The invention relates to the field of optical films, and more specifically to a quantum dot diffusion film. In order to solve the problems of large luminosity loss and general uniformity of quantum dot backlight diffusion plate at present, the invention provides a quantum dot diffusion film with high covering and high luminosity, a preparation method and application thereof. The invention combines the quantum dot film and the diffusion film into one. The quantum dot diffusion film comprises a quantum dot substrate layer and a diffusion layer coated on the upper and lower surfaces of the substrate layer. The quantum dot substrate layer is a single layer film structure. Among them, the substrate layer of quantum dots can provide high brightness of backlight module, and the diffusion layer can modify the diffusive angle of light. When the light of the light source passes through the diffusive particles on the diffusive film, the light will be refracted, reflected and scattered on the surface, which makes the light of the backlight source spread out gently and evenly, thus solving the problem of the eye. The problem of uneven luminance in the front quantum dot backlight module.
【技术实现步骤摘要】
一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜及其制备方法和应用
本专利技术涉及光学薄膜领域,更具体的涉及一种量子点扩散膜。
技术介绍
液晶显示器(LCD)作为当今最普遍的显示技术,已经广泛应用于电视、电脑、手机、以及一些仪器的显示屏中,因其优异的显示性能,LCD在今后相当长的一段时间里仍将是最重要的显示器件之一。近几年来,人们开始追求更极致的视觉体验,量子点液晶显示技术应用而生。与传统的LCD显示技术相同,量子点显示也是非发光性的显示装置,需要借助背光模组来提供均匀的光线,因此背光模组性能的好坏直接决定着量子点显示器的显现质量。两者的不同在于,传统LCD使用白光作为光源,而量子点液晶显示器需要蓝光来激发量子点膜中的红绿量子点来得到白色光源,由量子点激发的光源是最为纯净的背光源,因此它具有更宽广的色域显示和更精准的色彩控制力,该技术也被视为迄今为止最优秀的显示技术。量子点显示的背光源分为直下式与侧入式,其中侧入式的灯源位于导光板的两侧,直下式灯源为点状灯源,位于扩散板的下方(图3为直下式背光模组灯珠分布示意图)。无论直下式还是侧入式光源其发出的光线对于整个画面来说都是不均匀的,即靠近灯源处的亮度较大,这样就造成了整机色差较大,画面不均匀,继而影响视觉效果。而直下式背光的灯源上方一般会使用一张扩散板来雾化点光源的光线,使点光源均匀化,但是仅仅使用扩散板来解决遮盖性问题是远远不够的,结果如图4所示(灯珠分布处的亮度更大)。除了遮盖性较差的问题外,传统方法制备的扩散板还存在辉度损失大、透光率低下和过于厚重(厚度超过1mm)等问题,并不适用于现今轻薄化和曲面化的显示趋势。综上所述 ...
【技术保护点】
1.一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点扩散膜包括量子点基材层和扩散层,所述的扩散层涂布于量子点基材层的上下表面;所述量子点基材层为单层膜结构。
【技术特征摘要】
1.一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点扩散膜包括量子点基材层和扩散层,所述的扩散层涂布于量子点基材层的上下表面;所述量子点基材层为单层膜结构。2.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点基材层包括胶黏剂、量子点和无机粒子。3.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点基材层包括100重量份的胶黏剂,8-14重量份的量子点,1-5重量份的气相二氧化硅粒子,5-10重量份的二氧化钛粒子和10-20重量份的大粒径二氧化硅粒子。4.根据权利要求2所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点包括红色量子点和绿色量子点。5.根据权利要求4所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述红色量子点和绿色量子点的重量比为2-5:6-9。6.根据权利要求3所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点基材层中的气相二氧化硅粒子的粒径为10~20nm。7.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述的扩散层包括100重量份的丙烯酸类胶黏剂,5-20重量份的无机扩散粒子和40-80重量份的有机扩散粒子。8.根据权利要求7所述的高遮盖...
【专利技术属性】
技术研发人员:李刚,孙书政,徐良霞,李培源,刘伟,陈冲,徐雍捷,唐海江,张彦,
申请(专利权)人:宁波激智科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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