The invention belongs to the field of ITO glass substrate recycling technology, in particular to a method for leaching indium from ITO glass substrate by oxalic acid. This method uses oxalic acid instead of traditional inorganic acid to extract indium in ITO glass substrate. The concentration of oxalic acid is low, the risk is small, the operation is simple, the equipment is low and the corrosion reaction container is mild. The method can reasonably optimize the leaching parameters according to the actual treatment conditions. The soaking time is less than 90min, which ensures that the leaching rate of indium in ITO glass substrate is higher than 90%. In addition, there is no significant change in the lattice structure and surface morphology of the leached glass residue after the leaching, which can be used as glass material for the production of glass substrate again.
【技术实现步骤摘要】
一种草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法
本专利技术属于ITO玻璃基板资源回收
,具体涉及一种草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法。
技术介绍
氧化铟锡(ITO)是以氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)以9:1的含量比掺杂而成的透明薄膜状的电极材料,通过喷涂在玻璃基板上被广泛应用于电脑、电视和移动手机等的液晶显示屏(LCD)中,其生产需要消耗的铟占铟资源总用量的70%以上。随着技术的革新,电子显示器行业有机发光二极管显示器和量子点发光显示器正在逐步兴起,组成原件中依然需要ITO电极作为重要的导电元件。然而,铟是一种稀散金属资源,少量地区铟的地表浓度为仅50~200ppb,并且显示器电极元器件的制造暂未发现铟的替代金属,因此,从电子废弃物中回收金属铟的技术研发是资源可持续利用的关键点。废液晶显示器中铟的回收技术主要分为干法和湿法回收。相对而言,湿法回收过程具有时间短、能耗小、成本低、对回收设备要求低,不会产生有害烟尘等优点。近年来,随着液晶显示器废弃量的增加,湿法回收技术的应用研究成为热点。在已公开的技术资料中,应用盐酸、硫酸和硝酸等高危险性无机酸回收铟的技术较多,CN105420502A公开了一种从废旧液晶显示屏面板中回收铟的方法,该方法利用硫酸浸出铟,所需硫酸浓度较高0.5~2M,且浸泡时间较长8~22h。CN101690936A公开了一种废薄膜晶体管液晶显示器资源化处理方法,该方法采用由35~50%浓盐酸,3~10%浓硝酸和37~58%水组成的混合无机酸来浸出铟,其酸浓度较高,对反应容器具有很强的腐蚀性。
技术实现思路
为克服现有技术的缺点和不足,本专利 ...
【技术保护点】
1.一种草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法,其特征在于,包括以下步骤:将ITO玻璃基板机械破碎,得到玻璃粉末,将玻璃粉末与草酸溶液混合,在40~90℃下浸出反应15~90min,然后过滤出残渣,清洗,得到可再度利用的玻璃,收集含铟的浸出液;所述草酸溶液的浓度至少为0.05M。
【技术特征摘要】
1.一种草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法,其特征在于,包括以下步骤:将ITO玻璃基板机械破碎,得到玻璃粉末,将玻璃粉末与草酸溶液混合,在40~90℃下浸出反应15~90min,然后过滤出残渣,清洗,得到可再度利用的玻璃,收集含铟的浸出液;所述草酸溶液的浓度至少为0.05M。2.根据权利要求1所述草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法,其特征在于:所述草酸溶液的浓度为0.10~0.80M。3.根据权利要求2所述草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法,其特征在于:所述草酸溶液的浓度为0.20~0.50M。4.根据权利要求1所述草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法,其特征在于:所述浸出反应时间为20~60min。5.根据权利要求4所述草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法,其特征在于:所述浸出反应时间为30~45m...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱能武,崔佳莹,刘博文,吴平霄,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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