:所述第三开关元件,位于所述电流源所在的支路,其第一通路端与所述电流源的第二端耦接,其第二通路端接收所述第二电源电压,其控制端与其第一通路端耦接;所述第四开关元件,位于所述标准电阻所在的支路,其第一通路端与所述第一开关元件的第二通路端耦接,其第二通路端接收第二电源电压,其控制端与所述第三开关元件的控制端耦接;所述第五开关元件,位于所述熔丝所在的支路,其第一通路端与所述第二开关元件的第二通路端耦接,其第二通路端接收所述第二电源电压,其控制端与所述第三开关元件的控制端耦接;其中,检测所述熔丝状态时,所述第一电流镜使得所述标准电阻和所述熔丝所在的支路上流过的电流相等,所述第五开关元件的第一通路端与所述第二开关元件的第二通路端的连接处定义为第一节点,所述熔丝处于熔断状态或未熔断状态下时所述第一节点的输出电平相反。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述装置还包括保护电路,所述保护电路用于在所述熔丝状态检测完成后关闭所述电流源、所述标准电阻、所述熔丝所在的支路上的电流;所述保护电路包括:第六开关元件,位于所述电流源所在的支路,其第一通路端与所述电流源的第二端耦接,其第二通路端接收第二电源电压,其控制端接收读取信号;第七开关元件,位于所述标准电阻所在的支路,其第一通路端与所述标准电阻的第二端耦接,其第二通路端接收第二电源电压,其控制端接收所述读取信号;第八开关元件,其第一通路端接收第一电源电压,其第二通路端与所述第一开关元件的控制端耦接,其控制端接收所述读取信号。4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:状态锁存器,包括第一输入端、第二输入端和输出端;其中,所述第一输入端接收所述第一节点的输出电平;所述第二输入端接收所述读取信号;所述读取信号处于脉冲时段,所述输出端输出此时所述第一节点输出的电平;所述读取信号处于非脉冲时段,所述输出端输出上一个脉冲周期所述读取信号处于脉冲时段时所述第一节...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵芳兰,
申请(专利权)人:东莞赛微微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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