【技术实现步骤摘要】
一种具有梯度硅含量的负极片及锂电池
本专利技术属于锂电池领域，具体地说，涉及一种具有梯度硅含量的负极片及锂电池。
技术介绍
传统石墨类负极的理论比容量只有372mAh/g，已经越来越难以满足市场对高能量密度锂离子电池的需求，硅基负极理论比容量高达4200mAh/g，被认为是最有希望取代石墨负极的新型负极材料。然而，充电状态的硅负极体积膨胀可达300％,巨大的体积膨胀会造成硅颗粒产生裂纹导致硅负极失效，影响电池的性能。如何抑制硅基负极在充放电过程中的体积膨胀问题，是硅基负极大规模应用于锂离子电池的前提条件。有鉴于此特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种具有梯度硅含量的负极片及其制备方法、包含该负极片的锂电池及该锂电池的其制备方法，通过对电极片上活性物质层的硅含量进行梯度分布，中间层采用高硅含量的活性物质，外层采用低硅含量的活性物质，形成一种“三明治”的结构，外层的活性物质由于硅含量低，充电过程中体积膨胀小，可以缓冲和抑制高硅含量中间层的体积膨胀，从而提高电池的性能。为解决上述技术问题，本专利技术采用技术方案的基本构思...
【技术保护点】
1.一种具有梯度硅含量的负极片，其特征在于，负极片包括铜箔和分布在铜箔上的负极活性物质，所述负极活性物质为含有硅碳复合材料的活性物质涂层，所述活性物质涂层的硅含量呈层叠式梯度分布。
【技术特征摘要】
1.一种具有梯度硅含量的负极片，其特征在于，负极片包括铜箔和分布在铜箔上的负极活性物质，所述负极活性物质为含有硅碳复合材料的活性物质涂层，所述活性物质涂层的硅含量呈层叠式梯度分布。2.根据权利要求1所述具有梯度硅含量的负极片，其特征在于，所述活性物质涂层包括层叠设置的低硅含量负极涂层、高硅含量负极涂层、低硅含量负极涂层，所述高硅含量负极涂层的硅含量大于低硅含量负极涂层的硅含量。3.根据权利要求2所述具有梯度硅含量的负极片，其特征在于，所述低硅含量负极涂层包括低硅含量硅碳负极、粘结剂和导电剂，低硅含量硅碳负极中硅含量的质量比为X1，所述高硅含量负极涂层包括高硅含量硅碳负极、粘结剂和导电剂，高硅含量硅碳负极中硅含量的质量比为X2，其中X1<X2，0<X1≤10％，10％<X2≤20％。4.根据权利要求2所述具有梯度硅含量的负极片，其特征在于，所述低硅含量负极涂层的厚度为5-50μm，所述高硅含量负极涂层的厚度为50-100μm。5.如权利要求1-4任一所述具有梯度硅含量的负极片的制备方法，其特征在于，负极片制备：...
【专利技术属性】
技术研发人员：李小兵，
申请(专利权)人：桑顿新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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