用于运行电子保护开关的方法和电子保护开关技术

本发明专利技术涉及用于运行电子保护开关的方法和电子保护开关。电子保护开关(2)具有接驳在电压输入端(12)与负载输出端(14)之间的半导体开关(8)，其在接入和/或接通容性负载(6)时依赖于在负载输出端上检测到的输出电压(Va)地受驱控，将输出电压与所存储的电压阈值(Vs)进行比较，在达到或低过电压阈值时将限制由半导体开关引导的负载电流(IL)的电流边界值(Ig)从额定值(IN)调整到相对于额定值升高的第一阶梯值(Is1)，将电流边界值从第一阶梯值阶梯式减小到初始的额定值(IN)，当输出电压在电流边界值(Ig)阶梯式减小之后的触发持续时间(Ta)期间仍未达到电压阈值(Vs)，就断开半导体开关。

Method for operating electronic protection switch and electronic protection switch

The invention relates to a method for running an electronic protection switch and an electronic protection switch. An electronic protection switch (2) has a semiconductor switch (8) connected between a voltage input terminal (12) and a load output terminal (14), which is driven on and/or on a capacitive load (6) depending on the output voltage (Va) detected at the load output terminal, and compares the output voltage with the stored voltage threshold (Vs) to reach or lower. The current boundary value (Ig) limiting the load current (IL) guided by the semiconductor switch is adjusted from the rated value (IN) to the first ladder value (Is1) relative to the rated value, and the current boundary value is reduced from the first ladder value ladder to the initial rating value (IN) when the output voltage is reduced in the current boundary value (Ig) ladder. After the trigger duration (Ta), the voltage threshold (Vs) is still not reached, and the semiconductor switch is disconnected.

【技术实现步骤摘要】
用于运行电子保护开关的方法和电子保护开关
本专利技术涉及用于运行电子保护开关的方法，该电子保护开关具有接驳在电压输入端与负载输出端之间的半导体开关，该半导体开关在接入和/或接通容性负载时依赖于在负载输出端上检测到的输出电压地受驱控。本专利技术还涉及能根据这种方法运行的电子保护开关。
技术介绍
这种电子保护开关例如在DE20302275U1中进行了说明。电子保护开关具有形式为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体开关，半导体开关在运行电压联接端(电压输入端)与负载联接端之间接驳到电流路径中。为了在直流电压网中实现可靠的电流限制，将由电流路径中的电流传感器检测到的测量值输送给调节装置的比较器输入端。在存在接入信号时并在测量值低过参考值时，调节装置控制导通半导体开关，而在测量值超过参考值时，调节装置控制截止半导体开关并且将流经该半导体开关的电流限制在参考值上。由EP1186086B1公知了一种在低伏特范围内的，尤其在24VDC(直流电)范围内的电流分配系统，其具有一定数量的分别具有作为短路保护和/或过载保护的电子保护开关的电流回路。这些电流回路借助时钟脉冲的电源件来共同供电。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于运行电子保护开关(2)的方法，所述电子保护开关具有接驳在电压输入端(12)与负载输出端(14)之间的半导体开关(8)，所述半导体开关在接入和/或接通容性负载(6)时依赖于在所述负载输出端(14)上检测到的输出电压(Va)地受驱控，‑其中，将所述输出电压(Va)与存储的电压阈值(Vs)进行比较，‑其中，在达到或低过所述电压阈值(Vs)时，将限制由所述半导体开关(8)引导的负载电流(IL)的电流边界值(Ig)从额定值(IN)调整到相对于所述额定值升高的第一阶梯值(Is1)，‑其中，将所述电流边界值(Ig)从所述第一阶梯值(Is1)阶梯式减小到初始的额定值(IN)，并且‑其中，当所述输出电压...

【技术特征摘要】
2017.02.09 DE 102017202103.91.用于运行电子保护开关(2)的方法，所述电子保护开关具有接驳在电压输入端(12)与负载输出端(14)之间的半导体开关(8)，所述半导体开关在接入和/或接通容性负载(6)时依赖于在所述负载输出端(14)上检测到的输出电压(Va)地受驱控，-其中，将所述输出电压(Va)与存储的电压阈值(Vs)进行比较，-其中，在达到或低过所述电压阈值(Vs)时，将限制由所述半导体开关(8)引导的负载电流(IL)的电流边界值(Ig)从额定值(IN)调整到相对于所述额定值升高的第一阶梯值(Is1)，-其中，将所述电流边界值(Ig)从所述第一阶梯值(Is1)阶梯式减小到初始的额定值(IN)，并且-其中，当所述输出电压(Va)在所述电流边界值(Ig)阶梯式减小之后的触发持续时间(Ta)期间未达到所述电压阈值(Vs)，断开所述半导体开关(8)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一阶梯值(Is1)与所述额定值(IN)之...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃里克·菲舍尔，圭多·范·德·利克，
申请(专利权)人：埃伦贝格尔及珀恩斯根有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE