聚焦冷等离子体处理3D物体的装置及方法制造方法及图纸

技术编号:18530703 阅读:45 留言:0更新日期:2018-07-25 15:23
本发明专利技术公开了一种聚焦冷等离子体处理3D物体的装置,该装置包括:射流支架为横截面为正多边形的柱体,且在其厚度方向的中心位置处设有竖直通孔;介质阻挡管设有若干个,且每个介质阻挡管的一端穿过其对应的射流支架的侧面伸入射流支架的竖直通孔中;钨电极固定于介质阻挡管的中轴线处,且数量与介质阻挡管的数量相同;支撑轴竖直设于射流阵列的一侧;移动机械臂一端与支撑轴移动连接,移动机械臂另一端与样品紧固件连接;样品紧固件下端设有绝缘夹持结构用于夹持待处理样品;气路室、线路室,其二者均匀横截面为正多边形的中空柱体,气路室设于线路室的上端,且射流支架嵌套在气路室中。

【技术实现步骤摘要】
聚焦冷等离子体处理3D物体的装置及方法
本专利技术涉及等离子体处理物体表面
,具体而言,涉及一种聚焦冷等离子体处理3D物体的装置及方法。
技术介绍
目前大气压低温等离子体已被广泛应用于材料表面改性领域,由于等离子体中含有大量的激发态原子、分子和自由基等,极易与样品表面发生物理化学反应,从而达到在不改变材料整体特性的前提下提高表面的某些性质的目的。大气压等离子体射流是目前应用广泛的产生等离子体的方法之一,通过工作气体将等离子体由放电区域引导至待处理样品表面,从而降低了高能粒子对样品表面的刻蚀、损伤,同时可对样品表面不规则的样品进行处理,因此在材料表面处理方面有着无可比拟的优势。目前国内外使用大气压冷等离子体对材料表面进行处理的方法主要为平板型DBD和管状射流,其中平板型DBD由于受制于其放电结构只能处理薄片型样品,因此只能用于实验探究中而难以应用于实际工程中;射流一般都是由管状放电结构产生,受制于放电机理其管壁的内径一般为几毫米,因而产生的等离子体作用区域较小,无法对较大面积的样品表面进行快速、均匀处理。为达到对样品表面进行大面积处理的目的,相关研究人员考虑使用等离子体射流阵列处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚焦冷等离子体处理3D物体的装置,其特征在于,包括:射流阵列(1),其包括射流支架(2)、钨电极(9)和介质阻挡管(10),所述射流支架(2)是横截面为正多边形的柱体,且在其厚度方向的中心位置处设有竖直通孔;所述介质阻挡管(10)设有若干个,且每个所述介质阻挡管(10)的一端穿过其对应的射流支架(2)的侧面伸入所述射流支架(2)的竖直通孔中;所述钨电极(9)固定于介质阻挡管(10)的中轴线处,所述钨电极(9)的数量与所述介质阻挡管(10)的数量相同;载物运动机构,其包括样品紧固件(3)、移动机械臂(4)和支撑轴(5),所述支撑轴(5)竖直设于所述射流阵列(1)的一侧;所述移动机械臂(4...

【技术特征摘要】
1.一种聚焦冷等离子体处理3D物体的装置,其特征在于,包括:射流阵列(1),其包括射流支架(2)、钨电极(9)和介质阻挡管(10),所述射流支架(2)是横截面为正多边形的柱体,且在其厚度方向的中心位置处设有竖直通孔;所述介质阻挡管(10)设有若干个,且每个所述介质阻挡管(10)的一端穿过其对应的射流支架(2)的侧面伸入所述射流支架(2)的竖直通孔中;所述钨电极(9)固定于介质阻挡管(10)的中轴线处,所述钨电极(9)的数量与所述介质阻挡管(10)的数量相同;载物运动机构,其包括样品紧固件(3)、移动机械臂(4)和支撑轴(5),所述支撑轴(5)竖直设于所述射流阵列(1)的一侧;所述移动机械臂(4)一端与所述支撑轴(5)移动连接,所述移动机械臂(4)另一端与所述样品紧固件(3)连接;所述样品紧固件(3)下端设有绝缘夹持结构用于夹持待处理样品(8);气路室(6)、线路室(7),其二者均是横截面为正多边形的中空柱体,所述气路室(6)设于所述线路室(7)的上端,且所述射流支架(2)嵌套在所述气路室(6)的上中。2.根据权利要求1所述的聚焦冷等离子体处理3D物体的装置,其特征在于,若干个所述介质阻挡管(10)处于同一横截面上。3.根据权利要求1所述的聚焦冷等离子体处理3D物体的装置,其特征在于,所述支撑轴(5)的竖直方向设有滑道,所述移动机械臂(4)沿所述滑道在竖直方向上下移动。4.根据权利要求1所述的聚焦冷等离子体处理3D物体的装置,其特征在于,所述支撑轴(5)内部设有电机、螺旋转轴和传动装置,所述电机与所述螺旋转轴和所述传动装置连接,所述螺旋转轴和所述传动装置、移动机...

【专利技术属性】
技术研发人员:邵涛王瑞雪徐晖章程严萍
申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
类型:发明
国别省市:北京,11

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