荧光体的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种荧光体的制造方法，该方法包括：准备钙元素原料；将钙元素原料、氮化锶、A元素的氧化物和/或氮化物、B元素的氧化物和/或氮化物、Z元素的氧化物、氮化物和/或金属单体、和/或M元素的氧化物分别称量、混合并置入坩埚中，其中A为选自于铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镏所组成的群组，B为选自于硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的群组，Z元素为选自于铕及铈所组成的群组，M为选自于镁、钡、铍及锌所组成的群组；以及将前述混合的原料一起置入高温炉中以烧成所述荧光体，其中荧光体的组成式为CapSrqMm‑Aa‑Bb‑Ot‑Nn:Zr，其中，0＜p＜1，0≤q＜1，0≤m＜1，0≤t≤0.3，0.00001≤r≤0.1，a＝1，0.8≤b≤1.2，2.7≤n≤3.1。

【技术实现步骤摘要】
荧光体的制造方法本申请是奇美实业股份有限公司于2010年11月9日申请的名称为“荧光体及发光装置”、申请号为201010549155.2的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及关于显示器、液晶用背光源、荧光灯、发光二极管等照明单元中所使用的氮化物荧光体。本专利技术是关于该氮化物荧光体组成及使用该荧光体的发光装置。
技术介绍
近年，使用半导体发光的发光装置被广泛地使用，特别是发光二极管已被成功开发，此发光装置较习知的冷阴极灯管、白炽灯等发光设备，具有发光效率高、体积小、低耗电力与低成本等优点，因此可做为各种光源来使用。而半导体发光装置包含半导体发光组件与荧光体，荧光体可吸收并转换半导体发光组件所发出的光，藉由半导体发光组件所发出的光与荧光体转换发出的光两者混合使用。此种发光装置可作为荧光灯、车辆照明、显示器、液晶背光显示等各种领域使用，其中，以白色发光装置使用最为广泛。现行白色发光装置系采用铈为活性中心的YAG荧光体(Y3Al5O12：Ce)并搭配发出蓝光的半导体发光组件所组成。然而，使用Y3Al5O12：Ce荧光体并搭配发出蓝光的半导体发光组件所发出的混合光，其色度坐标位于发出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种荧光体的制造方法，其特征在于，所述方法包括：准备钙元素原料，其中所述钙元素原料是通过将钙金属置于纯度达99.99％以上的高纯度氮气气氛下烧成而制备的氮化物，其烧成温度为700‑800℃并且烧成时间为3‑12小时；将所述钙元素原料、氮化锶、A元素的氧化物和/或氮化物、B元素的氧化物和/或氮化物、Z元素的氧化物、氮化物和/或金属单体、和/或M元素的氧化物分别称量、混合并置入坩埚中，其中A为选自于铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镏所组成的群组，B为选自于硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的群组，Z元素为选自于铕及铈所组成的群组，M为选自于镁、钡、铍及锌所组成的群组；以及将前述混合的原料一起置入高温炉中...

【技术特征摘要】
1.一种荧光体的制造方法，其特征在于，所述方法包括：准备钙元素原料，其中所述钙元素原料是通过将钙金属置于纯度达99.99％以上的高纯度氮气气氛下烧成而制备的氮化物，其烧成温度为700-800℃并且烧成时间为3-12小时；将所述钙元素原料、氮化锶、A元素的氧化物和/或氮化物、B元素的氧化物和/或氮化物、Z元素的氧化物、氮化物和/或金属单体、和/或M元素的氧化物分别称量、混合并置入坩埚中，其中A为选自于铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镏所组成的群组，B为选自于硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的群组，Z元素为选自于铕及铈所组成的群组，M为选自于镁、钡、铍及锌所组成的群组；以及将前述混合的原料一起置入高温炉中以烧成温度为1200℃以上2200℃以下且升温速度为3～15℃/分的条件烧成，而制成所述荧光体；其中，所述荧光体的组成式为CapSrqMm-Aa-Bb-Ot-Nn:Zr，其中，0＜p＜1，0≤q＜1，0≤m＜1，0≤t≤0.3，0.00001≤r≤0.1，a＝1，0.8≤b≤1.2，2.7≤n≤3.1。2.根据权利要求1所述的荧光体的制造方法，其特征在于，所述氮气流速为10～70升/分。3.根据权利要求1所述的荧光体的制造方法，其特征在于，所述氮气流速为30～50升/分。4.根据权利要求1所述的荧光体的制造方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄渊仁，温正雄，林志龙，
申请(专利权)人：奇美实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71