一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法。本发明专利技术将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本发明专利技术提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法
本专利技术涉及一种新型的半导体微腔激光器结构及其制备方法，特别涉及一种新型的、易实现电注入激射的III-V族氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法，属于半导体光电

技术介绍
III-V族氮化物半导体被称为第三代半导体材料，具有禁带宽度大、化学稳定性好、抗辐照性强等优点；其禁带宽度涵盖从深紫外、整个可见光、到近红外范围，可用于制作发光二极管和激光器等。回音壁模式(Whispering-galleryMode)微腔激光器具有模式体积小、品质因子高、阈值低等优点。基于III-V族氮化物半导体材料的微腔激光器，可用于光纤通信、光学存储和化学生物探测等等，不仅如此，生长在Si衬底上的III-V族氮化物半导体微腔激光器还可以用于光电集成。基于此，III-V族氮化物半导体微腔激光器受到了学术界和产业界的广泛关注。常规氮化物半导体微腔激光器通常生长在蓝宝石衬底、自支撑GaN衬底或Si衬底上，为了增强微腔激光器的光学限制，通常采用空气作为上、下光学限制层，即采用“蘑菇”状结构。对于生长在蓝宝石衬底或自支撑GaN衬底上的氮化物半导体微腔激光器，需在量子阱有源区下方生长InGaN/InGaN的超晶格牺牲层结构，通过光辅助的电化学腐蚀来刻蚀微腔激光器边沿下方的InGaN/InGaN超晶格，从而形成空气下光学限制层。对于生长在Si衬底上的氮化物半导体微腔激光器，为了采用空气作为下光学限制层，需刻蚀到Si衬底，然后采用溶液湿法腐蚀暴露出来的Si，从而形成“蘑菇”状的结构。如专利CN105337168A所示，利用光刻工艺和深硅刻蚀工艺制备氮化物微腔结构，在光泵浦条件下，可获得回音壁模激光输出。此外，还可以通过在背面套刻，然后采用深硅刻蚀工艺，将微腔底部的Si衬底全部刻蚀掉，从而形成氮化物悬空薄膜微腔结构，如专利CN104009393A所示。现有微腔激光器均只能实现光泵浦激射，无法实现电注入激射；不仅如此，现有微腔激光器还存在热阻大、制作工艺复杂、稳定性差、机械支撑差等缺点，很难实际应用。首先，现有氮化物微腔激光器均无法实现电注入激射。现有的氮化物微腔激光器结构，不管是蓝宝石衬底、自支撑GaN衬底或Si衬底上，均采用“蘑菇”状结构，空气作为上、下光学限制层，以增强激光器的光场限制。然而为实现电注入激射，电流必须从微腔激光器上面注入，因此需要制作上电极。由于氮化物微腔激光器上面的p型层横向电阻远大于n型层的横向电阻，大部分注入的电流均聚集在器件的p型电极下方，因此需在微腔激光器电流注入区的正上方沉积接触电极，接触电极会代替空气成为微腔激光器的上光学限制层，产生很强的光吸收。不仅如此，接触电极还会影响激光器内部的光场分布，造成光场分布不对称，导致微腔激光器光学限制因子减小，光学损耗变大，微腔激光器无法激射。对于现有的Si衬底氮化物微腔激光器，由于采用“蘑菇”状结构，n电极必须做在Si衬底上，电流注入需通过Si衬底，然而Si衬底和GaN材料中间有非掺杂、电阻很高的AlN/AlGaN(AlN:6.2eV,GaN:3.4eV)缓冲层，因此器件的电阻非常大，更加无法实现电注入激射。其次，现有的氮化物半导体微腔激光器的热阻很大，器件工作时有源区的结温很高，严重影响了微腔激光器的器件性能和寿命。对于“蘑菇”状结构的氮化物微腔激光器，边沿的InGaN/InGaN超晶格牺牲层或Si衬底已经被去除，而微腔激光器工作时，器件边沿区域为光场的主要传播区，将产生大量的热量，这些热量无法直接向下传导到热沉中，导致器件的热阻很大。对于氮化物悬空薄膜微腔结构，如专利CN104009393A所示，由于微腔激光器底部悬空，激光器产生的大量热量无法及时传导，导致器件热阻很大，工作时结温很高，不仅影响激光器的内量子效率和阈值电流，还将严重影响器件的可靠性。再次，现有的氮化物半导体微腔激光器的机械支撑强度和稳定性均较差，很难实际应用。对于“蘑菇”状结构的氮化物微腔激光器，边沿的InGaN/InGaN超晶格牺牲层或Si衬底已经被去除，器件只通过微腔激光器底部中间的小柱子支撑，由于柱子尺寸很小，因此器件的机械支撑强度和稳定性很差。对于氮化物悬空薄膜微腔结构，由于微腔激光器底部悬空，这种器件的机械支撑强度和稳定性更差。最后，现有的氮化物半导体微腔激光器的制备工艺复杂，很难保证器件的一致性和重复性。对于“蘑菇”状结构的氮化物微腔激光器，需采用光电化学腐蚀去除InGaN/InGaN超晶格牺牲层，或湿法腐蚀去除Si衬底，由于微腔激光器的尺寸很小，且为圆形或多边形，随着腐蚀时间的增加，需要腐蚀的区域将逐渐减小，腐蚀速率将会变化，因此很难实现对片内微腔激光器支撑柱大小和尺寸的精确控制，很难保证器件的一致性和重复性。除此之外，现有的生长在蓝宝石衬底、自支撑GaN衬底或Si衬底上的氮化物半导体微腔激光器，还各自存在一些其它的缺点。对于现有的生长在蓝宝石衬底或自支撑GaN衬底上的氮化物半导体微腔激光器，为了实现“蘑菇”状结构，需在量子阱有源区下方生长InGaN/InGaN超晶格牺牲层结构。生长超晶格牺牲层结构，会导致量子阱有源区的晶体质量变差，影响器件的内量子效率，从而影响微腔激光器的器件性能和可靠性。对于现有的生长在Si衬底上的氮化物半导体微腔激光器，一般采用“蘑菇”状结构，如专利CN105337168A所示。这种“蘑菇”状结构的氮化物微腔激光器光腔内部有低质量高位错缺陷密度的AlN/AlGaN缓冲层，这些低质量高缺陷密度的缓冲层会产生很强的光吸收或非辐射复合，增加激光器的光损耗。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的主要目的在于提供一种新型的、易实现电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法，以克服现有技术的不足。本专利技术将采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON等材料中的任意一种或两种以上的组合作为微腔激光器的光学限制层，可以在保证强光学限制的前提下，大幅降低激光器的热阻，提升器件性能。本专利技术提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有易实现电注入、热阻小和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。为实现上述专利技术目的，本专利技术包含三个技术方案，其中技术方案一为：在衬底上生长氮化物半导体微腔激光器结构，具体包括n型接触层、下光学限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和p型接触层，如图1所示。清洗外延片，在p型接触层上整面沉积p型欧姆接触电极，并进行欧姆接触退火，以形成较好的欧姆接触，如图2所示。在p型欧姆接触电极上旋涂光刻胶，进行光刻，随后采用干法刻蚀技术刻蚀到n型接触层，形成微腔激光器的侧壁，如图3所示。随后采用湿法腐蚀，去除微腔激光器侧壁的刻蚀损伤，同时得到光滑陡直的微腔激光器侧壁。通过光刻和金属沉积工艺，形成激光器的n型欧姆接触电极和p型加厚电极，如图4a所示，然后进行衬底减薄、研磨和抛光；或者进行衬底减薄、研磨和抛光，然后在衬底背面沉积n型欧姆接触电极，如图4b所示。形成氮化物微腔激光器管芯，如图5所示。技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：包含n型接触层、下光学限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和p型接触层。

【技术特征摘要】
1.一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：包含n型接触层、下光学限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和p型接触层。2.如权利要求1所述的一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：所述衬底材料可以是GaN、AlN、蓝宝石、SiC、Si中的任意一种或两种以上的组合。3.如权利要求1所述的一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：所述微腔激光器中上、下光学限制层包括AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON中的任意一种或两种以上的组合。4.如权利要求1所述的一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：所述微腔激光器n、p型接触层，上、下光学限制层和上、下波导层的材料包括Alx1Iny1Ga1-x1-y1N，其中，x1和y1均大于或等于0，而小于或等于1，0≤(x1+y1)≤1；和/或，所述量子阱有源层的材料包括Alx2Iny2Ga1-x2-y2N/Alx3Iny3Ga1-x3-y3N，x2、y2，x3和y3均大于或等于0，而小于或等于1，且(x2+y2)和(x3+y3)均大于或等于0，而小于或等于1。5.如权利要求1所述的一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：所述微腔激光器侧壁的刻蚀损伤可通过湿法腐蚀去除，其中湿法腐蚀为KOH、NaOH、TMAH碱性溶液或H3PO4、HF、HNO3酸性溶液中的任意一种或两种以上的组合。6.如权利要求1所述的一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：所述微腔激光器的欧姆接触金属可以是Ni、Ti、Pd、Pt、Au、Al、TiN、ITO和IGZO中的任意一种或两种以上的组合。7.如权利要求1所述的一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征在于：所述微腔激光器可以为圆盘形、圆环形、螺旋形、四边形、六边形、八边形、十二边形或者其它形状等结构中的任意一种或两种以上的组合，微腔激光器可以带波导输出或直接输出；所述微腔激光器的尺寸大于0，小于1mm。8.如权利要求1-7任一项所述的一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙钱，冯美鑫，高宏伟，周宇，杨辉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江西,36