具有第一温度测量元件的半导体构件以及用于确定流过半导体构件的电流的方法技术

描述一种半导体构件(10)，其具有衬底和至少两个温度测量元件(20，22)。所述两个温度测量元件(20，22)在所述半导体构件(10)的裸晶片(11)上布置在所述半导体构件(10)内的不同位置上。尤其是，温度测量元件(20)能够布置在所述半导体构件(10)的有源区域(14)中，并且温度测量元件(22)能够布置在所述半导体构件(10)的无源区域(16)中。所述温度测量元件(20，22)测量两个不同的温度TJ、Tsense，借助所述两个不同的温度然后能够计算流过所述半导体构件(10)的电流IDS。所述半导体构件能够是功率MOSFET(18)。此外，描述一种用于确定流过半导体构件(10)的电流IDS的方法，其中，使用在所述半导体构件(10)的不同位置上测量的两个温度。所描述的半导体构件(10)以及所描述的方法例如适合于应用在用于车辆的控制装置中。

Semiconductor component with first temperature measuring element and method for determining current flowing through semiconductor component

A semiconductor component (10) is described, which has a substrate and at least two temperature measuring elements (20, 22). The two temperature measuring elements (20, 22) are arranged on the bare wafer (11) of the semiconductor component (10) in different positions in the semiconductor component (10). In particular, the temperature measuring element (20) can be arranged in the active region (14) of the semiconductor component (10), and the temperature measuring element (22) can be arranged in a passive region (16) of the semiconductor component (10). The temperature measuring element (20, 22) measures two different temperatures TJ, Tsense, and can calculate the current IDS flowing through the semiconductor component (10) by means of the two different temperatures. The semiconductor component can be a power MOSFET (18). In addition, a method for determining current IDS flowing through a semiconductor component (10) is described, in which two temperatures measured at different positions of the semiconductor component (10) are used. The semiconductor component (10) described and the method described are suitable for use in vehicle control devices, for example.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有第一温度测量元件的半导体构件以及用于确定流过半导体构件的电流的方法
本专利技术涉及一种半导体构件、优选地一种功率MOSFET元件，以及一种用于制造半导体构件的方法和一种用于车辆的控制装置。
技术介绍
对现代的半导体开关——如功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管，英语：Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管，英语：insulated-gatebipolarTransistor)的要求除了包括非常小的导通损耗和开关损耗以及高的阻挡能力之外，包括越来越多的单片集成的功能，所述单片集成的功能使得能够可靠地探测到过负荷——如ESD-脉冲(静电放电，英语：ElectrostaticDischarge)、过热温度、击穿或者过电流。在例如用于发动机控制的功率电子系统中，用于调节系统的相电流有决定性的意义。在开关过程期间过高的电流可能导致元件击穿和必要时导致其损坏。因此，在许多情况中，例如通过分流或者磁性传感器测量电流。这是费事的并且昂贵的。如果借助分流测量相电流，则为此需要在DBC(直接键合铜)上或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体构件(10)，其具有衬底(12)和第一温度测量元件(20)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)布置在所述半导体构件(10)的大的损耗功率的位置附近，并且，第二温度测量元件(22)在空间上与所述第一温度测量元件(20)间隔开地布置在所述衬底(12)上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.26 DE 102015223470.31.一种半导体构件(10)，其具有衬底(12)和第一温度测量元件(20)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)布置在所述半导体构件(10)的大的损耗功率的位置附近，并且，第二温度测量元件(22)在空间上与所述第一温度测量元件(20)间隔开地布置在所述衬底(12)上。2.根据权利要求1所述的半导体构件(10)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)分别包括一个二极管。3.根据以上权利要求中任一项所述的半导体构件(10)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)单片式地集成到所述半导体构件(10)中。4.根据以上权利要求中任一项所述的半导体构件(10)，其特征在于，在所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)之间存在有限的热容(58)和有限的热阻(56)。5.根据以上权利要求中任一项所述的半导体构件(10)，其特征在于，所述半导体构件(10)具有至少一个有源区域(14)和至少一个无源区域(16)，其中，所述第二温度测量元件(22)布置在所述无...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·朱斯，W·冯埃姆登，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE