一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可变MEMS微波滤波器的发卡型可变电极单元结构，包括：硅衬底；设置在所述硅衬底第一面上的发卡型谐振器电极；设置在所述硅衬底第一面上的电极延伸结构，且所述电极延伸结构位于所述发卡型谐振器电极的端部延伸位置；设置在所述发卡型谐振器电极端部与所述电极延伸结构之间的MEMS开关；以及设置在所述硅衬底与第一面相对的第二面的背部电极。

【技术实现步骤摘要】
一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法
本专利技术涉及无线通信硬件设备
，尤其涉及一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法

技术介绍
滤波器是射频微波系统必不可少的重要组成部分，性能优异的滤波器模块是射频微波通信系统能正常工作的必要前提。为了满足无线通信系统对多频带、多功能、多模式的应用需求，适应不同的应用标准，需要具有多种不同频率特性的滤波器组件。通常的滤波器组是将多个不同频率的滤波器和开关集成在一起，由于器件数量较多，所以体积比较大。此外，在一种改进型的现有技术中，集成式多频滤波器通过设计多组不同结构的滤波器电极，然后在通过选择开关来实现不同频率需求的滤波器切换，其占用的芯片面积同样较大，成本较高。近二十多年来，随着MEMS(微机电系统)工艺和MEMS器件的逐渐成熟，给微波滤波器的小型化、集成化提供了契机。与传统VLSI工艺相比，MEMS技术在不牺牲器件性能的前提下，可以实现微波无源器件的小型化和集成化。此外，将滤波器与MEMS开关集成在单一芯片上，可以实现滤波器之间的切换以满足不同的通信信道，有利于系统的进一步小型化和成本的降低。中国专利“基于微机械通孔的MEMS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可变MEMS微波滤波器的发卡型可变电极单元结构，包括：硅衬底；设置在所述硅衬底第一面上的发卡型谐振器电极；设置在所述硅衬底第一面上的电极延伸结构，且所述电极延伸结构位于所述发卡型谐振器电极的端部延伸位置；设置在所述发卡型谐振器电极端部与所述电极延伸结构之间的MEMS开关；以及设置在所述硅衬底与第一面相对的第二面的背部电极。

【技术特征摘要】
1.一种可变MEMS微波滤波器的发卡型可变电极单元结构，包括：硅衬底；设置在所述硅衬底第一面上的发卡型谐振器电极；设置在所述硅衬底第一面上的电极延伸结构，且所述电极延伸结构位于所述发卡型谐振器电极的端部延伸位置；设置在所述发卡型谐振器电极端部与所述电极延伸结构之间的MEMS开关；以及设置在所述硅衬底与第一面相对的第二面的背部电极。2.如权利要求1所述的可变MEMS微波滤波器的发卡型可变电极单元结构，其特征在于，所述发卡型谐振器电极和电极延伸结构的厚度为4微米至8微米。3.如权利要求1所述的可变MEMS微波滤波器的发卡型可变电极单元结构，其特征在于，所述MEMS开关进一步包括：MEMS开关上电极；MEMS开关下电极，且所述下电极与所述上电极之间具有1微米至3微米的间隙；通过导电线路电连接至所述上电极的第一电极；以及通过导电线路电连接至所述下电极的第二电极。4.如权利要求3所述的可变MEMS微波滤波器的发卡型可变电极单元结构，其特征在于，所述MEMS开关下电极设置在所述电极延伸结构与所述发卡型谐振器电极之间的硅衬底上，且电连接至所述电极延伸结构；以及所述MEMS开关上电极部分设置在所述发卡型谐振器电极端部的上表面上，部分延伸至所述MEMS开关下电极的上方，且未延伸至所述电极延伸结构区域。5.如权利要求3所述的可变MEMS微波滤波器的发卡型可变电极单元结构，其特征在于，所述MEMS开关下电极设置在所述电极延伸结构与所述发卡型谐振器电极之间的硅衬底上，且电连接至所述发卡型谐振器电极；以及所述MEMS开关上电极部分设置在所述电极延伸结构临近发卡型谐振器电极一端的上表面上，部分延伸至所述MEMS开关下电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧毅，屈芙蓉，王彤，刘宇，
申请(专利权)人：江苏硅华电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32