新型电容式触摸屏制造技术

本发明专利技术公开了一种新型电容式触摸屏，其包括基板、第一消影层和透明电极。其中，所述透明电极位于所述基板之上，所述第一消影层位于所述基板和所述透明电极之上。本发明专利技术通过在电容触摸屏的基板上布置单层结构的具有增透功能的第一消影层，降低了透明电极蚀刻痕的反射光，并能提高光透过率，从而改善触摸屏的视觉效果。

New capacitive touch screen

The invention discloses a novel capacitive touch screen, which comprises a substrate, a first blanking layer and a transparent electrode. The transparent electrode is located on the substrate, and the first blanking layer is located on the substrate and the transparent electrode. The invention can reduce the reflected light of the etch mark of the transparent electrode by arranging the first antireflection layer with a single layer structure on the substrate of the capacitive touch screen, and can improve the light transmission rate, thereby improving the visual effect of the touch screen.

【技术实现步骤摘要】
新型电容式触摸屏
本专利技术涉及电容感应触摸屏，尤其涉及新型电容式触摸屏。
技术介绍
触摸屏作为人机交互的一种，是一种透明的输入系统，通过使用者手指触摸触控面板来实现操作。如今，随着触摸屏行业发展的越来越强大，人们对触摸屏的追求也会更高。现有的触摸屏一般包括基板和其上的透明电极，其中的透明电极通常为氧化铟锡ITO材料，通过生产工艺（例如蚀刻）处理氧化铟锡ITO膜层形成ITO透明电路图案，但是蚀刻痕的存在影响了电容触摸屏视觉效果。为改善视觉效果，传统的做法是在基板与ITO透明电极间加一层消影层。但随着当今显示技术的发展，人们对品质的要求也随之增加，一些产品仅通过一层消影层已不能满足人们对触摸屏视觉效果的要求。因此，本领域的技术人员致力于开发一种新型电容式触摸屏，不但实现对蚀刻痕消影，并能提高电容触摸屏的光透过率。
技术实现思路
为实现上述目的，本专利技术在一个较佳的实施例中，提供了一种新型电容式触摸屏，其包括基板、第一消影层和透明电极，所述透明电极位于所述基板之上，所述第一消影层位于所述基板和所述透明电极之上。进一步地，所述第一消影层的折射率n为1.7~2.2；所述第一消影层的厚度t=（2k+1）×λ/4n，其中，波长λ=550nm，k为大于等于0的整数。进一步地，厚度t的范围为5~3300nm。进一步地，所述第一消影层的材料为水胶。进一步地，所述电容触摸屏还包括第二消影层，所述第二消影层位于所述基板和所述透明电极之间，并在所述第一消影层之下。进一步地，所述第二消影层的折射率为1.7~2.2，厚度为3~500nm。进一步地，所述消影层的材料为二氧化钛、三氧化二铝、五氧化二铌、硫化锌、三氧化二钇和二氧化锆中的一个或多个。本专利技术在其他较佳的实施例中，还提供了一种新型电容式触摸屏，所述基板上具有二氧化硅层，所述第一消影层位于所述二氧化硅层和所述透明电极之上；所述第一消影层的折射率n为1.7~2.2，厚度t=（2k+1）×λ/4n，其中，波长λ=550nm，k为大于等于0的整数。进一步地，所述二氧化硅层的厚度为3-50nm。进一步地，厚度t的范围为5~3300nm。进一步地，所述电容触摸屏还包括第二消影层，所述第二消影层位于所述二氧化硅层和所述透明电极之间，并在所述第一消影层之下。进一步地，所述第二消影层的折射率为1.7~2.2，厚度为3~500nm。进一步地，所述透明电极层的材料是ITO、AZO、银纳米线、石墨烯、碳纳米管中的一个或多个。由此可见，本专利技术的增透的电容触摸屏在其基板和透明电极之上具有一层单层结构的消影层（第一消影层），完全覆盖了所述透明电极且填充透明电极的刻蚀痕，由于其折射率选取为与透明电极相当，从而能够减小有刻蚀痕位置与透明电极之间的光透射率差值，其不但削弱了透明电极刻蚀痕对视觉的影响，并能够增加电容触摸屏的光透过率；另外，额外布置在基板和透明电极之上的消影层（第二消影层），达到进一步的消影作用。以下将结合附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本专利技术的目的、特征和效果。附图说明图1显示了在一个较佳实施例中，本专利技术的新型电容式触摸屏的结构。图2显示了在另一个较佳实施例中，本专利技术的新型电容式触摸屏的结构。具体实施方式如图1和2所示，在一个较佳实施例中，本专利技术的电容触摸屏包括基板1、第二消影层2、透明电极3和第一消影层4；而在另一个较佳实施例中，本专利技术的电容触摸屏包括基板1、二氧化硅层11、第二消影层2、透明电极3和第一消影层4，其中基板1上的二氧化硅层11作为底层阻止基板中的钠离子扩散。以下通过对上述第二个较佳实施例中的电容触摸屏的制作过程进行描述，由此该电容触摸屏的结构也同时被描述，并且基于该描述，上述第一个较佳实施例中的电容触摸屏的结构也是清楚的。具体地，在基板1形成二氧化硅（SiO2）层11之前，先将基板1清洗、吹干，保持干净，后利用磁控溅射镀膜机以硅为靶材通入氧气，在基板1上沉积厚度约为3~50nm的SiO2层11，其折射率为1.4~1.6，其作为底层阻止基板中的钠离子扩散。继而，在SiO2层11之上形成第二消影层2，其厚度为3~500nm，其折射率为1.7~2.2，其材料可以是二氧化钛（TiO2）、三氧化二铝（Al2O3）、五氧化二铌（Nb2O5）、硫化锌（ZnS）、三氧化二钇（Y2O3）、二氧化锆（ZrO2）等，但不限于这些材料，可根据需要选择。该第二消影层2能同时提供增透的技术效果，提高电容触摸屏的光透过率。然后，在上述的第二消影层2上形成（例如通过磁控溅射法沉积）一层ITO薄膜层，来制作透明电极3，该层厚度为5~120nm，折射率为1.7~2.2，作为导电层。之后对该层通过光刻、刻蚀等工艺制作导电线路，即形成ITO的透明电极3。最后，在透明电极3之上涂覆一层膜厚为5~3300nm，光学折射率为1.7~2.2的水胶作为第一消影层4。该层完全覆盖ITO的透明电极3且填充刻蚀痕（即ITO图案之间的空隙）。较佳地，第一消影层4，其厚度t=（2k+1）×λ/4n，其中，n为第一消影层4的折射率，λ为波长，λ=550nm，k为大于等于0的整数。由于水胶材料的折射率、透射率等光学参数与ITO材料相近，其能够减小有刻蚀痕与透明电极3之间的透射率差值，从而进一步达到减反射光、增加透射光的目的。需要说明的是，在本专利技术的其他实施例中，可以不制作上述的第二消影层2，而仅通过第一消影层4实现新型电容式触摸屏，这样的电容触摸屏的结构也是可以从上述制作过程直接无疑义地确定的。以上详细描述了本专利技术的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本专利技术的构思做出诸多修改和变化。因此，凡本
的技术人员依本专利技术的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型电容式触摸屏，其特征在于，包括基板、第一消影层和透明电极，所述透明电极位于所述基板之上，所述第一消影层位于所述基板和所述透明电极之上。

【技术特征摘要】
1.一种新型电容式触摸屏，其特征在于，包括基板、第一消影层和透明电极，所述透明电极位于所述基板之上，所述第一消影层位于所述基板和所述透明电极之上。2.如权利要求1所述的新型电容式触摸屏，其特征在于，所述第一消影层的折射率n为1.7~2.2；所述第一消影层的厚度t=（2k+1）×λ/4n，其中，波长λ=550nm，k为大于等于0的整数。3.如权利要求2所述的新型电容式触摸屏，其特征在于，厚度t的范围为5~3300nm。4.如权利要求1-3中任何一个所述的新型电容式触摸屏，其特征在于，所述第一消影层的材料为水胶。5.如权利要求4所述的新型电容式触摸屏，其特征在于，还包括第二消影层，所述第二消影层位于所述基板和所述透明电极之间，并在所述第一消影层之下。6.如权利要求5所述的新型电容式触摸屏，其特征在于，所述第二消影层的折射率为1.7...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁启山，林玉辉，郑秋霞，
申请(专利权)人：福建科创光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35