【技术实现步骤摘要】
基于光学Tamm态的多频吸收器
:本专利技术属于光子学和光电材料等领域领域,特别涉及一种基于光学Tamm态的多频吸收器。
技术介绍
:光吸收器是一种可以有效吸收光频电磁波的器件,它在太阳能、传感、滤波、成像、热辐射和热探测等方面具有潜在的应用前景。光吸收器按照吸收带宽的大小,可以分为窄带型和宽带型;按照吸收峰的数量,可以分为单频和多频。与单频吸收器相比较,多频吸收器可以同时在多个吸收峰上进行光谱比对,可以提高检测的准确率,在多谱成像系统的信息提取和安全检测方面更具优势。目前多频吸收器的工作主要集中于双频吸收器、三频吸收器和四频吸收器,主要是通过密集排布结构单元、堆栈不同尺寸的结构单元组成多层结构和将不同的谐振结构整合在同一结构单元实现多频吸收。已报道的多频吸收器都采用了标准刻蚀法制造,其成本和加工周期都十分可观。尤其刻蚀纳米量级尺寸的结构单元时,标准刻蚀法加工显得极为困难,难以满足可见光吸收器的设计要求。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。专利技术内 ...
【技术保护点】
1.一种基于光学Tamm态的多频吸收器,层状结构顺序为:M1‑D1‑DBR1‑M2‑DBR2‑D2‑M3,其中M1层、M2层、M3层均为金属银层;所述DBR1层和DBR2层均由二氧化硅和二氧化钛交替生长生成;所述D1、D2层为二氧化钛层。
【技术特征摘要】
1.一种基于光学Tamm态的多频吸收器,层状结构顺序为:M1-D1-DBR1-M2-DBR2-D2-M3,其中M1层、M2层、M3层均为金属银层;所述DBR1层和DBR2层均由二氧化硅和二氧化钛交替生长生成;所述D1、D2层为二氧化钛层。2.根据权利要求1所述的基于光学Tamm态的多频吸收器,其特征在于:所述DBR1和DBR2周期数分别为N1和N2。3.根据权利要求2所述的基于光学Tamm态的多频吸收器,其特征在于:N1和N2范围为5至10。4.根据权利要求1或2所述的基于光学Tamm态的多频吸收器,其特征在于:其中,DBR1和DBR2中二氧化硅和二氧化钛的厚度为di...
【专利技术属性】
技术研发人员:李培丽,栾开智,
申请(专利权)人:南京邮电大学,南京邮电大学南通研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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