一种工业硅湿法冶金除硼的方法技术

本发明专利技术涉及一种工业硅湿法冶金除硼的方法，属于湿法提纯制备太阳能级硅技术领域，本发明专利技术以工业硅为原料，粉碎细磨后先通过金属纳米颗粒辅助刻蚀(MACE)法制得多孔硅粉，制备得到的多孔硅可使硅料内部包裹的夹杂硼充分暴露；然后将得到的多孔工业硅粉加入含有硼络合物配体的酸性混合溶液中进行浸出，加热并搅拌一定时间；经过滤、洗涤、干燥后可得到硼去除率大于90%的高纯工业硅粉；本发明专利技术所述方法操作简单、成本低、实用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种工业硅湿法冶金除硼的方法
本专利技术涉及一种工业硅湿法冶金除硼的方法，属于湿法提纯制备太阳能级硅

技术介绍
全球的石油、煤炭等化石能源日渐枯竭，环境问题和温室效应日益明显，人类发展正面临着前所未有的挑战，寻找绿色环保、资源丰富的可替代能源已成为当务之急。太阳能因其资源无限、清洁环保、安全可靠、建设快捷等优势，已成为人类解决能源短缺、环境污染和全球变暖的重要新能源。多晶硅材料是太阳电池的最主要基材，其供应量是最终产业化程度的决定性因素。应用于太阳能电池的硅材料要求为大于99.9999%的太阳能级多晶硅，因此，探索开发低成本太阳能级硅制备新工艺成为当今国内外研究者关注的热点。目前，硅提纯的方法主要可分为两类，一类是化学法，另一类是物理法。化学法以改良西门子法为主，虽然该方法具有工艺成熟、产品质量高、纯度高等优点，但却存在成本高、能耗高、污染大等弊端。物理法俗称冶金法，是以工业硅为原料，通过氧化造渣、酸洗除杂、定向凝固、电子束精炼、真空精炼等技术的手段，在不改变硅主体的性质前提下，将硅中杂质逐级的去除。相对于化学法，该法具有成本低、能耗低、环境友好等优点，因此，也是最有可能成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工业硅湿法冶金除硼的方法，其特征在于，具体步骤包括如下：（1）将工业硅粉碎细磨成50~200目粉状；（2）将步骤（1）得到的工业硅粉置于去离子水中超声清洗5~60min，在室温下用浓度为1~99wt％的酒精超声清洗5~60min，酒精与工业硅粉的液固比大于3:1，之后用去离子水冲洗至中性烘干备用；（3）将步骤（2）中得到的硅粉加入到金属盐、HF和醇类的混合溶液中沉积金属纳米粒子0.1~10min，混合溶液与硅粉的液固比为2:1~10:1，沉积完后在混合溶液中加入0.001~10mol/L H2O2刻蚀1~200min，刻蚀温度为10~80℃；然后用所配洗涤剂清洗掉多孔硅粉表面的金属纳米...

【技术特征摘要】
1.一种工业硅湿法冶金除硼的方法，其特征在于，具体步骤包括如下：（1）将工业硅粉碎细磨成50~200目粉状；（2）将步骤（1）得到的工业硅粉置于去离子水中超声清洗5~60min，在室温下用浓度为1~99wt％的酒精超声清洗5~60min，酒精与工业硅粉的液固比大于3:1，之后用去离子水冲洗至中性烘干备用；（3）将步骤（2）中得到的硅粉加入到金属盐、HF和醇类的混合溶液中沉积金属纳米粒子0.1~10min，混合溶液与硅粉的液固比为2:1~10:1，沉积完后在混合溶液中加入0.001~10mol/LH2O2刻蚀1~200min，刻蚀温度为10~80℃；然后用所配洗涤剂清洗掉多孔硅粉表面的金属纳米粒子，经过滤、分离、洗涤、烘干得到多孔工业硅粉；（4）将步骤（3）中得到的多孔工业硅粉加入到HF、HNO3和硼的络合物配体的酸性溶液进行浸出，酸性溶液与多孔硅粉之间液固比为2:1~10:1，浸出时间为1~300min，浸出温度为10~80℃，浸出过后采用去离子水清洗，直至洗液pH变为中性，过滤、洗涤、烘干，得到高纯硅粉。2.根据权利要求1所述的工业硅湿法冶金除硼的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马文会，席风硕，李绍元，陈正杰，魏奎先，伍继君，谢克强，雷云，于洁，万小涵，杨斌，戴永年，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53