一种等离子体处理装置及其射频滤波电路制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种射频滤波电路和应用该射频滤波电路的等离子体处理装置，其中，所述射频滤波电路包括，一级滤波器和二级滤波器，所述二级滤波器包括两个或两个以上的滤波器并行连接，所述一级滤波器通过一开关可选择地和二级滤波器中的其中之一相连；所述射频滤波电路还包括一加热装置及一直流电源，所述直流电源用于对所述加热装置进行加热；所述一级滤波器和二级滤波器设置于所述加热装置及所述直流电源之间，用于过滤射频信号自所述加热装置进入所述直流电源。利用本发明专利技术的射频滤波电路可以大大降低调节难度，提高射频滤波电路的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置及其射频滤波电路
本专利技术涉及射频
，尤其涉及一种能够滤除多个射频功率信号的射频滤波电路以及包括该射频滤波电路的等离子体处理装置。
技术介绍
在射频
中，通常需要滤除多余的射频能量，为此，需要设置射频滤波器。而且，在一些加工工艺如等离子体加工工艺中，通常会采用多个射频频率的射频源来控制等离子体加工的不同特性。为了滤除多个不同射频频率的射频能量，需要设置与需要滤除的射频信号数量相等级数的滤波器，如图1所示，当需要滤除的射频信号数量为3个时，需要设置首尾串联的三级滤波器,以实现对3个射频信号的逐级滤除。由于各级滤波器之间进行调节时会互相影响，每多引入一级过滤器即会大大提高滤波器的调节设置难度，因此，本领域技术人员急需一种能够降低调节难度的滤波电路。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的第一方面提供了一种可靠的射频滤波电路。包括，一级滤波器和二级滤波器，所述二级滤波器包括两个或两个以上的滤波器并行连接，所述一级滤波器通过一开关可选择地和二级滤波器中的其中之一相连。优选的，所述射频滤波电路还包括一加热装置及一直流电源，所述直流电源用于对所述加热装置进行加热；所述一级滤波器和二级滤波器设置于所述加热装置及所述直流电源之间，用于过滤射频信号自所述加热装置进入所述直流电源。所述射频滤波电路还包括一直流电极及一直流电源，所述一级滤波器和二级滤波器设置于所述直流电极及所述直流电源之间，用于过滤射频信号自所述直流电极进入所述直流电源。优选的，所述一级滤波器和二级滤波器分别包括至少一组共模电感。优选的，所述加热装置设置在所述一级滤波器的输入端。优选的，所述直流电源设置在所述二级滤波器的输出端。优选的，所述二级滤波器并联的两个或两个以上的滤波器用于过滤不同频率的射频信号。优选的，所述一级滤波器和二级滤波器分别用于过滤不同频率的射频信号。优选的，所述一级滤波器用于过滤源射频信号，所述二级滤波器用于过滤偏置射频信号。优选的，所述一级滤波器用于过滤偏置射频信号，所述二级滤波器用于过滤源射频信号。优选的，所述第一滤波器用于过滤60MHZ的射频信号，所述二级滤波器分别用于过滤2MHZ和13.56MHZ的射频信号。进一步的，本专利技术还公开了一种等离子体处理装置，所述处理装置包括：一反应腔，一静电卡盘设置在所述反应腔内；射频功率源，用于对所述反应腔提供至少两个不同频率的射频信号；所述静电卡盘内部设置一加热装置，一直流电源用于对所述加热装置施加直流电源；所述加热装置与所述直流电源之间设置一射频滤波电路，所述射频滤波电路包括上文所述的技术特征。进一步的，一种等离子体处理装置，所述处理装置包括：一反应腔，一静电卡盘设置在所述反应腔内；射频功率源，用于对所述反应腔提供至少两个不同频率的射频信号；所述静电卡盘内部设置一直流电极，一直流电源用于对所述直流电极施加直流电源；所述直流电极与所述直流电源之间设置一射频滤波电路，所述射频滤波电路具有上文所述的技术特征。本专利技术的优点在于：本专利技术通过设置一级滤波器和二级滤波器，所述二级滤波器包括两个或两个以上的滤波器并行连接，所述一级滤波器通过一开关可选择地和二级滤波器中的其中之一相连；所述射频滤波电路还包括一加热装置及一直流电源，所述直流电源用于对所述加热装置进行加热；所述一级滤波器和二级滤波器设置于所述加热装置及所述直流电源之间，用于过滤射频信号自所述加热装置进入所述直流电源。利用本专利技术的射频滤波电路可以大大降低调节难度，提高射频滤波电路的准确性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中射频滤波电路示意图；图2是本专利技术实施例等离子体处理装置结构示意图；图3是本专利技术所述射频滤波电路示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图2示出一种等离子体处理装置的结构示意图，包括真空反应腔100，真空反应腔包括由金属材料制成的大致为圆柱形的反应腔侧壁105，反应腔侧壁105上方设置一绝缘窗口130，绝缘窗口130上方设置电感耦合线圈140，电感耦合线圈140连接一源射频功率源145。反应腔侧壁105靠近绝缘窗口130的一端设置气体喷入口150，气体喷入口150连接气体供应装置10。气体供应装置10中的反应气体经过气体喷入口150进入真空反应腔100，源射频功率源145的射频功率驱动电感耦合线圈140产生较强的高频交变磁场，使得低压的反应气体被电离产生等离子体160。在真空反应腔100的下游位置设置一基座110，基座上放置静电卡盘115用于对基片120进行支撑和固定。等离子体160中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片的表面发生多种物理和化学反应，使得基片表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。真空反应腔100的下方还设置一排气泵125，用于将反应副产物排出真空反应腔内。除了用于将反应气体解离为等离子体的源射频功率源145，为了控制等离子体对基片120的轰击能量，通常真空反应腔100内还需要施加至少一个偏置功率源，例如，本专利技术将两个偏置功率源146和147施加到基座110上。不同偏置功率源146和147的射频频率不同，可以实现在不同工艺步骤中控制入射到基片的离子能量及其能量分布不同。多个偏置射频功率源在等离子体处理基片工艺中通常是择一选择的。为了控制基片的刻蚀速率和刻蚀均匀性，静电卡盘115内通常设置一加热装置116，用于对基片的温度进行调节控制，一直流电源118设置用于对加热装置116进行加热。等离子体在对基片进行处理时，施加到反应腔内的源射频功率和偏置射偏功率作用于静电卡盘上方，为了避免源射频功率和偏置射偏功率的射频信号对直流电源118的干扰，需要在等离子体处理装置内设置射频滤波电路，以过滤反应腔内的射频信号，实现对直流电源118的保护。为了保证静电卡盘115在基片处理过程中对基片的夹持，静电卡盘内部还设置有直流电极117，一直流电源119对直流电极117提供直流电流，用于在基片与静电卡盘表面产生吸附力，与上文所述的加热装置具有类似的情况，施加到反应腔内的源射频功率和偏置射偏功率作用于静电卡盘上方，为了避免源射频功率和偏置射偏功率的射频信号对直流电源119的干扰，需要在等离子体处理装置内设置射频滤波电路，以过滤反应腔内的射频信号，实现对直流电源119的保护。图3示出本专利技术所述的一种射频滤波电路，包括，一级滤波器182，二级滤波器184和186，其中，二级滤波器184和186并行连接，一级滤波器182的输出端设置一开关185如继电器，开关185可选择地与两个二级滤波器中的其中一个滤波器电连接。二级滤波器184和186分别用于滤除不同频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频滤波电路，其特征在于，包括，一级滤波器和二级滤波器，所述二级滤波器包括两个或两个以上的滤波器并行连接，所述一级滤波器通过一开关可选择地和二级滤波器中的其中之一相连。

【技术特征摘要】
1.一种射频滤波电路，其特征在于，包括，一级滤波器和二级滤波器，所述二级滤波器包括两个或两个以上的滤波器并行连接，所述一级滤波器通过一开关可选择地和二级滤波器中的其中之一相连。2.如权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，所述射频滤波电路还包括一加热装置及一直流电源，所述直流电源用于对所述加热装置进行加热；所述一级滤波器和二级滤波器设置于所述加热装置及所述直流电源之间，用于过滤射频信号自所述加热装置进入所述直流电源。3.如权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，所述射频滤波电路还包括一直流电极及一直流电源，所述一级滤波器和二级滤波器设置于所述直流电极及所述直流电源之间，用于过滤射频信号自所述直流电极进入所述直流电源。4.如权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，所述一级滤波器和二级滤波器分别包括至少一组共模电感。5.如权利要求2所述的射频滤波电路，其特征在于，所述加热装置设置在所述一级滤波器的输入端。6.如权利要求3所述的射频滤波电路，其特征在于，所述直流电极设置在所述一级滤波器的输入端。7.如权利要求2或3所述的射频滤波电路，其特征在于，所述直流电源设置在所述二级滤波器的输出端。8.如权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，所述二级滤波器并联的两个或两个以上的滤波器用于过滤不同频率的射频信号。9.如权利要求1所述的射频滤波...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁洁，崔强，叶如彬，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31