The invention discloses a flash memory array and a reference current generation method. The flash memory array includes: N storage unit sub block for storing information; reference unit block, including n reference storage unit, used to generate reference current when each memory unit is read out, and when operation, the correction control bit FT_RCELL is introduced to control that. With the operation of the reference unit sub block, the invention uses a single storage unit as a reference storage unit, and does not act on the reference unit when the memory master array is operated by multiple memory cell sub blocks, and the reference unit can track the changes of the storage unit, thus improving the speed and precision of the sensitive amplifier.
【技术实现步骤摘要】
一种闪存阵列及其参考电流产生方法
本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种闪存阵列及其参考电流产生方法。
技术介绍
目前Flash(闪存)主要有两种NORFlash(NOR闪存)和NADNFlash(NADN闪存)。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价，适于存储大容量数据。但用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此使用NANDFlash的开发板和系统除了使用NANDFlash以外，还作上了一块小的NORFlash来运行启动代码；而NORFlash则基于随即读取技术，读取速度快且支持字节写入，因此一般用来存储操作系统等重要信息，常用于MCU等小型系统内部。图1为现有技术之虚拟接地闪存阵列的结构示意图(NOR闪存)，该闪存阵列由多个子块组成，每个子块包含4个存储单元Cell0(2j)、Cell0(2j+1)、Cell1(2j)、Cell1(2j+1)(方框)和两个参考存储单元RefC0j和RefC1j(斜线方框)(j＝0,1,2,3)，其中，用字线...
【技术保护点】
1.一种闪存阵列，包括：n个存储单元子块，用于存储信息；参考单元子块，包括n个参考存储单元，用于产生各存储单元读出时的参考电流，于操作时，引入校正控制位FT_RCELL控制该参考单元子块的操作。
【技术特征摘要】
1.一种闪存阵列，包括：n个存储单元子块，用于存储信息；参考单元子块，包括n个参考存储单元，用于产生各存储单元读出时的参考电流，于操作时，引入校正控制位FT_RCELL控制该参考单元子块的操作。2.如权利要求1所述的一种闪存阵列，其特征在于：所述闪存阵列包括四个存储单元子块Cell0(2j)、Cell0(2j+1)、Cell1(2j)、Cell1(2j+1)，j＝0,1,2,3，每个参考单元子块包括四个参考存储单元RefCj，j＝0,1,2,3。3.如权利要求2所述的一种闪存阵列，其特征在于：字线WLi连接每一行的存储单元的字线区，第一控制栅线CG0i/第二控制栅线CG1i连接每一行的存储单元的第一控制栅区/第二控制栅区，i＝0,1，位线BL0(2j)/BL1(2j)和BL0(2j+1)/BL1(2j+1)连接每个子阵列的两列存储单元的源极区/漏极区，参考字线RWL连接所述参考单元子块的参考存储单元行的参考存储单元的字线区，第一参考控制栅线RCG0/第二参考控制栅线RCG1连接所述参考单元子块的参考存储单元行的参考存储单元的第一控制栅区/第二控制栅区，第一参考位线RBL0j/第二参考位线RBL1j连接所述参考单元子块的参考存储单元列的每一列的参考存储单元的源极区/漏极区。4.如权利要求3所述的一种闪存阵列，其特征在于：当校正控制位FT_RCELL＝1时，校正所述参考存储单元子块，此时所述闪存阵列的译码电路被禁止，各操作仅对所述参考存储单元子块有效。5.如权利要求4所述的一种闪存阵列，其特征在于：擦除时，参考字线RWL接擦除正高压，第一参考控制栅线RCG0和第二参考控制栅线RCG1接擦除负高压，第一参考位线RBL0和第二参考位线RBL1接地，参考存储单元产生隧穿效应，浮栅上的电子被带走，参考存储单元处于被擦除状态；编程时，参考字线RWL接电源电压Vdd，第一参考控制栅线RCG0接擦除正高压且第二参考控制栅线RCG1接编程高压，第一参考位线接编程高压且第二参考位线接编程电压Vdp，参考存储单元的第一存储位被编程，第一浮栅被注入电子，参考存储单元的第一存储位处于被编程状态，对该参考存储单元的第零存储位进行编程时，与对该参考存储单元的第一存储位进行编程时类似，但第一参考控制栅线RCG0与第二参考控制栅线RCG1所接电压低交换，第一参考位线RBL0与第二参考位线RBL1所接电压交换；测量参考存储单元参考电流时，参考字线RWL接读出高压，第一参考控制栅线RCG0接读出高压且第二参考控制栅线RCG1接地，第一参考位线接读出电压VPP且第二参考位线接地，参考存储单元的第零存...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。