二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备制造技术

本发明专利技术公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备，属于材料应用技术领域。本发明专利技术包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明专利技术利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。

【技术实现步骤摘要】
二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备
本专利技术属于材料应用
，特别是涉及一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备。
技术介绍
2011年，B.Radisavljevic等人发现以单层二硫化钼为代表的过渡金属硫族化合物，不同于石墨烯的零带隙，这类层状材料具有非常优越的光、电、磁等物理化学性能，在电子学、光电子学领域受到了广泛的关注，被认为是发展下一代纳米光电器件的候选者。二硒化钨作为典型的双极型二维半导体，层与层之间通过范德华键作用连接；带隙可由多层的间接带隙（1.3电子伏特）变化到单层的直接带隙（1.67电子伏特）。其高载流子迁移率（空穴迁移率250平方厘米每伏每秒)，电子迁移率160平方厘米每伏每秒），超快响应时间（1皮秒），可作为电子器件、光电探测器等
的优异候选者。目前基于二硒化钨的光电探测器主要有二硒化钨光晶体管和PN结型光电探测器。虽然二硒化钨光晶体管可以实现高的光响应度，但响应时间长，且需要外加电源。虽然结型探测器可以解决响应时间长、外加电源的问题，但同质PN结型光电探测器需要复杂的掺杂工艺，异质PN结需要多种材料复合，增加器件成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器，其特征在于，该探测器利用二硒化钨纳米片与金属形成的肖特基结来有效分离光生电子空穴对，在光照下二硒化钨和金属肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。

【技术特征摘要】
1.一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器，其特征在于，该探测器利用二硒化钨纳米片与金属形成的肖特基结来有效分离光生电子空穴对，在光照下二硒化钨和金属肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。2.根据权利要求1所述的自驱动光电探测器，其特征在于，该自驱动光电探测器包括源极，隧穿层，二硒化钨层，漏极，绝缘衬底；其中，所述源极设置在所述绝缘衬底一侧的上端，所述隧穿层覆盖在所述源极和所述绝缘衬底的另一侧，所述二硒化钨层覆盖在所述隧穿层上，所述漏极设置在所述绝缘衬底的另一侧的所述二硒化钨层上端。3.根据权利要求2所述的自驱动光电探测器，其特征在于，所述隧穿层厚度为0.2-2纳米。4.根据权利要求2所述的自驱动光电探测器，其特征在于，所述二硒化钨层为通过气相沉积法或者机械剥离获得二硒化钨纳米片，所述二硒化钨纳米片厚度为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃，杜君莉，张铮，柳柏杉，张先坤，王可汗，于慧慧，高丽，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：北京,11