The invention discloses a method for modifying Perovskite Thin Film on the surface of boron compound and its application. By introducing boron element, the uncoordinated iodine ion in the perovskite thin film can be effectively passivated, the density of defect states can be reduced, the photoelectric performance of the perovskite thin film can be improved, and the high-efficiency and stable perovskite solar cell device can be realized. The photoelectric conversion efficiency of the solar cell device modified with perovskite absorber by boron compound is high, the preparation method is simple, the production cycle is short, and the stability is good.
【技术实现步骤摘要】
一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用
本专利技术具体涉及一种联硼化合物界面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用，其属于光电功能材料与器件
技术介绍
随着人类社会的不断发展，对能源的需求量越来越大。开发可再生、环境友好型能源(如风能、水能、太阳能等)势在必行。充分利用太阳能是解决当前所面临能源短缺和环境污染等生存问题的有效途径之一。光伏发电是重点发展方向。目前传统的基于硅半导体工艺的光伏技术存在生产成本高、耗能大、易造成环境污染等缺点，研究人员一直在寻找可以实现“高性价比”太阳能电池的新型光伏技术。钙钛矿太阳能电池由于其低成本和高效率等特点受到了学术界和工业界的广泛关注，器件光电转换效率从2009年的3.8％迅速增长到目前认证的22.1％。钙钛矿材料是指具有与CaTiO3相同晶体结构的一类有机无机杂化材料，其化学通式ABX3。该类材料兼具有无机和有机半导体材料的优势，具有廉价、光吸收系数高、带隙可调、载流子迁移率高等优点。钙钛矿薄膜通常使用溶液加工制备，获得的薄膜具有多晶性和离子晶体的特性。在这种薄膜中，晶界或晶粒表面离子的配位数与体相离子的配位数不同，...
【技术保护点】
1.一种对钙钛矿薄膜进行表面修饰的方法，将含有B‑B键的联硼化合物溶液负载在钙钛矿薄膜表面，然后于50‑100℃退火处理，得到联硼化合物修饰的钙钛矿薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种对钙钛矿薄膜进行表面修饰的方法，将含有B-B键的联硼化合物溶液负载在钙钛矿薄膜表面，然后于50-100℃退火处理，得到联硼化合物修饰的钙钛矿薄膜。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述联硼化合物的化学通式为B2(XY)4，其中X是N、O或Si，Y代表Hp或CmHn，m、n、p为正整数。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述联硼化合物选自下列含有B-B键的化合物中的一种或多种：C12H24B2O4、C10H20B2O4、C12H8B2O4、B2(OH)4和C8H24B2N4。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将联硼化合物溶解于有机溶剂中配制成联硼化合物溶液，在无氧气氛下，将联硼化合物溶液涂敷到钙钛矿薄膜表面，然后于50～100℃退火处理。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述联硼化合物溶液的浓度为0.5～20mg/mL；退火处理时间为5～30min。6.一种钙钛矿太阳能电池，包括透明衬底，以及在该衬底上依次层叠的透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极，其特征在于，所述钙钛矿吸...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑞，涂用广，杨晓宇，龚旗煌，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。