一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品技术

本发明专利技术公开了一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料，也能够防止ITO图案被划伤等问题，还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。

A method for making double sided ITO products and double-sided ITO products.

The invention discloses a method for manufacturing double-sided ITO products and a double-sided ITO product. The fabrication method includes: step 1: providing an ITO substrate: step 2: etching the first ITO layer on the ITO substrate, fabricating a first pattern, forming a first ITO functional layer; step 3: fabricating a Mo alloy layer on the first ITO functional layer, and fabricating a second ITO layer on the other side of the ITO substrate; step 4: adopting ITO; The etching solution etches the second ITO layer, makes the second pattern, and forms the second ITO functional layer; Step 5: Remove the Mo alloy layer with the Mo etching solution. This method will not leave protective materials on the ITO functional layer, but also prevent ITO patterns from scratching and other issues, and is conducive to the automation of the process and the production of high-generation lines.

【技术实现步骤摘要】
一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品
本专利技术涉及ITO刻蚀领域，尤其涉及一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。
技术介绍
电容式触摸屏（CTP）或LCDONCELL常常需要在基板的正反两面上分别制作ITO功能层，在刻蚀其中一面的ITO图案时，需要将另一面的ITO图案保护起来，常用的保护方法是在ITO图案上丝印蓝膜、粘贴PET膜或沉积无机SiOx膜。对于前两种方法，虽然设备和制程都相对简单，但容易产生残胶、ITO图案被划伤等问题，且在蚀刻完双面ITO图案之后需要手动撕掉保护膜，因而不利于工艺的自动化和高世代产线的量产；对于后一种方法，虽然结构成熟、ITO引线保护的可靠性好，但制程难度大、且容易产生专利冲突。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料，也能够防止ITO图案被划伤等问题，还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种双面ITO产品的制作方法，包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。进一步地，步骤4中还包括：在所述第二ITO功能层上依次制作绝缘层和第三ITO层，采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀，制作第三图案，形成第三ITO功能层。进一步地，所述第三ITO层的厚度小于500Å。进一步地，在步骤2中，也采用ITO蚀刻液对所述第一ITO层进行刻蚀。进一步地，所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%。进一步地，所述Mo合金层的厚度为400-3000Å。进一步地，所述第一ITO层的厚度为800~2200Å，和/或，所述第二ITO层的厚度小于500Å。进一步地，步骤5中，所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。进一步地，所述ITO刻蚀夜为包括HNO3、HCL和H2O的混合液，其中，HCL的质量浓度为36～38%，HNO3的质量浓度为65～68%；所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃。一种双面ITO产品，采用上述的双面ITO产品的制作方法获得。本专利技术具有如下有益效果：该双面ITO产品的制作方法在对所述第二ITO层进行刻蚀之前，先在已经完成刻蚀的所述第一ITO功能层上制作一层Mo合金层，以包裹覆盖所述第一ITO功能层，利用所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性，以及在所述ITO刻蚀液里具有短暂的惰性等特点，在所述第二ITO功能层的刻蚀过程中，保护所述第一ITO功能层，以使所述第一ITO功能层能够避免所述ITO刻蚀液的侵蚀和外力的损伤。附图说明图1为本专利技术提供的双面ITO产品的制作方法的步骤框图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。实施例一如图1所示，一种双面ITO产品的制作方法，包括：步骤1：提供一ITO基板；该步骤1中，所述ITO基板包括但不限于一透明基板和制作在所述透明基板的一面上的第一ITO层，所述第一ITO层的制作方法为磁控溅射，沉积温度在200-280℃之间，厚度为800~2200Å。步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；该步骤2中，优选但不限于在黄光湿制程中采用ITO蚀刻液对所述第一ITO层进行刻蚀。步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；该步骤3中，可以先在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，再在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层，或者，也可以先在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层，再在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，顺序要求不作限制；所述Mo合金层的厚度为400-3000Å，Mo的质量百分比为80%-95%。其中，所述Mo合金层的制作方式为磁控溅射，由于所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性，其包裹覆盖所述第一ITO功能层之后，能够对所述第一ITO功能层起到保护作用，其硬度能够使所述第一ITO功能层上的第一图案免受外力作用而损伤；所述第二ITO层的厚度小于500Å。步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；该步骤4中，在黄光湿制程中采用ITO刻液进行刻蚀，优选地，采用下喷淋方式、完全不用上喷淋方式进行刻蚀，即所述ITO蚀刻液直接喷淋到所述第二ITO层的表面进行反应和刻蚀。所述ITO刻蚀液为包括HNO3、HCL和H2O的混合液，其中，HCL的质量浓度为36～38%（AR级），HNO3的质量浓度为65～68%（AR级）；所述ITO刻蚀液的温度为25~50℃。由于所述Mo合金层在所述ITO刻蚀液中具有短暂的惰性，所述Mo合金层能够利用这短暂的惰性来避免自身的致密膜结构在所述第二ITO功能层的刻蚀过程中被所述ITO刻蚀液所破坏，从而避免所述第一ITO功能层在所述第二ITO功能层的刻蚀过程中受到所述ITO刻蚀液的侵蚀。若该双面ITO产品为电容式触摸屏，则所述第一ITO功能层为第一触摸电极，所述第二ITO功能层为第二触摸电极，所述第一ITO功能层和第二ITO功能层共同构成全触电极；若该双面ITO产品为LCDONCELL，则所述第一ITO功能层为LCD的公共电极，所述第二ITO功能层为全触电极或按键触控电极，此时，若该LCDONCELL采用单层触摸结构，则所述第二ITO功能层构成全触电极，若该LCDONCELL采用双层触摸结构，则在步骤4中，还需要在所述第二ITO功能层上依次制作绝缘层和第三ITO层，并在黄光湿制程中采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀，制作第三图案，形成第三ITO功能层，所述第二ITO功能层和第三ITO功能层分别作为第一触摸电极和第二触摸电极，共同构成全触电极。所述绝缘层可以通过黄光湿制程制作形成绝缘图案。刻蚀完所有触摸电极之后需要制作硬质保护层，所述硬质保护层的制作方法包括但不限于丝印、移印、刮涂或旋涂等，固化后硬度达到7-9H。在电容式触摸屏和单层触摸结构的LCDONCELL中，所述硬质保护层制作在所述第二ITO功能层上，在双层触摸结构的LCDONCELL中，所述硬质保护层制作在所述第三ITO功能层上。步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。该步骤5中，所述Mo刻蚀液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液，由于所述Mo刻蚀液不会侵蚀ITO材料，因此步骤5对刻蚀时间、刻蚀温度等均无特殊要求，只需将所述Mo合金层完全去除，不留下任何残留即可。该双面ITO产品的制作方法在对所述第二ITO层进行刻蚀之前，先在已经完成刻蚀的所述第一ITO功能层上制作一层Mo合金层，以包裹覆盖所述第一ITO功能层，利用所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性，以及在所述ITO刻蚀液里具有短暂的惰性等特点，在所述第二ITO功能层的刻蚀过程中，保护所述第一ITO功能层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面ITO产品的制作方法，其特征在于，包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。

【技术特征摘要】
1.一种双面ITO产品的制作方法，其特征在于，包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。2.根据权利要求1所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，步骤4中还包括：在所述第二ITO功能层上依次制作绝缘层和第三ITO层，采用ITO刻蚀液对所述第三ITO层进行刻蚀，制作第三图案，形成第三ITO功能层。3.根据权利要求2所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，所述第三ITO层的厚度小于500Å。4.根据权利要求1-3中任一所述的双面ITO产品的制作方法，其特征在于，在步骤2中，也采用ITO蚀刻液对所述第一ITO层进行刻蚀。5.根据权利要求1-3中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志猛，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44