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本发明公开一种闪存阵列及其参考电流产生方法，所述闪存阵列包括：n个存储单元子块，用于存储信息；参考单元子块，包括n个参考存储单元，用于产生各存储单元读出时的参考电流，于操作时，引入校正控制位FT_RCELL控制该参考单元子块的操作，本发明通...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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