本发明公开了一种LTCC滤波器用介质陶瓷材料及其制备方法和应用，所述陶瓷材料的化学组成式为aCaCO3‑bTiO2‑cBaCO3‑dCuO‑eZnO‑fH3BO3，a、b、c、d、e和f分别为质量比例，并满足以下条件：38％≤a≤40％...

本发明公开了一种中温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用；该微波介质陶瓷材料的组成表达式为aMgO‑bTiO2‑cCaCO3‑dMnO2‑eCo2O3‑fNb2O5，其中，40mol％≤a≤45mol％，40mol％≤b≤4...

本发明公开了一种滤波器用微波介质陶瓷材料，由以下摩尔百分比的原料组分制成：BaCO3 10mol％～20mol％、TiO2 75mol％～80mol％、ZnO2mol％～4mol％、Li2CO3 2mol％～4mol％、ZrO2 1mo...

本发明公开了一种低温烧结的高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和应用；该微波介质陶瓷包括组成表达式为aBaCO3‑bTiO2‑cZnO‑dCuO‑eLi2CO3‑fZrO2的主料以及化学式为xZnO‑yH3BO3的辅料，其中，29％≤a≤...

本发明公开了一种低介电常数微波介质陶瓷材料，其组成表达式为aMgO‑bSiO2‑cBaCO3‑dZnO‑eCaCO3‑fAl2O3，其中，a、b、c、d、e、f分别表示质量百分比，并满足以下条件：25％≤a≤29％，29％≤b≤33％，...

本发明公开了一种高介电常数微波介质陶瓷材料，其组成表达式为aBaCO3‑bTiO2‑cSm2O3‑dWO3‑eZrO2‑fMnO2‑gLi2CO3‑hSiO2‑iSb2O3，其中，17％≤a≤19％，78％≤b≤80％，1％≤c≤2％，...

本发明是一种高温度稳定型低介低损耗微波介质陶瓷及其制备方法，化学组成式为：aMgO

本发明是一种大介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，化学组成式为aBaO

本发明是一种MLCC用高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法，化学组成式为aBaO

本发明公开了一种高介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法，所述微波介质陶瓷材料的组成表达式为aLi2CO3‑

本发明公开了一种低温烧结的低介电低损耗微波介质陶瓷及其制备方法，所述微波介质陶瓷由主介质和辅介质构成，所述主介质由摩尔比为(0.95～0.99):(0.01～0.05)的MgTiO3和CaTiO3构成；所述辅介质的质量比例为主介质的2％...

本发明公开了一种低温烧结的中低介电低损耗微波介质陶瓷及其制备方法，所述陶瓷材料由主介质和辅介质构成，所述主介质的表达式为aMgO

本发明公开了一种高温度稳定型WIFI用微波介质陶瓷，其组成表达式为aBaTi4O9‑

本发明公开了一种高介电常数5G波导用微波介质陶瓷及其制备方法和应用；该微波介质陶瓷是由以下摩尔百分比的氧化物组分组成：BaO10％～15％、TiO

本发明公开了一种高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷是由主料和低温玻璃助剂烧结而成，主料的组成表达式为Ba6‑

本发明是中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法，陶瓷配方体系为Ba

本发明是中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法，陶瓷配方体系为Ba

本发明公开了一种高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其组成表达式为aMgSiO3‑

本发明公开了一种低温烧结温度稳定型介质波导用微波介质陶瓷，其包括主成分和烧结助剂，该主成分的物相包括MgTiO

本发明公开了一种低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷，其组成表达式为aMg2SiO4‑