薄膜与其形成方法及铜箔基板技术

技术编号:18883960 阅读:31 留言:0更新日期:2018-09-08 06:39
一种薄膜,包括一聚合物,该聚合物由(a)对羟基苯甲酸;(b)6‑羟基‑2‑萘甲酸;以及(c)支链型单体反应形成,其中(c)支链型单体的结构为:

Thin film and its forming method and copper foil substrate

A thin film comprises a polymer formed by (a) p-hydroxybenzoic acid; (b) 6-hydroxy-2-naphthalic acid; and (c) branched-chain monomer reaction, wherein (c) branched-chain monomer is structured as:

【技术实现步骤摘要】
薄膜与其形成方法及铜箔基板
本专利技术涉及薄膜与铜箔基板。
技术介绍
液晶聚合物(LCP)膜具高耐热、低介电常数/低介电常数损失、高尺寸安定、低吸湿、难燃、热塑及可回收等特性,可取代热固型聚酰亚胺薄膜(PI膜)作为次世代软板。现有的LCP膜的热膨胀系数过大,无法与铜箔匹配形成铜箔基板。综上所述,目前亟需低热膨胀系数的LCP膜以用于铜箔基板。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的薄膜,包括一聚合物,该聚合物由(a)对羟基苯甲酸;(b)6-羟基-2-萘甲酸;以及(c)支链型单体反应形成,其中(c)支链型单体的结构为:或上述的组合,R为芳基、杂芳基或环烷基,每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH;其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间;其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比介于100∶0.25至100∶0.5之间。该聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之间。本专利技术一实施例提供的薄膜的形成方法,包括:取(a)对羟基苯甲酸、(b)6-羟基-2-萘甲酸与(c)支链型单体进行聚合反应;本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜,其包括:一聚合物,该聚合物由(a)对羟基苯甲酸;(b)6‑羟基‑2‑萘甲酸;以及(c)支链型单体反应形成,其中(c)支链型单体的结构为:

【技术特征摘要】
2017.02.23 TW 106106104;2017.12.29 TW 1061464931.一种薄膜,其包括:一聚合物,该聚合物由(a)对羟基苯甲酸;(b)6-羟基-2-萘甲酸;以及(c)支链型单体反应形成,其中(c)支链型单体的结构为:或上述的组合,R为芳基、杂芳基或环烷基,每一R1各自独立地为-OH、-NH2或-COOH;其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于50∶50至90∶10之间;其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的总和与(c)支链型单体的摩尔比介于100∶0.25至100∶0.5之间,该聚合物的固有粘度介于4dL/g至6dL/g之间。2.根据权利要求1所述的薄膜,其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于60∶40至80∶20之间。3.根据权利要求1所述的薄膜,其中(a)对羟基苯甲酸与(b)6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比例介于70∶30至80∶20之间。4.根据权利要求1所述的薄膜,其中(c)支链型单体为均苯三酸。5.根据权利要求1所述的薄膜,其熔融强度约介于1.4cN至1.9cN之间。6.根据权利要求1所述的薄膜,其延伸率介于13%至25%之间。7.根据权利要求1所述的薄膜,其断裂强度介于8kgf/mm2至10kgf/mm2之间。8.一种薄膜的形成方法,包括:取(a)对羟基苯甲酸;(b)6-羟基-2-萘甲酸;以及(c)支链型单体进行聚合反应;熔融该聚合物以成一薄膜;以及热处理该薄膜,其中(c)支链型单体的结构为:或上述的组合,R为芳...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈孟歆林志祥邱仁军
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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