一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥，包括第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架、4个整流芯片、4个连接引线、封装机构；所述对应的每一整流芯片的一端分别连接在第一上框架、第二上框架、第二下框架上；所述第一上框架、第二上框架上的整流芯片的另外一端通过对应的连接引线与第一下框架连接；本实用新型专利技术具有结构简单、散热效果好、整流芯片工作稳定、整流芯片开关频率高、整流芯片反向耐压高的优点，并在整流桥技术领域具有广泛的生产及应用价值。

A Schottky porcelain rectifier bridge with high reverse voltage

The utility model discloses a Schottky China rectifier bridge with high reverse pressure and high pressure, which includes a first upper frame, a second upper frame, a first frame, a second lower frame, 4 rectifying chips, 4 connecting leads and a packaging mechanism, and the corresponding one end of each of the corresponding rectifying chips is connected to a first upper frame and a second frame. The other end of the rectifying chip on the first upper frame and the second upper frame is connected to the first frame by the corresponding connection lead. The utility model has the advantages of simple structure, good heat dissipation effect, stable operation of rectifying chip, high switching frequency of rectifying chip and high reverse voltage resistance of the rectifying chip. It has extensive production and application value in rectifying bridge technology.

【技术实现步骤摘要】
一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥
本技术涉及整流桥
，尤其涉及的是一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥。
技术介绍
目前整流桥内部晶元采用金属-N型半导体结构，这种结构的晶元，其正向压降较低，且具有开关特性，开关频率高，恢复时间极快，应用于低压高频输出场所；另外市场中的肖特基整流桥其反向耐压不高，只能达到200V，大部分情况下都需要降压后才能接入电路，应用方面有耐压的限制。
技术实现思路
针对以上所存在缺陷，本技术提供一种结构简单、散热效果好、整流芯片工作稳定、整流芯片开关频率高、整流芯片反向耐压高的反向耐压高肖特基瓷整流桥。本技术的技术方案如下：一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥，包括第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架、4个整流芯片、4个连接引线、封装机构；所述对应的每一整流芯片的一端分别连接在第一上框架、第二上框架、第二下框架上；所述第一上框架、第二上框架上的整流芯片的另外一端通过对应的连接引线与第一下框架连接；所述第二下框架上整流芯片的另外一端，均通过对应的另一连接引线分别与第一上框架、第二上框架连接；所述每一整流芯片通过第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架及每一连接引线连接构成一整流桥；所述封装机构封装第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架，且第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架均从封装机构延伸出一引脚。优选地，所述第一上框架、第二上框架上均连一整流芯片；所述第二下框架上设有两整流芯片。优选地，所述每一连接引线为无氧铜连接引线，且无氧铜连接引线为扁平结构，所述无氧铜连接引线一端设有一凸出的圆形结构。优选地，所述每一整流芯片由碳化硅半导体制成。优选地，所述封装机构由环氧塑封树脂材料制成。采用上述方案，本技术有益效果是：(1)、本技术的第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架、4个整流芯片、4个连接引线、封装机构；所述对应的每一整流芯片的一端分别连接在第一上框架、第二上框架、第二下框架上；所述第一上框架、第二上框架上的整流芯片的另外一端通过对应的连接引线与第一下框架连接；所述第二下框架上整流芯片的另外一端，均通过对应的另一连接引线分别与第一上框架、第二上框架连接；所述每一整流芯片通过第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架及每一连接引线连接构成一整流桥；所述封装机构封装第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架，且第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架均从封装机构延伸出一引脚；这样的设计结构简单、且通过每一框架结构散热效果好；(2)、本技术的第一上框架、第二上框架上均连一整流芯片；所述第二下框架上设有两整流芯片；所述每一连接引线为无氧铜连接引线，且无氧铜连接引线为扁平结构，这样的设计增加散热面积，且在电路电流增大时可有效的散出整流芯片的热量，因此可以稳定整流芯片的工作性能和提高整流芯片和寿命；所述无氧铜连接引线一端设有一凸出的圆形结构，所述每一整流芯片由碳化硅半导体制成；这样的设计整流芯片的反向耐压高；开关频率高；所述封装机构由环氧塑封树脂材料制成，这样的设计方便进一步散热；因此本技术具有结构简单、散热效果好、整流芯片工作稳定、整流芯片开关频率高、整流芯片反向耐压高的有益效果。附图说明图1为本技术的剖示结构示意图；图2为本技术的爆炸结构意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例，对本技术进行详细说明；如图1、图2所示：本实施例提供了一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥，包括第一上框架2、第二上框架4、第一下框架1、第二下框架5、4个整流芯片7、4个连接引线3、封装机构8；所述对应的每一整流芯片7的一端分别连接在第一上框架2、第二上框架4、第二下框架5上；所述第一上框架2、第二上框架4上的整流芯片7的另外一端通过对应的连接引线3与第一下框架1连接；所述第二下框架5上整流芯片7的另外一端，均通过对应的另一连接引线3分别与第一上框架2、第二上框架4连接；所述每一整流芯片7通过第一上框架2、第二上框架4、第一下框架1、第二下框架5及每一连接引线3连接构成一整流桥；所述封装机构8封装第一上框架2、第二上框架4、第一下框架1、第二下框架5，且第一上框架2、第二上框架4、第一下框架1、第二下框架5均从封装机构8延伸出一引脚6。所述第一上框架2、第二上框架4上均连一整流芯片7；所述第二下框架5上设有两整流芯片7。所述每一连接引线3为无氧铜连接引线，且无氧铜连接引线为扁平结构，所述无氧铜连接引线一端设有一凸出的圆形结构。所述每一整流芯片7由碳化硅半导体制成。所述封装机构8由环氧塑封树脂材料制成。实施例：如图1、图2所示：第一上框架2、第二上框架4上均连一整流芯片7；所述第二下框架4上设有两整流芯片7；所述每一连接引线3为无氧铜连接引线，且无氧铜连接引线为扁平结构，这样的设计增加散热面积，且在电路电流增大时可有效的散出整流芯片7的热量，因此可以稳定整流芯片7的工作性能和提高整流芯片和寿命。以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥，其特征在于，包括第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架、4个整流芯片、4个连接引线、封装机构；所述对应的每一整流芯片的一端分别连接在第一上框架、第二上框架、第二下框架上；所述第一上框架、第二上框架上的整流芯片的另外一端通过对应的连接引线与第一下框架连接；所述第二下框架上整流芯片的另外一端，均通过对应的另一连接引线分别与第一上框架、第二上框架连接；所述每一整流芯片通过第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架及每一连接引线连接构成一整流桥；所述封装机构封装第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架，且第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架均从封装机构延伸出一引脚。

【技术特征摘要】
1.一种具有反向耐压高的肖特基瓷整流桥，其特征在于，包括第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架、4个整流芯片、4个连接引线、封装机构；所述对应的每一整流芯片的一端分别连接在第一上框架、第二上框架、第二下框架上；所述第一上框架、第二上框架上的整流芯片的另外一端通过对应的连接引线与第一下框架连接；所述第二下框架上整流芯片的另外一端，均通过对应的另一连接引线分别与第一上框架、第二上框架连接；所述每一整流芯片通过第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架及每一连接引线连接构成一整流桥；所述封装机构封装第一上框架、第二上框架、第一下框架、第二下框架，且第一上框架、第二上...

【专利技术属性】
技术研发人员：董晶晶，李航，
申请(专利权)人：深圳市强元芯电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44