一种硅片镀膜前退火设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅片镀膜前退火设备，包括上端敞口的中空的箱体、悬架在所述箱体内并贯穿所述箱体前后侧壁的硅片输送管、包围所述硅片输送管的管壁外侧的加热装置、连接所述加热装置的降温装置、开于所述硅片输送管管壁内的加气结构；所述加热装置包括多组绕设于所述硅片输送管上的与所述硅片输送管形状相适应的感应线圈，包括设于所述箱体的前后侧壁上的具有与所述硅片输送管相适应的中心孔的导热板、固接于所述导热板上的并与所述导热板的中心孔形状相适应的加热管。本实用新型专利技术提供一种硅片镀膜前退火设备，能改善晶体结构，并消除硅片内部残余应力，减少镀膜工序及后续其它工序的碎片，提高转换效率，降低生产成本。

A pre annealing equipment for silicon wafer

The utility model discloses a pre annealing equipment for silicon wafer coating, including a hollow box on the upper end, a silicon chip conveying pipe in the box body and through the front and back side wall of the box, a heating device that surrounds the wall of the tube wall of the silicon chip, a cooling device connected with the heating device, and the silicon wafer. The heating device comprises a plurality of groups of induction coils adapted to the shape of the silicon chip conveying tube around the silicon chip conveying pipe, including a heat conduction plate with a central hole adapted to the silicon chip conveying tube on the front and back side of the box, and fixed on the heat conduction plate. The heating tube which is suitable for the shape of the central hole of the heat conduction plate. The utility model provides a pre annealing equipment for silicon sheet plating, which can improve the structure of the crystal, eliminate the internal residual stress in the silicon wafer, reduce the fragmentation of the coating process and the subsequent other processes, improve the conversion efficiency and reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片镀膜前退火设备
本技术涉及多晶硅电池片领域，特别涉及一种硅片镀膜前退火设备。
技术介绍
面对日益短缺的能源与不断恶化的自然环境，人们将目光投向那些绿色环保、可再生的新能源的身上，如太阳能、风能、生物能、地热能、潮汐能等等。作为可再生清洁能源的典型代表，光伏发电以其无污染、可再生、储量丰富等优点引起了世界各国的高度重视，据有关机构和组织预测，到2040年世界太阳能光伏发电量将占世界电力总供应的20%以上。根据预测太阳能在未来能源结构当中所占的比例越来越大，在本世纪末太阳能将可能会成为主要的能源供给来源，所占比例可能会超过60%。在各种太阳能电池中，硅太阳能电池因其可靠性高、寿命长、能承受各种环境变化等优点成为太阳能电池的主要品种。太阳能行业市场前景广阔、发展迅猛，但单位发电量的成本还是很高是阻碍太阳能发电民用化的一个关键的因素。作为太阳能发电的核心元件-电池片除原材料的成本高之外，转换效率较低也是一个重要原因。有研究分析指出，每提高电池片1％的转化率，就能降低5％的生产成本。因此，研究如何提升多晶硅电池片的转化率提升，对推动太阳能发电的发展起着非常重要的作用。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种硅片镀膜前退火设备，改善晶体结构，并消除硅片内部残余应力，减少镀膜工序及后续其它工序的碎片，提高转换效率，降低生产成本。本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种硅片镀膜前退火设备，包括上端敞口的中空的箱体、悬架在所述箱体内并贯穿所述箱体前后侧壁的硅片输送管、包围所述硅片输送管的管壁外侧的加热装置、连接所述加热装置的降温装置、开于所述硅片输送管管壁内的加气结构。作为优选，所述加热装置包括多组绕设于所述硅片输送管上的与所述硅片输送管形状相适应的感应线圈，铺设于所述感应线圈与所述硅片输送管之间的耐热土。作为优选，所述加热装置包括设于所述箱体的前后侧壁上的具有与所述硅片输送管相适应的中心孔的导热板、固接于所述导热板上的并与所述导热板的中心孔形状相适应的加热管。作为优选，所述降温装置包括连接各所述感应线圈和所述加热管的进水软管和出水软管，架设于所述箱体顶部的连接各所述进水软管的进水总管和连接各所述出水软管的出水总管。作为优选，所述感应线圈为空心感应线圈，所述加热管为空心加热管，所述空心感应线圈和空心加热管都具有进水口和出水口，所述进水口与所述进水软管连接，所述出水口与所述出水软管连接。作为优选，所述硅片输送管横截面成方形；所述硅片输送管的宽度与硅片宽度相适应。作为优选，所述加气结构包括多个沿所述硅片输送管前后方向的开于所述硅片输送管管壁上的出气孔，连通各所述出气孔与所述箱体外的出气总管。作为优选，所述硅片输送管内设有运输硅片的轨道。综上所述，本技术具有以下有益效果：一种硅片镀膜前退火设备，采用感应加热的加热方式，硅片加热速度快、热效率高，能耗低，且感应线圈内通过降温装置通有冷却水，使得加热温度的大小和保持时间均可控，退火效果好，并能使运输硅片的轨道免于受热损伤而过早损坏，从而消除硅片内部的残余应力，减少整体碎片的产生，提高生产效率，降低生产成本；箱体上部敞开，使箱体其他部位能较好的得到风冷，使设备整体避免受到热损伤，提高了装置的使用耐久度和长时间运行的能力；通过加气结构在硅片输送管内各位置均匀地通入一定量的氧气，增加对硅片表面的氧化，增加其钝化效果，在进一步减少载流子的复合，提高少子寿命的同时，增加对长波段的吸收利用，从而提高电池片的转换效率。附图说明图1为本技术一实施例的结构示意图；图2为硅片输送管内的结构示意图；具体实施方式下面结合附图以及优选的方案对本技术做进一步详细的说明。本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。实施例：如图1-2所示，一种硅片镀膜前退火设备，包括上端敞口的中空的箱体10、悬架在箱体10内并贯穿箱体10前后侧壁的硅片输送管11、包围硅片输送管11的管壁外侧的加热装置20、连接加热装置的降温装置30、开于硅片输送管11管壁内的加气结构40。加热装置20包括多组绕设于硅片输送管11上的与硅片输送管形状相适应的感应线圈21，铺设于感应线圈21与硅片输送管11之间的耐热土。采用感应加热，加热速度快，易于温度控制，耐热土的设置保证硅片输送管的形状稳定，防止防至热损坏。加热装置包括设于箱体10的前后侧壁上的具有与硅片输送管11相适应的中心孔的导热板22、固接于导热板22上的并与导热板22的中心孔形状相适应的加热管23。从而增加了退火设备的直线可加热长度，设备利用率高。降温装置30包括连接各感应线圈21和加热管23的进水软管31和出水软管32，架设于箱体10顶部的连接各进水软管31的进水总管33和连接各出水软管32的出水总管34。进水总管33统一分配未使用的冷却水，出水总管34统一回收使用后的冷却水。感应线圈21为空心感应线圈，加热管23为空心加热管，空心感应线圈和空心加热管都具有进水口201和出水口202，进水口201与进水软管31连接，出水口202与出水软管32连接。每个感应线圈21和加热管23内都通有独立管路的冷却水，使得硅片输送管11的各段温度都可以方便的进行单独设定和控制，在单个退火设备中就可完成逐渐加热和逐渐降温的过程，使得退火工序全程可控，保证退火效果；同时加热管23内也通有冷却水，使导热板22自身得到冷却水和风冷的双重冷却效果，使加热箱整体避免受到热损伤。硅片输送管11横截面成方形，使感应线圈21和加热管23的形成与之相应的为方形，可以更好的包围成方板型的硅片，使硅片加热更均匀。硅片输送管11的宽度与硅片宽度相适应，硅片输送管11内设有运输硅片的轨道12。方便硅片的装卸和移动。加气结构40包括多个沿硅片输送管11前后方向的开于硅片输送管11管壁上的出气孔41，连通各出气孔41与箱体10外的出气总管42。从而使得硅片输送管11内能吹出均匀的覆盖硅片输送管长度方向的氧气，保证钝化效果的提高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片镀膜前退火设备，其特征在于：包括上端敞口的中空的箱体（10）、悬架在所述箱体（10）内并贯穿所述箱体（10）前后侧壁的硅片输送管（11）、包围所述硅片输送管（11）的管壁外侧的加热装置（20）、连接所述加热装置的降温装置（30）、开于所述硅片输送管（11）管壁内的加气结构（40）。

【技术特征摘要】
1.一种硅片镀膜前退火设备，其特征在于：包括上端敞口的中空的箱体（10）、悬架在所述箱体（10）内并贯穿所述箱体（10）前后侧壁的硅片输送管（11）、包围所述硅片输送管（11）的管壁外侧的加热装置（20）、连接所述加热装置的降温装置（30）、开于所述硅片输送管（11）管壁内的加气结构（40）。2.根据权利要求1所述的一种硅片镀膜前退火设备，其特征在于：所述加热装置（20）包括多组绕设于所述硅片输送管（11）上的与所述硅片输送管形状相适应的感应线圈（21），铺设于所述感应线圈（21）与所述硅片输送管（11）之间的耐热土。3.根据权利要求2所述的一种硅片镀膜前退火设备，其特征在于：所述加热装置包括设于所述箱体（10）的前后侧壁上的具有与所述硅片输送管（11）相适应的中心孔的导热板（22）、固接于所述导热板（22）上的并与所述导热板（22）的中心孔形状相适应的加热管（23）。4.根据权利要求3所述的一种硅片镀膜前退火设备，其特征在于：所述降温装置（30）包括连接各所述感应线圈（21）和所述加热管（23）的进水软管（31...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵庆国，邱小永，陆波，周海权，胡青峰，李小飞，
申请(专利权)人：浙江贝盛光伏股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33