The invention discloses a high gain ultraviolet to near infrared InGaAs detector chip. The structure above the indium phosphide (InP) substrate is InP contact layer, indium gallium arsenic (InGaAs) absorption layer, silicon oxide (SiO2) medium layer, source metal electrode, graphene layer, drain gold electrode, and gate metal electrode, as shown in the attached drawings. The advantages of the invention are: on the one hand, graphene exhibits good semi metal characteristics and can form Schottky photodiode with the contact with the InGaAs layer to realize light detection; on the other hand, there is no bandgap width and excellent optical transmittance of graphene, which can broaden the spectral response of the new InGaAs detector to near ultraviolet, and can increase the spectral response to the near ultraviolet. In addition, graphene has high mobility and very fast carrier transmission characteristics, which makes the detector have high quantum gain characteristics for the injection of InGaAs.
【技术实现步骤摘要】
一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片
本专利技术是关于一种新型的探测器芯片,具体是指一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片,它能够实现包括紫外光、可见光和近红外光在内的宽波段范围探测。
技术介绍
铟镓砷探测器芯片的传统结构为InP/InGaAs/InP结构,其在近红外波段内拥有良好的性能,这使得其在民用、军事和航空航天领域有着广泛的应用价值。InGaAs材料的吸收截至波长位于近红外波段,这意味着InGaAs材料的吸收谱能够覆盖波长小于近红外的可见光甚至紫外光,但是由于InP衬底和InP帽层的吸收作用,抑制了InP/InGaAs/InP探测器对可见光、紫外波段的探测,致使传统的InGaAs探测器无法探测紫外、可见波段的目标,无法识别一些广泛应用的波长较短的激光。此外,对于某些需要同时探测紫外光、可见光和短波红外的应用,需要多个分离的探测器分别进行探测,会导致探测系统复杂,系统尺寸和重量较大等缺点。因此一种基于铟镓砷材料的高性能紫外至近红外探测器是十分必要的。
技术实现思路
基于上述提到的传统InGaAs探测器存在的问题和发展需求,本专利技术创新性的提出了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片,不仅能够探测传统InGaAs探测器覆盖的近红外区域,而且能够将探测波段延伸到可见和紫外波段,实现紫外、可见和近红外区域的宽波段探测,同时该新型探测器具备极高的量子增益特性。本专利技术是在传统的InGaAs探测器基础之上进行结构和技术改进,首先利用石墨烯材料取代了InP帽层材料,增加光子吸收;其次采用栅控结构,增加光生电流的吸收;再者是采用石墨烯作为晶体管 ...
【技术保护点】
一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片,包括InP(1)衬底、InP接触层(2)、InGaAs吸收层(3)、SiO2介质层(4)和石墨烯层(6),其特征在于:所述探测器芯片的结构为:在InP衬底(1)上依次是InP接触层(2)、InGaAs吸收层(3)、SiO2介质层(4),SiO2介质层(4)中央有一方孔,在SiO2介质层(4)上为石墨烯层(6),石墨烯层填充在SiO2介质层(4)的中央方孔之中,并与下层InGaAs吸收层(3)形成异质结接触,源极金属电极(5)和漏极金属电极(7)在石墨烯层(6)上,位于所述方孔的左右或者上下两侧位置,栅极金属电极(8)位于InP接触层(2)上;所述的SiO2介质层(4)的厚度为90nm~300nm;所述的石墨烯层(6)的原子层数为1~5层;所述的源极金属电极(5)、漏极金属电极(7)为Ti、Pt和Au金属电极;所述的栅极金属电极(8)为Cr和Au金属电极。
【技术特征摘要】
1.一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片,包括InP(1)衬底、InP接触层(2)、InGaAs吸收层(3)、SiO2介质层(4)和石墨烯层(6),其特征在于:所述探测器芯片的结构为:在InP衬底(1)上依次是InP接触层(2)、InGaAs吸收层(3)、SiO2介质层(4),SiO2介质层(4)中央有一方孔,在SiO2介质层(4)上为石墨烯层(6),石墨烯层填充在SiO2介质层(4)的中央方孔...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹高奇,邵秀梅,李雪,杨波,邓双燕,程吉凤,于一臻,龚海梅,
申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所,
类型:发明
国别省市:上海,31
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