一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜及其制备方法和应用技术

技术编号:18656822 阅读:22 留言:0更新日期:2018-08-11 13:57
本发明专利技术涉及光学薄膜领域,更具体的涉及一种量子点扩散膜。为了解决目前量子点背光扩散板辉度损失大及匀光能力一般的问题,本发明专利技术提供一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜及其制备方法和应用。本发明专利技术将量子点膜和扩散膜合二为一,所述的量子点扩散膜包括量子点基材层和涂布于基材层上下表面的扩散层,所述量子点基材层为单层膜结构。其中量子点基材层能够提供背光模组较高的辉度,而扩散层能起到修正光线扩散角度的作用,当发光光源的光线经过扩散膜上的扩散粒子时会在表面发生光的折射、反射与散射,使背光源的光线柔和均匀地散播出来,解决了目前量子点背光模组发光不均匀的问题。

High coverage high brightness quantum dot diffusion film and preparation method and application thereof

The invention relates to the field of optical films, and more specifically to a quantum dot diffusion film. In order to solve the problems of large luminosity loss and general uniformity of quantum dot backlight diffusion plate at present, the invention provides a quantum dot diffusion film with high covering and high luminosity, a preparation method and application thereof. The invention combines the quantum dot film and the diffusion film into one. The quantum dot diffusion film comprises a quantum dot substrate layer and a diffusion layer coated on the upper and lower surfaces of the substrate layer. The quantum dot substrate layer is a single layer film structure. Among them, the substrate layer of quantum dots can provide high brightness of backlight module, and the diffusion layer can modify the diffusive angle of light. When the light of the light source passes through the diffusive particles on the diffusive film, the light will be refracted, reflected and scattered on the surface, which makes the light of the backlight source spread out gently and evenly, thus solving the problem of the eye. The problem of uneven luminance in the front quantum dot backlight module.

【技术实现步骤摘要】
一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜及其制备方法和应用
本专利技术涉及光学薄膜领域,更具体的涉及一种量子点扩散膜。
技术介绍
液晶显示器(LCD)作为当今最普遍的显示技术,已经广泛应用于电视、电脑、手机、以及一些仪器的显示屏中,因其优异的显示性能,LCD在今后相当长的一段时间里仍将是最重要的显示器件之一。近几年来,人们开始追求更极致的视觉体验,量子点液晶显示技术应用而生。与传统的LCD显示技术相同,量子点显示也是非发光性的显示装置,需要借助背光模组来提供均匀的光线,因此背光模组性能的好坏直接决定着量子点显示器的显现质量。两者的不同在于,传统LCD使用白光作为光源,而量子点液晶显示器需要蓝光来激发量子点膜中的红绿量子点来得到白色光源,由量子点激发的光源是最为纯净的背光源,因此它具有更宽广的色域显示和更精准的色彩控制力,该技术也被视为迄今为止最优秀的显示技术。量子点显示的背光源分为直下式与侧入式,其中侧入式的灯源位于导光板的两侧,直下式灯源为点状灯源,位于扩散板的下方(图3为直下式背光模组灯珠分布示意图)。无论直下式还是侧入式光源其发出的光线对于整个画面来说都是不均匀的,即靠近灯源处的亮度较大,这样就造成了整机色差较大,画面不均匀,继而影响视觉效果。而直下式背光的灯源上方一般会使用一张扩散板来雾化点光源的光线,使点光源均匀化,但是仅仅使用扩散板来解决遮盖性问题是远远不够的,结果如图4所示(灯珠分布处的亮度更大)。除了遮盖性较差的问题外,传统方法制备的扩散板还存在辉度损失大、透光率低下和过于厚重(厚度超过1mm)等问题,并不适用于现今轻薄化和曲面化的显示趋势。综上所述,开发出适用于量子点背光模组的光学薄膜已经成为该
亟待解决的一大难题,该光学薄膜既要满足轻薄化和曲面化要求,还要有足够的遮盖性和较高的辉度表现。
技术实现思路
为了解决目前量子点背光扩散板辉度损失大及匀光能力一般的问题,本专利技术提供一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜及其制备方法和应用。本专利技术将量子点膜和扩散膜合二为一,所述的量子点扩散膜包括量子点基材层和涂布于基材层上下表面的扩散层,其中量子点基材层能够提供背光模组较高的辉度,而扩散层能起到修正光线扩散角度的作用,当发光光源的光线经过扩散膜上的扩散粒子时会在表面发生光的折射、反射与散射,使背光源的光线柔和均匀地散播出来,解决了目前量子点背光模组发光不均匀的问题。本专利技术提供的量子点扩散膜的厚度较薄且拉伸强度较大,可以满足轻薄化和曲面显示的要求,同时具有较好的辉度表现和较高的遮盖性,可以解决目前直下式背光扩散板辉度损失大及匀光能力一般的问题。为了解决上述技术问题,本专利技术采用下述技术方案:本专利技术提供一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜,所述量子点扩散膜包括量子点基材层和扩散层,所述的扩散层涂布于量子点基材层的上下表面;所述量子点基材层为单层膜结构。所述量子点基材层为单层膜结构,完全不同于市售量子点薄膜,市售量子点膜的结构为三层膜复合体系(类“三明治”结构,量子点胶层的上下表面均设有阻隔膜)。所述扩散层起匀光作用,即提高遮盖灯影的性能。进一步的,所述的量子点基材层的厚度为100-700μm;所述扩散层的厚度为5-20μm。进一步的,所述的量子点基材层的厚度优选为400-600μm;所述扩散层的厚度优选为15-20μm。进一步的,所述的量子点基材层的厚度最优选为400μm;所述扩散层的厚度最优选为20μm。进一步的,所述的量子点基材层通过狭缝式模头挤出(slotdie)自动涂布机涂布而成。所述的涂布过程为通过两张离型膜和量子点胶层复合得到“三明治”结构的量子点膜,再将两张离型膜剥离后得到半成品量子点基材层。进一步的,所述量子点基材层包括胶黏剂、量子点和无机粒子。所述量子点为高抗水氧侵蚀型量子点。进一步的,所述无机粒子包括气相二氧化硅粒子和大粒径二氧化硅粒子。进一步的,所述气相二氧化硅粒子的粒径范围为10~20nm,所述大粒径二氧化硅粒子的粒径为2μm。进一步的,所述无机粒子包括气相二氧化硅粒子、二氧化钛粒子和大粒径二氧化硅粒子。进一步的,所述量子点基材层包括100重量份的胶黏剂,8-14重量份的量子点,1-5重量份的气相二氧化硅粒子,5-10重量份的二氧化钛粒子和10-20重量份的大粒径二氧化硅粒子。进一步的,所述量子点基材层中的胶黏剂选自聚酯类树脂。所述聚酯树脂是紫外光固化类树脂。所述的胶黏剂的粘度为3000cps。进一步的,所述量子点和无机粒子均匀分布于胶黏剂中。进一步的,所述的量子点包括红色量子点和绿色量子点。进一步的,所述的量子点为高抗水氧侵蚀型量子点。所述量子点为极其微小的无机纳米晶体。所述的红色量子点在蓝光激发下发出红光,所述绿色量子点在蓝光激发下发出绿光。进一步的,所述红色量子点和绿色量子点的重量比为2-5:6-9。进一步的,所述红色量子点和绿色量子点的重量比为3-5:7-9。进一步的,所述红色量子点和绿色量子点的重量比为4-5:8-9。进一步的,所述红色量子点和绿色量子点的重量比为5:9。上述量子点基材层,可以根据色度坐标和辉度要求,加入不同比例的红绿量子点。进一步的,所述量子点基材层中的气相二氧化硅粒子的粒径为10~20nm。进一步的,所述二氧化钛粒子的粒径为0.3μm,所述大粒径二氧化硅粒子的粒径为2μm。所述气相二氧化硅为超微细无机纳米材料。所述气相二氧化硅的作用之一为增大胶水体系的粘度,使其大于4000cps,胶水体系粘度的增大对涂布过程有很好的效果,如降低收缩率、提高膜面涂布效果等;所述气相二氧化硅的作用之二是作为光扩散粒子,提高光线的折射和散射率,以增大红、绿量子点对光线的吸收,提高发光效率;所述气相二氧化硅的作用之三为提高膜片的抗拉强度、抗撕裂性和提升耐磨性,气相二氧化硅改良后的膜片强度提高很多。所述二氧化钛粒子为椭球形或球形。所述的二氧化钛粒子为光扩散粒子,可以将进入量子点基材层内的光线进行反复的折射或漫散射,使得量子点吸收更多的光,提高量子点的发光效率和强度。所述二氧化钛粒子加入后的辉度上升约10%,色坐标上升至少0.01,因此能减少量子点的加入量,节省成本。所述二氧化硅粒子为规则的球形。所述二氧化硅的作用之一是作为光扩散粒子,提高发光效率,节省成本;所述二氧化硅的作用之二是作为补强剂,能显著提升膜片强度。进一步的,所述的量子点基材层的上下表面均涂有扩散层。进一步的,所述的扩散层包括100重量份的丙烯酸类胶黏剂,5-20重量份的无机扩散粒子和40-80重量份的有机扩散粒子。进一步的,所述丙烯酸类胶黏剂为紫外光固化胶黏剂。进一步的,所述扩散层中的有机扩散粒子的粒径为10-30μm,所述无机扩散粒子的粒径为0.01-5μm。进一步的,所述扩散层中的有机扩散粒子为PMMA。所述PMMA粒子的粒径大小为10-30μm。进一步的,所述无机扩散粒子为SiO2。所述的SiO2粒子的粒径大小为0.01-5μm。进一步的,所述量子点基材层包括100重量份的胶黏剂,3-5重量份的红色量子点,7-9重量份的绿色量子点,4重量份的气相二氧化硅粒子,7-9重量份的二氧化钛粒子和15-20重量份的大粒径二氧化硅粒子;所述扩散层包括100重量份的丙烯酸类胶黏剂,15-20重量份的无机扩散粒子和60-80重量本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点扩散膜包括量子点基材层和扩散层,所述的扩散层涂布于量子点基材层的上下表面;所述量子点基材层为单层膜结构。

【技术特征摘要】
1.一种高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点扩散膜包括量子点基材层和扩散层,所述的扩散层涂布于量子点基材层的上下表面;所述量子点基材层为单层膜结构。2.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点基材层包括胶黏剂、量子点和无机粒子。3.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点基材层包括100重量份的胶黏剂,8-14重量份的量子点,1-5重量份的气相二氧化硅粒子,5-10重量份的二氧化钛粒子和10-20重量份的大粒径二氧化硅粒子。4.根据权利要求2所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点包括红色量子点和绿色量子点。5.根据权利要求4所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述红色量子点和绿色量子点的重量比为2-5:6-9。6.根据权利要求3所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述量子点基材层中的气相二氧化硅粒子的粒径为10~20nm。7.根据权利要求1所述的高遮盖高辉度的量子点扩散膜,其特征在于,所述的扩散层包括100重量份的丙烯酸类胶黏剂,5-20重量份的无机扩散粒子和40-80重量份的有机扩散粒子。8.根据权利要求7所述的高遮盖...

【专利技术属性】
技术研发人员:李刚孙书政徐良霞李培源刘伟陈冲徐雍捷唐海江张彦
申请(专利权)人:宁波激智科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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