【技术实现步骤摘要】
基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器
本专利技术涉及一种光电探测器，尤其涉及一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器。
技术介绍
采用普通硅材料制作光电探测器时，由于普通硅材料对长波光子的吸收系数较小，长波光子在普通硅材料中的穿透深度较大，即使对光电探测器的耗尽区和有源区进行优化设计，光电探测器对1064nm波长的响应度都小于0.30A/W；而1064nm硅四象限光电探测器主要用于激光制导、激光定位、激光引信、激光测量等军事领域，其响应度将直接影响探测距离和探测效果。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题，本专利技术提出了一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器，其创新在于：所述1064nm增强型四象限光电探测器包括N型衬底层、P+区、硅微结构层、N+区、钝化膜、增透膜、P电极和N电极；所述P+区形成在N型衬底层上侧面的表层中，所述N+区形成在N型衬底层下侧面的表层中，所述硅微结构层形成在N+区的下侧面上；所述钝化膜设置在硅微结构层表面；所述增透膜设置在P+区表面；所述增透膜上设置有P电极孔，P电极通过P电极孔与P+区接触；所述钝化膜...
【技术保护点】
1.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器，其特征在于：所述1064nm增强型四象限光电探测器包括N型衬底层(1)、P+区(2)、硅微结构层(3)、N+区(4)、钝化膜(5)、增透膜(6)、P电极(7)和N电极(8)；所述P+区(2)形成在N型衬底层(1)上侧面的表层中，所述N+区(4)形成在N型衬底层(1)下侧面的表层中，所述硅微结构层(3)形成在N+区(4)的下侧面上；所述钝化膜(5)设置在硅微结构层(3)表面；所述增透膜(6)设置在P+区(2)表面；所述增透膜(6)上设置有P电极孔，P电极(7)通过P电极孔与P+区(2)接触；所述钝化膜(5)上设置有N电...
【技术特征摘要】
1.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器，其特征在于：所述1064nm增强型四象限光电探测器包括N型衬底层(1)、P+区(2)、硅微结构层(3)、N+区(4)、钝化膜(5)、增透膜(6)、P电极(7)和N电极(8)；所述P+区(2)形成在N型衬底层(1)上侧面的表层中，所述N+区(4)形成在N型衬底层(1)下侧面的表层中，所述硅微结构层(3)形成在N+区(4)的下侧面上；所述钝化膜(5)设置在硅微结构层(3)表面；所述增透膜(6)设置在P+区(2)表面；所述增透膜(6)上设置有P电极孔，P电极(7)通过P电极孔与P+区(2)接触；所述钝化膜(5)上设置有N电极孔，N电极(8)通过N电极孔与N+区(4)接触；所述硅微结构层(3)由N+区(4)表面在高浓度硫气氛中被飞秒激光脉冲瞬态熔融而得。2.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器的制作方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄烈云，江海波，刘钟远，伍明娟，龙雨霞，胡莉娟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50
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