低功耗电流饥饿型振荡器电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接。本实用新型专利技术所提供的低功耗电流饥饿型振荡器电路可实现精确的振荡器频率输出和较低功耗，并且电路的工作电压对振荡器频率值影响很小，电路结构简单。

【技术实现步骤摘要】
低功耗电流饥饿型振荡器电路
本技术涉及集成电路设计领域，特别涉及一种低功耗电流饥饿型振荡器电路。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，集成电路中的振荡器对低功耗、高稳定的需求也越来越强烈；传统的环路振荡器功耗随电源电压变化的影响明显，传统的迟滞振荡器也存在功耗大，电路复杂的缺陷。
技术实现思路
本技术提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，其目的是为了解决振荡器功耗过大，影响电源电压变化的问题。为了达到上述目的，本技术的实施例提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的负输出端，...

【技术特征摘要】
1.一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，包括：电源端和接地端；基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；其中，所述基准产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的负输出端，第一电容的第一端和所述低压环形振荡器的低压电源端电连接，所述第一电容的第二端与所述接地端电连接。2.根据权利要求1所述的低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，所述低压环形振荡器包括：第一反相器，所述第一反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第一反相器的接地端口与所述接地端电连接；第二反相器，所述第二反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第二反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接；第三反相器，所述第三反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第三反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第三反相器的输入端分别与所述第二反相器的输出端和第二电容的第一端电连接，所述第二电容的第二端与所述接地端电连接，所述第三反相器的输出端分别与所述第一反相器的输入端和所述电压转换电路电连接。3.根据权利要求2所述的低功耗电流饥饿型振荡器电路，其特征在于，所述电压转换电路包括：输入端口和输出端口，且所述输入端口与所述低压环形振荡器电连接；第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦鹏举，刘浩，刘祥远，杨柳江，徐欢，张均安，
申请(专利权)人：湖南融创微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43