一种负电压AD采样电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种负电压AD采样电路，包括分压电路、ESD保护电路、电阻电容积分电路和AD采样芯片；所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管，所述第一电阻与第二电阻串联于采样端口与基准电压源VREF之间，所述第一二极管与第一电阻并联，负极端与VREF连接，所述第二二极管负极端与第一二极管连接，正极端接地；所述ESD保护电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述电阻电容积分电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述AD采样芯片与电阻电容积分电路连接。该电路不使用运算放大器，不用双电源供电，即可实现对负电压的AD采样。

A negative voltage AD sampling circuit

The utility model discloses a negative voltage AD sampling circuit, including a voltage divider, a ESD protection circuit, a resistance capacitance integral circuit and a AD sampling chip. The voltage divider consists of a first resistor, a second resistor, a first diode, and a second diode. The first resistor is connected with the second resistor in series with a sampling port and a reference voltage. Between the source VREF, the first diode is in parallel with the first resistor, and the negative extremes are connected to the VREF. The second diode negative extreme is connected to the first diode and is extremely grounded; one end of the ESD protection circuit is connected to the connection point of the first resistance and the second resistance, one end is grounded, and one end of the resistance capacitance integral circuit is connected to one end. The connection point of the first resistor and the second resistor is grounded at one end, and the AD sampling chip is connected with the resistance capacitance integral circuit. The circuit does not use operational amplifiers, without dual power supply, and can achieve negative voltage AD sampling.

【技术实现步骤摘要】
一种负电压AD采样电路
本技术涉及电压采样
，尤其涉及一种负电压AD采样电路。
技术介绍
在设计电路时，涉及到正负电源供电时，通常需要对负电压进行AD采样，用以监测负电压是否正常，这种需求一般对电压采样精度要求不高，速度要求也不高，但是需要电路简单，成本低，可靠稳定。如果要对负电压进行AD采样，首先需要将负电压翻转为正电压，然后进行电阻分压和测量，通常的设计中一般使用运算放大器搭建相关电路进行负电压翻转，某些情况下还需要单独产生一路正负电源为运放供电，这虽然能解决对负电压的AD采样问题，但是同时也导致功耗增加，电路更加复杂，成本太高，稳定性差，且新增加的运放也会引入一定的噪声，对电路造成不良影响，因此需要设计一种低成本的、简单可靠的负电压AD采样电路。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本技术提供了一种负电压AD采样电路，该电路结构简单，稳定性高，实用性强，造价低，且能保证电路电压采样的应用需求。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下：一种负电压AD采样电路，包括分压电路、ESD保护电路、电阻电容积分电路和AD采样芯片；所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管，所述第一电阻与第二电阻串联于检测端口与基准电压源VREF之间，所述第一二极管与第一电阻并联，负极端与VREF连接，所述第二二极管负极端与第一二极管连接，正极端接地；所述ESD保护电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述电阻电容积分电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述AD采样芯片与电阻电容积分电路连接。进一步的，所述ESD保护电路包括双向ESD保护二极管和第一电容。进一步的，所述双向ESD保护二极管一端接地，一端与连接于第一电阻与第二电阻的连接点，所述第一电容与双向ESD保护二极管并联。进一步的，所述电阻电容积分电路包括串联设置的第三电阻和第二电容。进一步的，所述第三电阻的一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，所述第二电容的一端接地。进一步的，所述AD采样芯片连接于第三电阻和第二电容的连接点。进一步的，所述第一电阻和第二电阻的连接点为电压采样点。进一步的，所述第一电阻和第二电阻为高精度电阻，精度为1％以上。进一步的，所述第一二极管和第二二极管的型号为BAT54S。进一步的，所述双向ESD保护二极管的型号为VCUT03B1-DD1。与现有技术相比，本技术的有益效果是：(1)本技术的采样电路不使用运算放大器，不用双电源供电，即可实现对负电压的AD采样；(2)本技术的电路极其简单，稳定性高，实用性强，造价低，且能保证电路电压采样应用需求。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。图1是本技术负电压AD采样电路的示例电路图。具体实施方式下面结合附图与具体实施例对本技术做进一步的说明。应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。在本技术中，术语如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“侧”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，只是为了便于叙述本技术各部件或元件结构关系而确定的关系词，并非特指本技术中任一部件或元件，不能理解为对本技术的限制。本技术中，术语如“固接”、“相连”、“连接”等应做广义理解，表示可以是固定连接，也可以是一体地连接或可拆卸连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的相关科研或技术人员，可以根据具体情况确定上述术语在本技术中的具体含义，不能理解为对本技术的限制。正如
技术介绍
所介绍的，现有技术中存在负电压AD采样电路功耗大，电路复杂，成本高，稳定性差的问题，为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种负电压AD采样电路，该电路结构简单，稳定性高，实用性强，造价低，且能保证电路电压采样的应用需求。如图1所示，一种负电压AD采样电路，包括分压电路、ESD保护电路、电阻电容积分电路和AD采样芯片；所述分压电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1和第二二极管D2，所述第一电阻R1与第二电阻R2串联于待测电压与基准电压VREF之间，所述第一二极管D1与第一电阻R1并联，负极端与VREF连接，所述第二二极管D2负极端与第一二极管D1连接，正极端接地；所述ESD保护电路一端连接于第一电阻R1和第二电阻R2的连接点，一端接地；所述电阻电容积分电路一端连接于第一电阻R1和第二电阻R2的连接点，一端接地；所述AD采样芯片与电阻电容积分电路连接。所述ESD保护电路包括双向ESD保护二极管EPD1和第一电容C1，所述双向ESD保护二极管EPD1一端接地，一端与连接于第一电阻R1与第二电阻R2的连接点，所述第一电容C1与双向ESD保护二极管EPD1并联。所述电阻电容积分电路包括串联设置的第三电阻R3和第二电容C2，所述第三电阻R3的一端连接于第一电阻R1和第二电阻R2的连接点，所述第二电容C2的一端接地。所述AD采样芯片连接于第三电阻R3和第二电容C2的连接点。所述第一电阻R1和第二电阻R2的连接点为电压采样点。所述第一电阻R1和第二电阻R2为高精度电阻，精度为1％以上。所述第一二极管D1和第二二极管D2的型号为BAT54S。所述双向ESD保护二极管EDP1的型号为VCUT03B1-DD1。所述采样端口接入电路电压待测端。本技术的负电压测量步骤如下：步骤1)确定待测电压范围，考虑到电压波动范围及冗余设计，将被测目标电压设置为：0～-24V；步骤2)确定电压采样点，第一电阻R1与第二电阻R2的连接点电压是基于AGND的电压，为AD的电压采样点，简称采样点，正常变化范围是0～VREF；如图1所示，第一电阻R1与第二电阻R2的配置使得当采样点电压为0～2.5V时，待测电压在-24.15V～0范围内变化；步骤3)配置第一电阻R1与第二电阻R2的电阻值，使得当采样点电压等于0时，待测电压小于-24V；步骤4)电压采样，第一电阻R1与第二电阻R2参数确定后，采样点电压经过一级电阻电容积分电路之后，进入AD采样芯片进行电压采样。以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。上述虽然结合附图对本技术的具体实施方式进行了描述，但并非对本技术保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本技术的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本技术的保护范围以内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负电压AD采样电路，其特征在于：包括分压电路、ESD保护电路、电阻电容积分电路和AD采样芯片；所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管，所述第一电阻与第二电阻串联于采样端口与基准电压源VREF之间，所述第一二极管与第一电阻并联，负极端与VREF连接，所述第二二极管负极端与第一二极管连接，正极端接地；所述ESD保护电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述电阻电容积分电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述AD采样芯片与电阻电容积分电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种负电压AD采样电路，其特征在于：包括分压电路、ESD保护电路、电阻电容积分电路和AD采样芯片；所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管，所述第一电阻与第二电阻串联于采样端口与基准电压源VREF之间，所述第一二极管与第一电阻并联，负极端与VREF连接，所述第二二极管负极端与第一二极管连接，正极端接地；所述ESD保护电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述电阻电容积分电路一端连接于第一电阻和第二电阻的连接点，一端接地；所述AD采样芯片与电阻电容积分电路连接。2.如权利要求1所述的一种负电压AD采样电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括双向ESD保护二极管和第一电容。3.如权利要求2所述的一种负电压AD采样电路，其特征在于，所述双向ESD保护二极管一端接地，一端与连接于第一电阻与第二电阻的连接点，所述第一电容与双向ESD保护二极管并联。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨东合，杨震威，
申请(专利权)人：山东康威通信技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37