一种微波单晶硅爆料设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微波单晶硅爆料设备，包括微波箱体，微波箱体包括：上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面、上斜面、第一侧面和第二侧面，上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面和上斜面依次首尾相接、形成纵截面为六边形的桶体，第一侧面和第二侧面分别设在桶体的两端形成密闭的箱体结构，竖直面与上顶面和下底面均垂直；上顶面和下底面的宽相等，竖直面和过渡面相互平行；竖直面上设有闸门；进料器微波箱体上设有微波发射源。本实用新型专利技术爆料设备，加热单晶硅原料效率高，且热量完全由微波场强作用于单晶硅原料产生，热效率高，同产量爆料设备相比，使用微波设备比使用电加热爆料设备节能20％左右；通过旋转结构的设计，方便了进出物料，提高了生产效率。

A microwave monocrystalline silicon explosive device

The utility model discloses a microwave single crystal silicon explosive device, which comprises a microwave box body, which comprises an upper top surface, a vertical surface, a lower bottom surface, a lower inclined plane, a transition plane, an upper inclined plane, a first side and a second side, and an upper top surface, a vertical surface, a lower bottom surface, a lower inclined plane, a transition plane and an upper inclined plane are successively connected head to tail, and a shape is formed. A hexagonal barrel body with a vertical section is arranged on both ends of the barrel body on the first side and the second side respectively to form an airtight box structure. The vertical surface is perpendicular to the top and bottom surfaces; the width of the top and bottom surfaces is equal, and the vertical surface and the transition surface are parallel to each other; the vertical surface is provided with a gate; the microwave box body of the feeder is provided with a slight. Wave emission source. The utility model has the advantages of high efficiency in heating single crystal silicon raw materials, high thermal efficiency, 20% energy saving by using microwave equipment than by using electric heating explosion equipment, and convenient in and out of materials, and high thermal efficiency. The production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种微波单晶硅爆料设备
本技术涉及一种微波单晶硅爆料设备，属于单晶硅爆料领域。
技术介绍
目前单晶硅原料的爆料设备主要以电加热为主。这种工艺耗能高，且电加热介质材料在高温下存在缓慢释放的现象，会轻微污染单晶硅原料，增加后续生产工艺负担，降低单晶硅成品质量。
技术实现思路
为了解决现有技术中单晶硅原料的爆料设备存在的缺陷，本技术提供一种微波单晶硅爆料设备。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案如下：一种微波单晶硅爆料设备，包括微波箱体，微波箱体包括：上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面、上斜面、第一侧面和第二侧面，上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面和上斜面依次首尾相接、形成纵截面为六边形的桶体，第一侧面和第二侧面分别设在桶体的两端形成密闭的箱体结构，竖直面与上顶面和下底面均垂直；上顶面和下底面的宽相等，竖直面和过渡面相互平行；竖直面上设有闸门；进料器微波箱体上设有微波发射源。本申请上下、顶部、底部等方位词均指设备正常使用的相对位置；本申请所描述设备的结构为是基于设备正常使用状态下的。微波发射源向微波箱体内提供微波辐射能。使用时，打开闸门，加料，加料完毕后，关上闸门，使微波箱体内形成封闭体，原料单晶硅在微波辐照下进行爆料，爆料结束后，开启闸门，放料、冷却，即可。闸门的设置能满足快速放料的生产需求。微波加热单晶硅原料效率极高，且热量完全由微波场强作用于单晶硅原料产生，热效率高。同产量爆料设备相比，使用微波设备比使用电加热爆料设备节能20％左右。为了方便进出料，微波单晶硅爆料设备，还包括支架，微波箱体转动连接在支架上。当进料时，转动微波箱体，使闸门位于最顶端，进行加料；当出料时，转动微波箱体，使闸门位于最低端，进行出料。为了方便微波箱体转动，支架包括第一支架和第二支架，第一支架和第二支架高度相等，第一侧面转动连接在第一支架上，第二侧动连接在第二支架上。作为本申请的一种优选方案，第一侧面上设有第一转轴、第二侧面上设有第二转轴，第一转轴和第二转轴高度相等、位置相对；第一支架顶部设有第一半圆形凹槽，第二支架顶部设有第二半圆形凹槽，第一半圆形凹槽与第二半圆形凹槽高度相等、位置相对，第一转轴置于第一半圆形凹槽内，第二转轴置于第二半圆形凹槽内。为了进一步集中场强、提高微波利用率，竖直面与过渡面之间的间距与上顶面的宽度之比为4:(3±0.5)。为了进一步集中场强、提高微波利用率，同时提高微波辐照的均匀性，下底面与下斜面之间的夹角为125±5°，上顶面与上斜面之间的夹角为125±5°。为了进一步提高微波利用率与辐照均匀性，微波箱体上设有窥孔，每个窥孔上均设有微波发射源。为了进一步提高微波利用率与辐照均匀性，上顶面上设有两排窥孔，每排分别有5个窥孔，过渡面上设有两排窥孔，每排分别有5个窥孔。为了进一步提高微波利用率，窥孔为长为15±5cm、宽为7±3cm的矩形孔，从上顶面到过渡面的方向，四排窥孔分别是横向布置、竖向布置、横向布置和竖向布置。这这样能进一步保证箱体内爆料腔体微波场强均匀，且微波场强密度达到要求。横向布置指窥孔的长度方向与微波箱体的长度方向平行，竖向布置窥孔的长度方向与微波箱体的长度方向垂直。为了防止物料污染，微波箱体内表面设有高纯度二氧化硅层。这样能有效防止设备内杂质对单晶硅物料的污染，解决电加热爆料设备加热棒缓慢释放污染单晶硅物料的问题。高纯度二氧化硅层指纯度不小于99.9％wt的二氧化硅。本技术未提及的技术均参照现有技术。本技术微波单晶硅爆料设备，加热单晶硅原料效率极高，且热量完全由微波场强作用于单晶硅原料产生，热效率高，同产量爆料设备相比，使用微波设备比使用电加热爆料设备节能20％左右；进一步通过旋转结构的设计，方便了进出物料，提高了生产效率。附图说明图1为本技术微波单晶硅爆料设备主视图；图2为图1的左视图；图3为图2的俯视图；图4为本技术微波单晶硅爆料设备立体图；图中，1上顶面、2竖直面、3下底面、4下斜面、5过渡面、6上斜面、7第一侧面、8第二侧面、9微波发射源、10闸门、11第一支架、12第二支架、13第一转轴、14第二转轴、15微波箱体。具体实施方式为了更好地理解本技术，下面结合实施例进一步阐明本技术的内容，但本技术的内容不仅仅局限于下面的实施例。实施例1如图所示，一种微波单晶硅爆料设备，包括微波箱体，微波箱体包括：上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面、上斜面、第一侧面和第二侧面，上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面和上斜面依次首尾相接、形成纵截面为六边形的桶体，第一侧面和第二侧面分别设在桶体的两端形成密闭的箱体结构，竖直面与上顶面和下底面均垂直；上顶面和下底面的宽相等，竖直面和过渡面相互平行；竖直面上设有闸门；竖直面与过渡面之间的间距与上顶面的宽度之比为4:3。下底面与下斜面之间的夹角为125°，上顶面与上斜面之间的夹角为125°。上顶面上设有两排窥孔，每排分别有5个窥孔，过渡面上设有两排窥孔，每排分别有5个窥孔，每个窥孔上均设有微波发射源；窥孔为长为15cm、宽为7cm的矩形孔，从上顶面到过渡面的方向，四排窥孔分别是横向布置、竖向布置、横向布置和竖向布置。微波箱体内表面设有高纯度二氧化硅层，也即上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面、上斜面、第一侧面和第二侧面的内表面上均设有高纯度二氧化硅层。本申请将从箱体内到箱体外的方向视为从内到外的方向。高纯度二氧化硅层指纯度不小于99.9％wt的二氧化硅。使用时，打开闸门，加料，加料完毕后，关上闸门，使微波箱体内形成封闭体，原料单晶硅在微波辐照下进行爆料，在炉膛温度不小于300℃，物料温度不小于600摄氏度的条件下，作用一个半小时左右，完成爆料，爆料结束后，开启闸门，放料、冷却，即可。实施例2与实施例1基本相同，所不同的是：微波单晶硅爆料设备还包括支架，支架包括第一支架和第二支架，第一支架和第二支架高度相等，第一侧面上设有第一转轴、第二侧面上设有第二转轴，第一转轴和第二转轴高度相等、位置相对；第一支架顶部设有第一半圆形凹槽，第二支架顶部设有第二半圆形凹槽，第一半圆形凹槽与第二半圆形凹槽高度相等、位置相对，第一转轴置于第一半圆形凹槽内，第二转轴置于第二半圆形凹槽内，这样形成了第一侧面与第一支架的转动连接和第二侧与第二支架的转动连接。进一步方便了进放物料。这样当进料时，转动微波箱体，使闸门口在上，方便进料，当爆料结束出料时，转动微波箱体，使闸门口在下，方便物料出料，且有效缩短了时间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波单晶硅爆料设备，其特征在于：包括微波箱体，微波箱体包括：上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面、上斜面、第一侧面和第二侧面，上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面和上斜面依次首尾相接、形成纵截面为六边形的桶体，第一侧面和第二侧面分别设在桶体的两端形成密闭的箱体结构，竖直面与上顶面和下底面均垂直；上顶面和下底面的宽相等，竖直面和过渡面相互平行；竖直面上设有闸门；进料器微波箱体上设有微波发射源。

【技术特征摘要】
1.一种微波单晶硅爆料设备，其特征在于：包括微波箱体，微波箱体包括：上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面、上斜面、第一侧面和第二侧面，上顶面、竖直面、下底面、下斜面、过渡面和上斜面依次首尾相接、形成纵截面为六边形的桶体，第一侧面和第二侧面分别设在桶体的两端形成密闭的箱体结构，竖直面与上顶面和下底面均垂直；上顶面和下底面的宽相等，竖直面和过渡面相互平行；竖直面上设有闸门；进料器微波箱体上设有微波发射源。2.如权利要求1所述的微波单晶硅爆料设备，其特征在于：还包括支架，微波箱体转动连接在支架上。3.如权利要求2所述的微波单晶硅爆料设备，其特征在于：支架包括第一支架和第二支架，第一支架和第二支架高度相等，第一侧面转动连接在第一支架上，第二侧动连接在第二支架上。4.如权利要求3所述的微波单晶硅爆料设备，其特征在于：第一侧面上设有第一转轴、第二侧面上设有第二转轴，第一转轴和第二转轴高度相等、位置相对；第一支架顶部设有第一半圆形凹槽，第二支架顶部设有第二半圆形凹槽，第一半圆形凹槽与第二半圆形...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金龙，席宗隆，
申请(专利权)人：王金龙，席宗隆，
类型：新型
国别省市：江苏,32