一种锁存器及隔离电路制造技术

一种锁存器及隔离电路，所述锁存器包括：第一负载，其第一端耦接第一端口；第二负载，其第一端耦接所述第一端口；第一驱动电路，所述第一驱动电路的控制端耦接所述第一负载的第二端，所述第一驱动电路的第一端耦接所述第二负载的第二端，所述第一驱动电路的第二端耦接第二端口；第二驱动电路，所述第二驱动电路的控制端耦接所述第二负载的第二端，所述第二驱动电路的第一端耦接所述第一负载的第二端，所述第二驱动电路的第二端耦接所述第二端口。采用本实用新型专利技术技术方案可以有效地降低锁存器的翻转幅度。

A latch and isolation circuit

A latch and isolation circuit, the latch includes the first load, the first end coupled to the first port, the second load, the first end coupled to the first port, the first drive circuit, the control end of the first drive circuit coupled to the second end of the first load, and the first end of the first drive circuit coupling. At the second end of the second load, the second end of the first drive circuit is coupled to the second port; the second drive circuit, the control end of the second drive circuit is coupled to the second end of the second load, and the first end of the second drive circuit is coupled to the second end of the first load, the second end of the second drive circuit. It is coupled to the second port. By adopting the technical proposal of the utility model, the overturn amplitude of the latch can be effectively reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种锁存器及隔离电路
本技术涉及电子电路
，特别涉及一种锁存器及隔离电路。
技术介绍
锁存器(Latch)是一种对电平敏感的存储器件，其主要功能是对输入信号的逻辑电平进行锁存，以使得其维持某种电平状态(例如逻辑“0”或逻辑“1”)并保持稳定。锁存器广泛应用于隔离电路、存储电路等诸多电路中。基于双反相器结构的锁存器一种较为常见的锁存器结构；其中，两个反相器首尾相连，每个反相器由一个P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，简称MOSFET)和一个N型MOSFET组成。具体地，如图1所示，基于双反相器结构的锁存器100可以包括有第一晶体管MP1、第二晶体管MN1、第三晶体管MP2和第四晶体管MN2；其中，所述第一晶体管MP1和第二晶体管MN1构成第一反相器(图中未标示)，所述第三晶体管MP2和第四晶体管MN2构成第二反相器(图中未标示)。在实际应用中，所述第一晶体管MP1和第三晶体管MP2的源极(以及衬底)可以连接电源Vdd(例如3.3V或1.8V)，所述第二晶体管MN1和第四晶体管MN2的源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锁存器，其特征在于，包括：第一负载，其第一端耦接第一端口；第二负载，其第一端耦接所述第一端口；第一驱动电路，所述第一驱动电路的控制端耦接所述第一负载的第二端，所述第一驱动电路的第一端耦接所述第二负载的第二端，所述第一驱动电路的第二端耦接第二端口；第二驱动电路，所述第二驱动电路的控制端耦接所述第二负载的第二端，所述第二驱动电路的第一端耦接所述第一负载的第二端，所述第二驱动电路的第二端耦接所述第二端口。

【技术特征摘要】
1.一种锁存器，其特征在于，包括：第一负载，其第一端耦接第一端口；第二负载，其第一端耦接所述第一端口；第一驱动电路，所述第一驱动电路的控制端耦接所述第一负载的第二端，所述第一驱动电路的第一端耦接所述第二负载的第二端，所述第一驱动电路的第二端耦接第二端口；第二驱动电路，所述第二驱动电路的控制端耦接所述第二负载的第二端，所述第二驱动电路的第一端耦接所述第一负载的第二端，所述第二驱动电路的第二端耦接所述第二端口。2.根据权利要求1所述的锁存器，其特征在于，所述第一负载和/或第二负载为电阻。3.根据权利要求1所述的锁存器，其特征在于，所述第一驱动电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管的控制端作为所述第一驱动电路的控制端，所述第一晶体管的第一端作为所述第一驱动电路的第一端，所述第一晶体管的第二端作为所述第一驱动电路的第二端；所述第二驱动电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的控制端作为所述第二驱动电路的控制端，所述第二晶体管的第一端作为所述第二驱动电路的第一端，所述第二晶体管的第二端作为所述第二驱动电路的第二端。4.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为N型MOSFET；所述第一端口为电源端口，所述电源端口适于接入电源电压；所述第一晶体管的栅极连接所述第一负载的第二端，所述第一晶体管的漏极连接所述第二负载的第二端，所述第一晶体管的源极连接所述第二端口；所述第二晶体管的栅极连接所述第二负载的第二端，所述第二晶体管的漏极连接所述第一负载的第二端，所述第二晶体管的源极连接所述第二端口。5.根据权利要求3所述的锁存器，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为双极性晶体管；所述第一端口为电源端...

【专利技术属性】
技术研发人员：董志伟，
申请(专利权)人：荣湃半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31