The nonvolatile data storage space for the user address range is provided by a nonvolatile flash location range for writing data. The location of the flash memory used to write data is larger than the user address range (for example, 4KB relative to 100B). Therefore, data for the same user address can be written to different flash locations in the range of flash locations, thereby improving the data storage durability accordingly.
【技术实现步骤摘要】
管理半导体存储器的方法、相应的接口、存储器和设备相关申请的交叉引用本申请要求于2017年2月22日提交的意大利申请No.102017000020134的优先权,该申请通过引用并入本文。
描述涉及半导体存储器。
技术介绍
各种类型的通用微控制器单元(MCU)应用可以涉及将数据存储在非易失性存储器(NVM)中。大多数MCU可以嵌入某种NVM存储器,其中特定类型的NVM被嵌入设备中,这取决于例如所使用的特定硅技术。例如,各种现代技术可以实施具有闪存的NVM,并且相对应类别的MCU表示当前市面有售的MCU的重要配额。因此,有效地支持存储在用于MCU嵌入闪存的NVM中的数据可以表示宝贵的资产。当例如被用于数据时,预期NVM将表现出良好的“耐久性”特性,例如超过100K次循环,这意味着用于存储数据的非易失性存储器的耐久性可接受数字是具有相同存储器地址的100K次写入循环(预期被写入至少100K次而没有故障的风险),即促进了数据完整性。例如用于存储代码的闪存可以表现出10/20K次循环的耐久性,其与上述100,000循环数目相差很远。解决这个问题的一个选择可以涉及在设备中嵌入专用的NVM存储器来处理数据。尽管理论上解决了问题,但是这样的设备的生产成本会受到很大的影响(主要是在硅成本方面),从而导致产品在市场上几乎没有竞争力。另一种方法可以涉及通过软件来处理数据写入,并且用户负责在适当的物理存储器地址处执行写入,使得相同位置没有被太大量地写入,以避免NVM故障的风险。这样的方法可以涉及使用诸如存储器数据指针、擦除、数据取回等各种特征,这增加了用户侧的复杂性,还使得该解决方 ...
【技术保护点】
1.一种为用户地址范围提供非易失性数据存储器空间的方法,所述方法包括:提供非易失性闪存位置范围以用于写入数据,其中用于写入数据的所述闪存位置范围大于所述用户地址范围;以及将针对相同用户地址的数据写入所述闪存位置范围中的多个不同闪存位置。
【技术特征摘要】
2017.02.22 IT 1020170000201341.一种为用户地址范围提供非易失性数据存储器空间的方法,所述方法包括:提供非易失性闪存位置范围以用于写入数据,其中用于写入数据的所述闪存位置范围大于所述用户地址范围;以及将针对相同用户地址的数据写入所述闪存位置范围中的多个不同闪存位置。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:接收闪存用户访问请求;检查在所述闪存用户访问请求中的特定请求是否为数据访问请求;以及响应于所述特定请求为数据访问请求,将所述用户地址范围映射到所述闪存位置范围。3.根据权利要求1所述的方法,还包括配置用于写入数据的所述闪存位置以包括第一字段和第二字段,所述第一字段包含在所述位置中被写入的数据,所述第二字段包含指示逻辑地址的标签,所述逻辑地址被耦合到在所述位置中被写入的所述数据。4.根据权利要求3所述的方法,其中配置用于写入数据的所述闪存位置还包括配置用于写入数据的所述闪存位置以包括第三字段,所述第三字段包含指示所述位置是否为空的标志。5.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述闪存位置范围中以自下向上的方向写入数据,其中每次新的数据写入被发出时,数据被写入第一空位置。6.根据权利要求1所述的方法,还包括提供被配置为查找表的临时存储器,其中所述用户地址范围中的所述用户地址作为到所述查找表的入口。7.根据权利要求6所述的方法,还包括:接收向所述闪存位置范围写入数据的数据写入命令,所述写入命令被定址到在所述用户地址范围中的特定用户写入地址;以及将与所述数据写入命令耦合的所述数据写入所述查找表中以所述特定用户写入地址作为入口的所述位置以及写入所述闪存位置范围中的空数据位置。8.根据权利要求7所述的方法,还包括:接收从所述闪存位置范围读取数据的数据读取命令,所述读取命令被定址到在所述用户地址范围中的特定用户读取地址;以及从所述查找表中以所述特定用户读取地址作为入口的所述位置读取与所述数据读取命令耦合的所述数据,而不访问所述闪存位置范围。9.根据权利要求7所述的方法,还包括在断电之后对所述临时存储器和所述闪存位置范围上电时:取回所述闪存位置范围中被写入的所述数据;以及利用所述闪存位置范围中被取回的所述数据来填充所述临时存储器。10.根据权利要求7所述的方法,其中所述闪存位置范围的物理位置按页面来布置,所述方法还包括:以页面为基础来擦除所述闪存位置;接收针对所述闪存位置范围中的特定页面的页面擦除命令;以及通过将来自所述临时存储器的数据写入到另一页面,来擦除在所述闪存位置范围中的所述特定页面。11.根据权利要求1所述的方法,其中所述闪存位置范围中的物理位置按页面来布置,所述方法还包括以页面为基础来擦除所述闪存位置。12.根据权利要求11所述的方法,还包括:接收针对所述闪存位置范围中的特定页面的...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·曼加诺,M·卡拉诺,G·迪斯特法诺,R·鲁吉雷洛,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利,IT
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