检测设备制造技术

本发明专利技术提供一种检测设备，所述检测设备包括第一腔室、第二腔室、处理液滴定装置、抽气装置、传送装置及监测装置，所述处理液滴定装置设于所述第一腔室的顶部，所述抽气装置与所述第一腔室连接，所述监测装置设于所述第二腔室的顶部，所述传送装置用于将阵列基板依次传送至所述第一腔室、第二腔室中。本发明专利技术提出的检测设备包括第一腔室、第二腔室、处理液滴定装置、抽气装置、传送装置及监测装置，在第一腔室中通过处理液滴定装置对阵列基板的待检测区域进行化学蚀刻，在第二腔室中通过监测装置来对化学蚀刻后的待检测区域中的多晶硅的晶粒大小进行监测，从而实现在线上便可获得清晰的SEM图，降低了生产成本、提升了生产效率和良率。

Detection equipment

The present invention provides a detection device comprising a first chamber, a second chamber, a treatment liquid titration device, a pumping device, a transmission device, and a monitoring device. The processing liquid titration device is located at the top of the first chamber, the gas extraction device is connected with the first chamber, and the monitoring device is located in the unit. The top of the second chamber is described, and the transmission device is used to transfer the array substrate sequentially to the first chamber and the second chamber. The detection equipment of the present invention includes a first chamber, a second chamber, a treatment liquid titration device, a pumping device, a transmission device, and a monitoring device. In the first chamber, a chemical etching is performed on the detected area of the array substrate through a processing liquid titration device, and a monitoring device is passed in the second chamber to treat the chemical etching. The grain size of the polysilicon in the detection area is monitored, and the clear SEM diagram can be obtained on the line, which reduces the production cost, improves the production efficiency and the good rate.

【技术实现步骤摘要】
检测设备
本专利技术涉及阵列基板的检测工艺
，尤其涉及一种检测设备。
技术介绍
近年来低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)显示屏在中高端小尺寸产品已获得越来越多的应用，LTPS显示屏具有高分辨率、高开口率、高反应速度、低功耗等优点，已广泛应用于智能手机与平板电脑中。在LTPS显示屏的生产过程中，常使用准分子激光退火技术(ExcimerLaserAnneal，ELA)将非晶硅(a-Si)转化为多晶硅(Poly-Si)。在ELA制程中，Poly-Si的晶粒大小(GrainSize)是重要的监控项目。然而，业界普遍采用线下(Offline)监控方式对Poly-Si的GrainSize进行监控，即在产线中将需要监控的阵列基板破片后，进行化学蚀刻，送至扫描电镜(SEM)拍图量测GrainSize。此种方法增加了实际的生产成本，且无法对每一片阵列基板进行监控。若采用线上(Inline)监控方式对Poly-Si的GrainSize进行监控，则因无法进行化学蚀刻，导致InlineSEM拍摄图片极为模糊，会影响机台对晶粒边界的判断，从而造成GrainSiz本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测设备，其特征在于，包括第一腔室、第二腔室、处理液滴定装置、抽气装置、传送装置及监测装置，所述处理液滴定装置设于所述第一腔室的顶部，所述抽气装置与所述第一腔室连接，所述监测装置设于所述第二腔室的顶部，所述传送装置用于将阵列基板依次传送至所述第一腔室、第二腔室中。

【技术特征摘要】
1.一种检测设备，其特征在于，包括第一腔室、第二腔室、处理液滴定装置、抽气装置、传送装置及监测装置，所述处理液滴定装置设于所述第一腔室的顶部，所述抽气装置与所述第一腔室连接，所述监测装置设于所述第二腔室的顶部，所述传送装置用于将阵列基板依次传送至所述第一腔室、第二腔室中。2.根据权利要求1所述的检测设备，其特征在于，所述处理液滴定装置包括反应液滴定结构和清洗液滴定结构，所述反应液滴定结构和所述清洗液滴定结构均设于所述第一腔室的顶部。3.根据权利要求2所述的检测设备，其特征在于，所述处理液滴定装置还包括第一传动结构，所述反应液滴定结构和所述清洗液滴定结构均设于所述第一传动结构的上，所述第一传动结构固定于所述第一腔室的顶部。4.根据权利要求1所述的检测设备，其特征在于，所述监测装置包括透镜结构和电子发生结构，所述透镜结构设于所述电子发生结构上，所述电子发生结构固...

【专利技术属性】
技术研发人员：易国霞，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42