一种触摸屏及其架桥制造技术

本申请公开了一种触摸屏及其架桥，该架桥包括第一氧化钼层，所述第一氧化钼层的上部设置有铝层，所述铝层的上部设置有第二氧化钼层，该触摸屏包括用于电连接不同的ITO的所述架桥。上述触摸屏及其架桥，能够弱化架桥的桥点底影，使架桥与周围其他部分之间的色差变小，提升用户体验。

【技术实现步骤摘要】
一种触摸屏及其架桥
本技术涉及移动终端
，更具体地说，涉及一种触摸屏及其架桥。
技术介绍
目前的电容式触摸屏中，大多数OGS与GG的SITO(单面ITO)结构采用的是金属架桥结构，如图1所示，图1为现有技术中的架桥区域的放大示意图，可见ITO1、ITO2和ITO3通过OC进行绝缘，ITO1与ITO3直接通过架桥101连接在一起。如图2所示，图2为现有的触摸屏的架桥的整体示意图，可见架桥101的反射率与玻璃面、ITO面的反射率有较大相差，导致了在整面观看触摸屏时会出现架桥的桥点色差产生底影。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种触摸屏及其架桥，能够弱化架桥的桥点底影，使架桥与周围其他部分之间的色差变小，提升用户体验。本技术提供的一种架桥，包括第一氧化钼层，所述第一氧化钼层的上部设置有铝层，所述铝层的上部设置有第二氧化钼层。优选的，在上述架桥中，所述第一氧化钼层的厚度范围为10纳米至50纳米。优选的，在上述架桥中，所述铝层的厚度范围为100纳米至400纳米。优选的，在上述架桥中，所述第二氧化钼层的厚度范围为10纳米至50纳米。本技术提供的一种触摸屏，包括用于电连接不同的ITO的如上面任一种所述的架桥。优选的，在上述触摸屏中，还包括设置于所述ITO外周部的透明绝缘层。从上述技术方案可以看出，本技术所提供的上述触摸屏及其架桥，由于该架桥包括第一氧化钼层，所述第一氧化钼层的上部设置有铝层，所述铝层的上部设置有第二氧化钼层，因此能够弱化架桥的桥点底影，使架桥与周围其他部分之间的色差变小，提升用户体验。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中的架桥区域的放大示意图；图2为现有的触摸屏的架桥的整体示意图；图3为本申请实施例提供的第一种架桥的示意图。具体实施方式本技术的核心思想在于提供一种触摸屏及其架桥，能够弱化架桥的桥点底影，使架桥与周围其他部分之间的色差变小，提升用户体验。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本申请实施例提供的第一种架桥如图3所示，图3为本申请实施例提供的第一种架桥的示意图，该架桥包括第一氧化钼层301，所述第一氧化钼层301的上部设置有铝层302，所述铝层302的上部设置有第二氧化钼层303，这种表面为氧化钼层的架桥，其反射率更加接近于玻璃表面的反射率，起到弱化架桥的桥点底影的效果。上述架桥可以但不限于利用如下方式制作而成：在所述铝层302的表面溅渡钼元素时，加入流量为10sccm至50sccm的氧气，使钼元素氧化，形成位于铝层302下部和上部的第一氧化钼层301和第二氧化钼层303，而改变架桥的反射率，弱化与其周围的玻璃的反射铝之差，这种结构形式的架桥适用于单面ITO结构，但并不排除在其他结构中的应用。从上述技术方案可以看出，本申请实施例所提供的第一种架桥，由于包括第一氧化钼层，所述第一氧化钼层的上部设置有铝层，所述铝层的上部设置有第二氧化钼层，因此能够弱化架桥的桥点底影，使架桥与周围其他部分之间的色差变小，提升用户体验。本申请实施例提供的第二种架桥，是在上述第一种架桥的基础上，还包括如下技术特征：所述第一氧化钼层的厚度范围为10纳米至50纳米。这种厚度范围的第一氧化钼层能够完全遮盖其下面的铝层，避免铝层的金属色泽展现出来，从而避免这种架桥与周围玻璃之间反射率差别过大造成视觉体验变差，而这种厚度范围也不会需要过多的原料，不至于成本过高。本申请实施例提供的第三种架桥，是在上述第二种架桥的基础上，还包括如下技术特征：所述铝层的厚度范围为100纳米至400纳米。这种铝层不仅起到电连接其两端的ITO的作用，而且起到骨架支撑的作用，因此其厚度不宜低于100纳米，以保证足够的强度，而如果厚度过大，例如大于400纳米的话没有必要，而且成本提高，因此在成本和强度之间权衡之后可以优选为这种100纳米至400纳米的厚度范围。本申请实施例提供的第四种架桥，是在上述第三种架桥的基础上，还包括如下技术特征：所述第二氧化钼层的厚度范围为10纳米至50纳米。这种厚度范围的第二氧化钼层能够完全遮盖其下面的铝层，避免铝层的金属色泽展现出来，从而避免这种架桥与周围玻璃之间反射率差别过大造成视觉体验变差，而这种厚度范围也不会需要过多的原料，不至于成本过高。本申请实施例提供的第一种触摸屏，包括用于电连接不同的ITO的如上面任一种架桥。正是由于这种触摸屏利用了上述结构类型的架桥，才会弱化架桥的桥点底影，使架桥与周围其他部分之间的色差变小，提升用户体验。本申请实施例提供的第二种触摸屏，是在上述第一种触摸屏的基础上，还包括如下技术特征：还包括设置于所述ITO外周部的透明绝缘层。需要说明的是，利用这种透明绝缘层实现不同的ITO之间的绝缘，且透明特性使其不会出现反射率差别方面的问题，从而更容易与周围的玻璃等部件相匹配。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种架桥，其特征在于，包括第一氧化钼层，所述第一氧化钼层的上部设置有铝层，所述铝层的上部设置有第二氧化钼层。

【技术特征摘要】
1.一种架桥，其特征在于，包括第一氧化钼层，所述第一氧化钼层的上部设置有铝层，所述铝层的上部设置有第二氧化钼层。2.根据权利要求1所述的架桥，其特征在于，所述第一氧化钼层的厚度范围为10纳米至50纳米。3.根据权利要求2所述的架桥，其特征在于，所述铝层的厚度范围为100纳米至...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗奕成，张佳衲，魏红奎，胡灿，古明，杨祖彪，李锋，李志成，李建华，
申请(专利权)人：信利光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44