用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板制造技术

公开了一种用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板。其中，所述掩膜板在其厚度方向上贯穿设有多个通孔，所述掩膜板在使用时位于阵列排布的喷嘴的顶部且所述通孔与所述喷嘴之间的间隙对应，所述掩膜板的厚度在远离蒸发源的且与所述喷嘴上用于镀电极的表面垂直的第一方向上呈逐渐变小的趋势。

【技术实现步骤摘要】
用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板
本技术涉及物理气相沉积领域，具体涉及一种用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板。
技术介绍
如图1所示，在现有技术中，一种半电极压电喷头阵列包括压电喷头10和自该压电喷头10沿着与该压电喷头10的延伸方向的垂直方向延伸的多个喷嘴12，喷嘴内形成有喷孔，从而液体可以从多个喷嘴12喷出。通常，需要在每一根喷嘴12的相背离的两个表面上分别镀上电极14。以真空蒸镀为例，蒸发源2用以提供金属材料并以投射到各个喷嘴12的表面，然而，因为蒸发源2为点源且金属粒子在真空设备中以直线的方式打向喷嘴，由于侧壁的遮挡作用，导致在各个喷嘴12的表面所镀的金属电极的长度差过大，从而影响到对压电喷头的控制。同时，镀电极之前需要在侧壁顶部表面进行涂胶光刻工艺，以去除侧壁顶部表面的电极，防止喷嘴侧壁两边电极导通，工艺繁琐，成本较高。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术提出一种用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板。技术方案如下：一种用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板，所述掩膜板在其厚度方向上贯穿设有多个通孔，所述掩膜板在使用时位于阵列排布的喷嘴的顶部且所述通孔与所述喷嘴之间的间隙对应，所述掩膜板的厚度在远离蒸发源的且与所述喷嘴上用于镀电极的表面垂直的第一方向上呈逐渐变小的趋势。优选的，所述蒸发源透过所述掩膜板上的各个通孔镀到各个喷嘴表面的电极长度一致。优选的，所述通孔的宽度与所述喷嘴之间间隙的宽度一致。优选的，所述掩膜板包括背离所述喷嘴的第一表面和面向所述喷嘴的第二表面，所述通孔贯穿所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面与所述喷嘴的顶部接触。优选的，所述第二表面与所述喷嘴的顶部通过粘合剂进行固定。优选的，所述第一表面和所述第二表面均为平面。优选的，所述通孔的开口呈矩形状。优选的，所述掩膜板采用硅材质制成。优选的，所述电极为金属电极。本技术实施例所提供的技术方案所产生的效果包括：通过所述掩膜版可以改善现有技术在压电喷头的各个喷嘴表面所镀上的电极长度差过大的问题，且省去了传统镀电极工艺中的光刻工艺，节约了成本。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本说明书实施例。此外，本说明书实施例中的任一实施例并不需要达到上述的全部效果。附图说明为了更清楚地说明本说明书实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的一种在压电喷头上镀电极的原理示意图；图2为本技术实施例提供的一种在压电喷头上镀电极的原理示意图；图3为本技术实施例提供的一种掩膜板的制造方法的流程；图4为本技术实施例提供的一种研磨前和研磨后的掩膜板的结构示意图；图5A为本技术实施例提供的一种刻蚀完成的掩膜板的结构示意图；图5B为图5A中掩膜板的俯视图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本技术，并且本技术不应该被解释为局限于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。如图2，在本技术一实施例中，预先制作一种呈斜坡状的掩膜板，定义第一方向为与喷嘴12上用于镀电极14的表面相垂直的方向，并且该第一方向是远离蒸发源2的。在该第一方向上，掩膜板的厚度呈逐渐变小的趋势。通过将这种形状的掩膜板放置在喷嘴12阵列的顶部，从而可以降低蒸发源2在各个喷嘴12表面所镀的电极长度差，甚至可以使得电极长度完全一致。其中，通常喷头阵列的喷孔数量大于128，可以采用蒸镀或溅射镀等方式来镀电极，其中，金属电极可以为Al、Ni、Cu等电极。以下将结合图3～图5B来介绍一种用于制造该掩膜板的方法，该方法包括如下步骤S1～S3，其中：S1：对硅基材3进行研磨，得到满足预设尺寸要求的掩膜板4。其中，在研磨之前可以将硅基材3放置到一个斜坡件5上，从而沿着图中的虚线研磨出所需尺寸要求的掩膜板4。S2：采用光刻工艺在所述掩膜板4的第一表面41(该第一表面41为背离所述压电喷头的一侧表面，而面向所述压电喷头的一侧表面可定义为第二表面42)上形成用于刻蚀通孔43的轮廓。可选的，所述光刻工艺可为SU-8光刻胶工艺。S3：采用刻蚀工艺将所述轮廓刻蚀出多个通孔43。可选的，该刻蚀工艺可以为深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching，DRIE)工艺。其中，所述通孔43贯穿所述第一表面41和所述第二表面42，所述第二表面42与所述喷嘴12的顶部接触。在可选的实施例中，所述第一表面41和所述第二表面42可以均为平面，当然也可以为曲面或其他形状的面。从图5B中可以看出，掩膜板在其厚度方向上贯穿设有多个通孔43，可选的，这些通孔43的开口可以呈矩形状，从而利于金属材料透过这些通孔43在喷嘴12上沉积成所需形状的电极。优选的，所述通孔43的宽度与所述喷嘴12之间间隙的宽度一致，从而便于在放置该掩膜板时将通孔43和所述间隙进行一一对准，当然，宽度不一致也可以实现。优选的，所述掩膜板采用硅材质制成，所述该掩膜板可以多次重复使用，并且便于清洗附着在该掩膜板上的电极材料。在本技术一实施例中，还提供一种对压电喷头进行镀电极的方法，其包括：S10：将预先制作好的掩膜板4安置于待镀电极的压电喷头的喷嘴12的顶部，并将所述掩膜板4上的通孔41与所述喷嘴之间的间隙对应。优选地，所述第二表面42与所述喷嘴12的顶部可以通过粘合剂进行固定或者通过微位移平台对准夹持固定，固定方式并不限制。S20：将安置好所述掩膜板4的压电喷头放入蒸镀设备内，并确保所述掩膜板4的厚度在远离蒸发源2的且与所述喷嘴12的上用于镀电极的表面相垂直的第一方向上呈逐渐变小的趋势。S30：开启所述蒸镀设备的蒸发源2，以使所述蒸发源2透过所述掩膜板4上的多个通孔41镀到各个喷嘴12表面的电极长度一致。需说明的是，在其他可行的实施例中，所述蒸发源2透过所述掩膜板4上的多个通孔41镀到各个喷嘴12表面的电极长度也可以不完全一致，可以稍有偏差，整体上，本专利技术的方案相比于现有技术，可以限制减小喷头阵列上所镀的电极之间的长度差。可见，本技术提供的以上方案中，通过所述掩膜版可以避免现有技术在压电喷头的各个喷嘴表面所镀上的电极长度不相等的弊端，且省去了传统镀电极工艺中的光刻工艺，节约了成本。本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，在实施本说明书实施例方案时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。也可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板在其厚度方向上贯穿设有多个通孔，所述掩膜板在使用时位于阵列排布的喷嘴的顶部且所述通孔与所述喷嘴之间的间隙对应，所述掩膜板的厚度在远离蒸发源的且与所述喷嘴上用于镀电极的表面垂直的第一方向上呈逐渐变小的趋势。

【技术特征摘要】
1.一种用于对压电喷头阵列进行镀电极的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板在其厚度方向上贯穿设有多个通孔，所述掩膜板在使用时位于阵列排布的喷嘴的顶部且所述通孔与所述喷嘴之间的间隙对应，所述掩膜板的厚度在远离蒸发源的且与所述喷嘴上用于镀电极的表面垂直的第一方向上呈逐渐变小的趋势。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述蒸发源透过所述掩膜板上的各个通孔镀到各个喷嘴侧壁的电极长度一致。3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述通孔的宽度与所述喷嘴之间间隙的宽度一致。4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王贝贝，胡兆斌，向永嘉，
申请(专利权)人：苏州英捷飞微机电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32