封装结构及焊接方法技术

一种封装结构及焊接方法，其中封装结构包括：基板连接层；位于所述基板连接层部分表面的芯片；位于所述芯片顶部表面的金属导热层；位于所述基板连接层上的散热盖，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片和金属导热层；所述散热盖包括顶盖，所述顶盖包括镀金区域和位于镀金区域周围的非镀金区域，所述镀金区域与所述金属导热层表面接触，所述非镀金区域与所述金属导热层表面不接触，所述非镀金区域具有朝向基板连接层且环绕所述镀金区域的凸起。所述封装结构的散热性得到提高。

Package structure and welding method

A packaging structure and a welding method are provided, wherein the packaging structure comprises a substrate connection layer, a chip located on the surface of the substrate connection layer, a metal heat conduction layer located on the top surface of the chip, a heat dissipation cover located on the substrate connection layer, and a space enclosed by the heat dissipation cover to accommodate the chip and the metal heat conduction layer. The heat dissipation cover comprises a top cover comprising a gold plating area and a non-gold plating area located around the gold plating area, the gold plating area is in contact with the metal thermal conductive layer surface, the non-gold plating area is not in contact with the metal thermal conductive layer surface, and the non-gold plating area has a connection layer toward the substrate and surrounds the gold plating area. The protuberance of a region. The heat dissipation property of the packaging structure is improved.

【技术实现步骤摘要】
封装结构及焊接方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及焊接方法。
技术介绍
BGA(ballgridArray)封装产品是一种重要的电子封装产品。BGA(ballgridArray)封装产品的组成部分包括：BGA基片和PCB板。BGA基片和PCB板通过BGA基片中的焊球焊接在一起。所述BGA基片包括散热盖，所述散热盖用于为BGA基片在工作的过程中产生的热量散发至外界环境。然而，现有的BGA封装产品的散热性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种封装结构及焊接方法，以提高封装结构的散热性。为解决上述问题，本专利技术提供一种封装结构，包括：基板连接层；位于所述基板连接层部分表面的芯片；位于所述芯片顶部表面的金属导热层；位于所述基板连接层上的散热盖，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片和金属导热层；所述散热盖包括顶盖，所述顶盖包括镀金区域和位于镀金区域周围的非镀金区域，所述镀金区域与所述金属导热层表面接触，所述非镀金区域与所述金属导热层表面不接触，所述非镀金区域具有朝向基板连接层且环绕所述镀金区域的凸起。可选的，环绕所述镀金区域的凸起一体成型；所述凸起呈环状结构，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板连接层；位于所述基板连接层部分表面的芯片；位于所述芯片顶部表面的金属导热层；位于所述基板连接层上的散热盖，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片和金属导热层；所述散热盖包括顶盖，所述顶盖包括镀金区域和位于镀金区域周围的非镀金区域，所述镀金区域与所述金属导热层表面接触，所述非镀金区域与所述金属导热层表面不接触，所述非镀金区域具有朝向基板连接层且环绕所述镀金区域的凸起。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板连接层；位于所述基板连接层部分表面的芯片；位于所述芯片顶部表面的金属导热层；位于所述基板连接层上的散热盖，所述散热盖围成的空间容纳所述芯片和金属导热层；所述散热盖包括顶盖，所述顶盖包括镀金区域和位于镀金区域周围的非镀金区域，所述镀金区域与所述金属导热层表面接触，所述非镀金区域与所述金属导热层表面不接触，所述非镀金区域具有朝向基板连接层且环绕所述镀金区域的凸起。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，环绕所述镀金区域的凸起一体成型；所述凸起呈环状结构，所述凸起具有环绕所述镀金区域的内侧壁和环绕所述内侧壁的外侧壁。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述凸起的内侧壁至所述镀金区域的边缘之间的距离为0毫米～5毫米。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述内侧壁至所述外侧壁之间的距离为0.5毫米～10毫米。5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述凸起在环绕镀金区域的方向上各区域的高度一致。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述凸起的高度为0.1毫米～2毫米。7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述凸起在环绕镀金区域的方向上包括若干第一凸起区，所述凸起在环绕镀金区域的方向上还包括位于相邻第一凸起区之间的第二凸起区，所述第一凸起区沿环绕镀金区域的方向上的尺寸大于第二凸起区沿环绕镀金区域的方向上的尺寸，所述第二凸起区的高度小于所述第一凸起区的高度。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，环绕所述镀金区域的凸起数量为若干个，所述若干个凸起沿环绕所述镀金区域的方向进行排列；所述封装结构还包括：位于相邻凸起之间的非镀金区域中的凹槽。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，各凸起沿环绕镀金区域的方向上的尺寸大于各凹槽沿环绕镀金区域的方向上的尺寸。10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热盖还包括侧盖，所述侧盖与所述顶盖连接，所述侧盖位于所述基板连接层的边缘区域上且位于芯片的侧部，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈传兴，邱原，吴鼎皞，季洪虎，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32