【技术实现步骤摘要】
结电容参数测试电路及其测试方法
本专利技术涉及半导体测试
，尤其是涉及一种用于解决结电容参数测试过程中的高压串扰问题的结电容参数测试电路及其测试方法。
技术介绍
Ciss测试：输入电容测试，Coss测试：输出电容测试，Crss测试：反向电容测试；主要用于半导体中的MOSFET的输出电容以及反向电容测试，测试时需要在MOSFET的漏极与源极之间添加一个高压电源。功率MOSFET的高速开关测量非常敏感依赖于测试电路上的杂散元件(电容，电感和电阻的阻抗)。其结果是具有相同切换数据的设备却得到了不可解释的不同开关时间。极间电容受栅极处理工艺，如多晶硅掺杂浓度，镀金属，接触电阻等工艺影响，所有这些都影响着高速开关性能。传统参数测试难以表征这些性能，而Ciss、Coss、Crss参数的测试为统一以及筛选提供了一种非常有效的手段。目前国际上的Ciss、Coss、Crss测试设备主要包括日本的TESEC、JUNO，韩国的STATC，上述公司的Ciss、Coss、Crss测试设备均为独立的测试机，独立进行Ciss、Crss、Coss测试。受限于高压串扰问题以及无法与MOSFE...
【技术保护点】
1.一种结电容参数测试电路，其特征是，包括正弦波信号源、隔离开关电路、隔绝串扰开关电路、隔绝高压电容电路、漏极高压电源VDS、栅极源极短路可控制开关S9、电流取样电路A、交流电压取样电路V1和直流电压取样电路V2；正弦波信号源与隔离开关电路电连接，隔离开关电路与隔绝高压电容电路电连接，隔绝高压电容电路与栅极源极短路可控制开关S9电连接，电流取样电路A分别与正弦波信号源和隔离开关电连接，交流电压取样电路V1与隔离开关电连接，直流电压取样电路V2和漏极高压电源VDS均与栅极源极短路可控制开关S9电连接，隔绝串扰开关电路分别与隔离开关电路和隔绝高压电容电路电连接。
【技术特征摘要】
1.一种结电容参数测试电路，其特征是，包括正弦波信号源、隔离开关电路、隔绝串扰开关电路、隔绝高压电容电路、漏极高压电源VDS、栅极源极短路可控制开关S9、电流取样电路A、交流电压取样电路V1和直流电压取样电路V2；正弦波信号源与隔离开关电路电连接，隔离开关电路与隔绝高压电容电路电连接，隔绝高压电容电路与栅极源极短路可控制开关S9电连接，电流取样电路A分别与正弦波信号源和隔离开关电连接，交流电压取样电路V1与隔离开关电连接，直流电压取样电路V2和漏极高压电源VDS均与栅极源极短路可控制开关S9电连接，隔绝串扰开关电路分别与隔离开关电路和隔绝高压电容电路电连接。2.根据权利要求1所述的结电容参数测试电路，其特征是，还包括输出电阻R1，隔离开关电路包括隔离开关S2、隔离开关S4、隔离开关S6和隔离开关S8；隔绝高压电容电路包括隔绝高压电容C1、隔绝高压电容C2、隔绝高压电容C3和隔绝高压电容C4；正弦波信号源通过输出电阻R1与隔离开关S2电连接，隔离开关S2、隔离开关S4、隔离开关S6和隔离开关S8分别与隔绝高压电容C1、隔绝高压电容C2、隔绝高压电容C3和隔绝高压电容C4电连接，栅极源极短路可控制开关S9的栅极分别与隔绝高压电容C3和隔绝高压电容C4电连接，栅极源极短路可控制开关S9的漏极分别与隔绝高压电容C1和隔绝高压电容C2电连接。3.根据权利要求2所述的结电容参数测试电路，其特征是，隔绝串扰开关电路包括隔绝串扰开关S1、隔绝串扰开关S3、隔绝串扰开关S5和隔绝串扰开关S7；隔绝串扰开关S1、隔绝串扰开关S3、隔绝串扰开关S5和隔绝串扰开关S7一端均接地，隔绝串扰开关S1另一端分别与隔绝串扰开关S2和隔绝高压电容C1电连接，隔绝串扰开关S3另一端分别与隔绝串扰开关S4和隔绝高压电容C2电连接，隔绝串扰开关S5另一端分别与隔绝串扰开关S6和隔绝高压电容C3电连接，隔绝串扰开关S7另一端分别与隔绝串扰开关S8和隔绝高压电容C4电连接。4.根据权利要求1所述的结电容参数测试电路，其特征是，还包括隔离电阻R2和隔离电阻R3；正弦波信号源与隔离电阻R2一端电连接，隔离电阻R2另一端与栅极源极短路可控制开关S9的漏极电连接；正弦波信号源与隔离电阻R3一端电连接，隔离电阻R3另一端与栅极源...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡江，耿霄雄，龚飞佳，钟锋浩，
申请(专利权)人：杭州长川科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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