单端反激电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单端反激电路，包括变压器，所述变压器包括原边绕组、副边绕组，所述副边绕组经输入滤波电路连接输入电源，副边绕组经输出滤波电路连接负载，滤波电路与原边绕组的负端间设有一MOSFET开关管，副边绕组的正端与输出滤波电路间设有一二极管，所述二极管正极与副边绕组连接；副边绕组的输出端并联一输出电压采样电路，所述输出电压采样电路经一运放连接一脉宽调制器，所述脉宽调制器的输出端连接MOSFET开关管的控制端，用于控制MOSFET开关管的开关动作。本实用新型专利技术由脉宽调制器根据输出电压控制MOSFET开关管的开通与关断时间，从而稳定输出电压，元器件数量少，可靠性高、输入电压范围宽。

Single ended flyback circuit

The utility model discloses a single-ended flyback circuit, including a transformer, which comprises an original side winding and a secondary side winding. The secondary side winding is connected with an input power supply by an input filter circuit, the secondary side winding is connected with a load by an output filter circuit, and a MOSFET switch tube is arranged between the filter circuit and the negative end of the original side winding. A diode is arranged between the front end of the side winding and the output filter circuit, and the positive pole of the diode is connected with the secondary side winding; the output end of the secondary side winding is connected with an output voltage sampling circuit in parallel, and the output voltage sampling circuit is connected with a pulse width modulator via an operational amplifier, and the output end of the pulse width modulator is connected with the control of the MOSFET switching tube. The terminal is used to control the switching action of the MOSFET switch tube. The utility model controls the turn-on and turn-off time of the MOSFET switch tube according to the output voltage by a pulse width modulator, thereby stabilizing the output voltage, having less components, high reliability and wide input voltage range.

【技术实现步骤摘要】
单端反激电路
本技术涉及一种电路结构，尤其涉及一种单端反激电路。
技术介绍
近年欧美等西方霸权国家因政治需要对电源模块，尤其是军用级电源的出口限制的政策，影响了我国使用电源产品的重要项目建设进度、重大装备研制进度和国家的装备保障能力。这就要求国内电源行业企业要奋发图强，尽快提高电源模块自主设计研发及产业化能力，尽早地将其国产化，这样不仅可以减少进口费用，提高重点项目进度，也能提高国产电源技术的水平，而且可以促进国内军事和航天特别是兵器工业的发展，保障国家国民经济和国防实力。机载DC-DC电源模块在国民经济和国防工业等领域特别是航天、航空、兵器系统和军工技术等军事领域有广泛应用，尤其现在武器装备系统的发展趋势为小型化、模块化、单元化和电磁能力较强等，传统的单体机载DC-DC电源模块和组合式DC-DC电源组合方式更带来了工艺复杂性和单元体的增加，导致整体效率降低，可靠性的下降，且体积、重量都明显增加很难适应现在的武器装备系统的发展。
技术实现思路
本技术的目的就在于提供一种解决上述问题，可靠性高、体积小，输入电压范围宽的单端反激电路。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是这样的：一种单端反激电路，包括变压器，所述变压器包括原边绕组、副边绕组，所述副边绕组经输入滤波电路连接输入电源，副边绕组经输出滤波电路连接负载，滤波电路与原边绕组的负端间设有一MOSFET开关管，副边绕组的正端与输出滤波电路间设有一二极管，所述二极管正极与副边绕组连接；副边绕组的输出端并联一输出电压采样电路，所述输出电压采样电路经一运放连接一脉宽调制器，所述脉宽调制器的输出端连接MOSFET开关管的控制端，用于控制MOSFET开关管的开关动作。作为优选：所述输入滤波电路为LC谐振电路，包括输入电感和输入电容，输入电感设置在原边绕组的正端，输入电容设置在输入电感后端且与原边绕组并联。作为优选：所述输出滤波电路包括设置在副边绕组负端的输出电感，所述输出电感前后两端分别设有一与副边绕组并联的输出电容。与现有技术相比，本技术的优点在于：元器件数量少，可靠性高、输入电压范围宽。本技术在副边绕组的输出端设置一输出电压采样电路，采集输出电压，将采样的输出电压经运放放大后，送入脉宽调制器，脉宽调制器通过基准电压产生的占空比不同的方波信号，控制MOSFET开关管的开通与关断时间，从而稳定输出电压。附图说明图1为本技术电路原理图。具体实施方式下面将结合附图对本技术作进一步说明。实施例1：参见图1，一种单端反激电路，包括变压器，所述变压器包括原边绕组、副边绕组；所述副边绕组经输入滤波电路连接输入电源，副边绕组经输出滤波电路连接负载，滤波电路与原边绕组的负端间设有一MOSFET开关管，副边绕组的正端与输出滤波电路间设有一二极管，所述二极管正极与副边绕组连接；副边绕组的输出端并联一输出电压采样电路，所述输出电压采样电路经一运放连接一脉宽调制器，所述脉宽调制器的输出端连接MOSFET开关管的控制端，用于控制MOSFET开关管的开关动作。本实施例中：所述输入滤波电路为LC谐振电路，包括输入电感Ci和输入电容，输入电感设置在原边绕组的正端，输入电容设置在输入电感后端且与原边绕组并联；所述输出滤波电路包括设置在副边绕组负端的输出电感，所述输出电感前后两端分别设有一与副边绕组并联的输出电容。本技术中，副边绕组经输入滤波电路连接输入电源的两个端口分比为+Vin、-Vin，副边绕组经输出滤波电路连接负载的两个端口为+Vout、-Vout，变压器为T1，输入电容为Ci，输入电感为Li，输出电容为Co，输出电感为Lo，二极管为D1。而上述电路中，变压器、输入滤波电路、输出滤波电路、二极管构成了输入输出电路，其工作原理为：MOSFET开关管在加上正脉冲而导通后，输入电压直接加到原边绕组上，原边绕组电感电流线性上升，并将能量储存于其中；因副边绕组感应电压为负，由于变压器的原边绕组与副边绕组极性相反，所以二极管反偏截止，此时没有能量传送到负载，负载电流由储能滤波的输出电容Co放电提供。当MOSFET开关管加上负脉冲而截止时，磁场的消失导致副边绕组的极性反向，变压器副边绕组感应电压使得二极管正向导通，存储在变压器中的能量会通过整流管给输出滤波电容充电，负载上有电流流过。结合上述原理，再结合输出电压采样电路、脉宽调制器的工作，本技术整体工作原理如下：在副边绕组的输出端设置一输出电压采样电路，采集输出电压，并送入运算放大器与基准电压进行比较后输出线性高低电平信号，所述线性高低电平信号送入脉宽调制器中国，与与脉宽调制器内部三角波信号进行比较。当采集到的采集输出电压或电流增大时，运算放大器给出高电平信号与三角波信号比较后给出占空比较小的MOSFET驱动信号，从而输出电压降低，输出电流减小。当采集到的采集输出电压或电流减小时，运算放大器给出低电平信号与三角波信号比较后给出占空比较大的MOSFET驱动信号，从而输出电压升高，输出电流增大。因此，模块始终工作在动态的调整状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单端反激电路，包括变压器，所述变压器包括原边绕组、副边绕组，其特征在于：所述副边绕组经输入滤波电路连接输入电源，副边绕组经输出滤波电路连接负载，滤波电路与原边绕组的负端间设有一MOSFET开关管，副边绕组的正端与输出滤波电路间设有一二极管，所述二极管正极与副边绕组连接；副边绕组的输出端并联一输出电压采样电路，所述输出电压采样电路经一运放连接一脉宽调制器，所述脉宽调制器的输出端连接MOSFET开关管的控制端，用于控制MOSFET开关管的开关动作。

【技术特征摘要】
1.一种单端反激电路，包括变压器，所述变压器包括原边绕组、副边绕组，其特征在于：所述副边绕组经输入滤波电路连接输入电源，副边绕组经输出滤波电路连接负载，滤波电路与原边绕组的负端间设有一MOSFET开关管，副边绕组的正端与输出滤波电路间设有一二极管，所述二极管正极与副边绕组连接；副边绕组的输出端并联一输出电压采样电路，所述输出电压采样电路经一运放连接一脉宽调制器，所述脉宽调制器的输出端连接MOSFET开关管的控制端，用于控制MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨立光，
申请(专利权)人：四川恒隆电源有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51