一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜及其制备方法。本发明专利技术的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，包括步骤：合成二乙炔基聚合物；将二乙炔基聚合物置于有机溶剂中溶解，浇注于成膜容器中，封闭该成膜容器，待部分有机溶剂挥发，直至形成二乙炔基聚合物薄膜；将二乙炔基聚合物薄膜固化，蒸发剩余有机溶剂致孔，得到多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜。该基本材料本征介电常数低，加工性能优良，而薄膜成型方法简单，成型过程中无污染产生，且微孔分布均匀且孔径较为均一，所得产物具有超低介电常数，耐热性能优良。

Porous low dielectric constant two acetylene based polymer film and preparation method thereof

The invention relates to the technical field of integrated circuit manufacturing, in particular to a porous diethylene-based polymer film with low dielectric constant and a preparation method thereof. The preparation method of the porous low dielectric constant diethylene-based polymer film comprises the following steps: synthesizing diethylene-based polymer; dissolving the diethylene-based polymer in an organic solvent, pouring the diethylene-based polymer into a film-forming container, sealing the film-forming container, waiting for part of the organic solvent to volatilize until the diethylene-based polymer film is formed. The diacetyl polymer film was solidified and the residual organic solvents were evaporated to form porous diacetyl polymer film with low dielectric constant. The basic material has low intrinsic dielectric constant and excellent processability, while the film forming method is simple, no pollution occurs during the molding process, and the micro-pore distribution is uniform and the pore size is relatively uniform. The product has ultra-low dielectric constant and excellent heat resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜及其制备方法
本专利技术涉及集成电路制造
，具体涉及一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，电子芯片的性能飞速提高，仪器、设备的尺寸不断缩小。由于大规模集成电路的集成度越来越高，器件特征尺寸逐渐减小，多层布线和逻辑互连层数增加，导致导线电阻以及导线间和层间电容增加，RC延迟上升，这样限制了器件的传输速度，并且增加能耗，出现噪声干扰等一系列问题。而缓解此问题的重要方法之一就是降低介质材料的介电常数。目前，向材料中引入微孔结构是一种降低材料介电常数行之有效的方法，引入微孔结构可以增加材料的自由体积，使得单位体积内的极化基团数降低，从而降低介电常数。目前研究较多的多孔介质材料主要有：多孔硅基材料，多孔聚酰亚胺材料，多孔含氟聚合物材料。对于多孔硅基材料，吴兆丰等人利用溶胶凝胶法，以CTAB作为模板剂，制备得到纳米微孔二氧化硅薄膜，介电常数可达到2.5。但多孔硅基材料脆性较大，在柔性电子材料中的应用受到了限制。对于多孔聚酰亚胺材料，其具有良好的力学性能、耐热性能等，但由于聚酰亚胺材料本征介电常数(2.9-3.6本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：合成二乙炔基聚合物；将二乙炔基聚合物置于有机溶剂中溶解，浇注于成膜容器中，封闭该成膜容器，待部分有机溶剂挥发，直至形成二乙炔基聚合物薄膜；将二乙炔基聚合物薄膜固化，蒸发剩余有机溶剂致孔，得到多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：合成二乙炔基聚合物；将二乙炔基聚合物置于有机溶剂中溶解，浇注于成膜容器中，封闭该成膜容器，待部分有机溶剂挥发，直至形成二乙炔基聚合物薄膜；将二乙炔基聚合物薄膜固化，蒸发剩余有机溶剂致孔，得到多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜。2.根据权利要求1所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述二乙炔基聚合物通式为：其中：R1和R2均为非极性基团；R4有机物表达式为：-O-或-S-；其中：R3为：R5和R6也均为非极性基团。3.根据权利要求2所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，R1和R2为相同基团，R5和R6也为相同基团。4.根据权利要求2所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述二乙炔基聚合物的反应单体为：R1和R2均为非极性基团；R3为：5.根据权利要求4所述的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，单体反应聚合比为m:...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光，王哲，申洪岩，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京,11