一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷技术领域。其组成表达式为aMg2SiO4‑bMgSiO3‑cMg2TiO4‑dMgTi2O5‑eTiO2的复合物，其中0.9≤a≤1,0≤b≤0.1，0≤c≤0.1，0≤d≤0.03，0≤e≤0.1，b＝2c+d。所述低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷，还包括稳定剂CaCO3。本发明专利技术采用复合物与CaCO3进行复配，原料相对于现有技术更为低廉，其制备工艺简单，无污染，产业化前景良好，能够在尽量不改变其介电常数的前提下，将材料的品质因数提高。

Microwave dielectric ceramic with low dielectric constant and ultra-low loss and preparation method thereof

The invention relates to a microwave dielectric ceramics with low dielectric constant and ultra-low loss and a preparation method thereof, belonging to the technical field of microwave dielectric ceramics. The composition expression of the composite is aMg2SiO4 bMgSiO3 cMg2TiO4 dMgTi2O5 eTiO2, in which 0.9 < a 1, 0 C 0.1, 0 d 0.03, 0 e 0.1, B 2C + D. The microwave dielectric ceramics with low dielectric constant and ultra-low loss also include stabilizer CaCO3. The composite material and CaCO3 are used for compounding, the raw material is cheaper than the existing technology, the preparation process is simple, pollution-free, and the industrialization prospect is good. The quality factor of the material can be improved without changing its dielectric constant as far as possible.

【技术实现步骤摘要】
一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷

技术介绍
微波介质陶瓷(MicrowaveDielectricCeramics，MWDC)应用于微波频段(300MHz-300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质天线和介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料，已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。超低介电常数微波介电陶瓷，主要代表是Al2O3-TiO2、Y2BaCuO5、MgAl2O4和Mg2SiO4等，其εr≤20，品质因数Q×f≥50000GHz，τf≤10ppm/℃，主要用于微波电路基板、射频电子标签(RFID)电路基板和电子封装领域。Mg2SiO4的Qf＝73760GHz，εr＝7.4，τf＝-60ppm/℃，其损耗和温度稳定性都无法满足现女友材料的应用需求。目前为有人用MgTa2O6进行调节，做出xM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷，其特征是：其组成表达式为aMg2SiO4‑bMgSiO3‑cMg2TiO4‑d MgTi2O5‑eTiO2的复合物，其中0.9≤a≤1,0≤b≤0.1，0≤c≤0.1，0≤d≤0.03，0≤e≤0.1，b＝2c+d。

【技术特征摘要】
1.一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷，其特征是：其组成表达式为aMg2SiO4-bMgSiO3-cMg2TiO4-dMgTi2O5-eTiO2的复合物，其中0.9≤a≤1,0≤b≤0.1，0≤c≤0.1，0≤d≤0.03，0≤e≤0.1，b＝2c+d。2.如权利要求1所述低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷，其特征是：还包括稳定剂CaCO3。3.如权利要求2所述低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷，其特征是：所述CaCO3的添加量为形成aMg2SiO4-bMgSiO3-cMg2TiO4-dMgTi2O5-eTiO2复合物的Mg源、Si源和Ti源质量的1％-5％。4.权利要求1所述低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷的制备方法，其特征是步骤如下：(1)按比例称取Mg源、Si源和Ti源，然后进行一次球磨，得到一次球磨后的原料：随后将一次球磨后的原料烘干并研磨，得到粉料；对所得粉料进行煅烧，得到煅烧后的粉料；(2)对煅烧后的粉料进行二次球磨，对二次球磨得到的粉料进行烘干，加入粘合剂进行造粒和过筛，最后对其进行压制成型；对压制成型所得原料进行烧结成瓷，得到低介电常数温度稳定型低损耗微波介质陶瓷。5.如权利要求4所述低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷的制备方法，其特征是：所述Mg源、Si源和Ti源具体为镁、硅及钛的氧化物；优选的，所述镁源为MgO、MgCO3或Mg(OH)2中的任意一种或至少两种的组合，优选为MgO；优选的，所述Ti源为TiO2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丹，吉岸，王晓慧，
申请(专利权)人：无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32