【技术实现步骤摘要】
一种具有抗PID性能的PERC电池结构
本技术涉及光伏组件
,具体为一种具有抗PID性能的PERC电池结构。
技术介绍
现有行业内PERC电池多数背钝化方式都是采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方式,该结构电池只有背面生长氧化铝薄层且薄层致密性较差厚度较厚,正面没有氧化铝薄层,如申请号为“201310612665.3”的一种证明热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法、申请号为“201710104735.2”的一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法、以及申请号为“201710291291.8”的一种PERC电池背面钝化膜层以及基于ALD工艺的PERC电池制备方法,上述几种现有技术的电池结构虽然可以实现提高效率的目的,但是面对日益严格的抗PID测试存在很大风险,同时在生产成本方面比ALD镀膜方式有所增加。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有抗PID性能的PERC电池结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种具有抗PID性能的PERC电池结构,包括硅衬底,所述硅衬底的正面依次设置有二氧化硅层和正面氮化硅层,所述硅衬底的反面依次设置有背面氧化铝层和背面氮化硅层;所述二氧化硅层和正面氮化硅层之间设置有正面氧化铝层,所述正面氧化铝层厚度为4±0.5nm;所述二氧化硅层厚度为2±0.5nm,所述正面氮化硅层厚度为80±9nm,所述背面氧化铝层厚度为4±0.5nm,所述背面氮化硅层厚度为130±10nm。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术的新型PERC电池结构具有更佳的抗PI ...
【技术保护点】
1.一种具有抗PID性能的PERC电池结构,包括硅衬底(1),所述硅衬底(1)的正面依次设置有二氧化硅层(2)和正面氮化硅层(3),所述硅衬底(1)的反面依次设置有背面氧化铝层(4)和背面氮化硅层(5),其特征在于:所述二氧化硅层(2)和正面氮化硅层(3)之间设置有正面氧化铝层(6),所述正面氧化铝层(6)厚度为4±0.5nm;所述二氧化硅层(2)厚度为2±0.5nm,所述正面氮化硅层(3)厚度为80±9nm,所述背面氧化铝层(4)厚度为4±0.5nm,所述背面氮化硅层(5)厚度为130±10nm。
【技术特征摘要】
1.一种具有抗PID性能的PERC电池结构,包括硅衬底(1),所述硅衬底(1)的正面依次设置有二氧化硅层(2)和正面氮化硅层(3),所述硅衬底(1)的反面依次设置有背面氧化铝层(4)和背面氮化硅层(5),其特征在于:所述二氧化硅层(2)和正面氮化硅层(...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴俊旻,张鹏,常青,谢耀辉,余波,
申请(专利权)人:通威太阳能安徽有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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