一种超小型射频干扰滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种超小型射频干扰滤波器，包括多层独石陶瓷管状电容芯片4、引线1、封装材料和外壳2，多层独石陶瓷管状电容芯片设置在外壳中，多层独石陶瓷管状电容芯片的外电极与外壳连接，引线插入外壳内多层独石陶瓷管状电容芯片中，多层独石陶瓷管状电容芯片的内电极与引线连接在一起，在外壳、多层独石陶瓷管状电容芯片、引线之间的空间中填充有封装材料，所述多层独石陶瓷管状电容芯片外径为0.9mm‑10mm。本发明专利技术电容芯片为外径最小可为0.9mm的独石陶瓷多层独石陶瓷管状电容，使得本射频干扰滤波器外径最小可做到1.5mm，大大减小了元件体积及重量。

【技术实现步骤摘要】
一种超小型射频干扰滤波器
本专利技术属于滤波器件领域，具体涉及超小型射频干扰滤波器领域。
技术介绍
随着电子设备工作频率的迅速提高，电磁干扰的频率也越来越高，干扰频率通常会达到数百MHz，甚至GHz以上，对这样高频的电磁噪声必须使用射频干扰滤波器才能有效地滤除。这使穿心电容式滤波器作为射频干扰滤波器的应用也越来越广泛，但由于设备不断的向小型化、轻型化方向发展，这导致器件需求也越来越小，传统穿心电容式滤波器已经不能满足需求。传统的穿心电容式滤波器基本采用的是挤压成型的陶瓷电容管作为芯片，受挤压工艺限制，外径都在2.0mm以上，再加上外壳，这就使得传统穿心电容式滤波器外径不能做到3.0mm以下。
技术实现思路
本专利技术的目的在于：为了解决目前射频干扰滤波器不能满足小尺寸的需求，提供了一种电容芯片外径可减小到0.9mm，壳体外径可减小到1.5mm的超小型射频干扰滤波器。本专利技术采用的技术方案如下：一种超小型射频干扰滤波器，包括多层独石陶瓷管状电容芯片4、引线1、封装材料和外壳2，多层独石陶瓷管状电容芯片设置在外壳内，多层独石陶瓷管状电容芯片的外电极与外壳连接，引线插入外壳内多层独石陶瓷管状电容芯片中，多层独石陶瓷管状电容芯片的内电极与引线连接在一起，在外壳、多层独石陶瓷管状电容芯片、引线之间的空间中填充有封装材料，所述多层独石陶瓷管状电容芯片外径值为0.9mm-10mm。进一步，所述多层独石陶瓷管状电容芯片的外电极与外壳连接、多层独石陶瓷管状电容芯片的内电极与引线连接都是通过焊接的方式连接。进一步，所述封装材料包括外壳、外壳内部引线、多层独石陶瓷管状电容芯片之间的封装材料5和外壳一端端口处引线与外壳之间的封装材料3。进一步，所述外壳、外壳内部引线、多层独石陶瓷管状电容芯片之间的封装材料为环氧树脂。进一步，所述外壳一端端口处引线与外壳之间的封装材料为玻璃绝缘子或环氧树脂。进一步，所述外壳的外径尺寸值为15mm-1.5mm。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术中，使用独石陶瓷多层独石陶瓷管状电容作为芯片，外径可减小为0.9mm，实现了尺寸的更小化，也不受传统挤压成型的陶瓷电容管作为电容芯片的挤压工艺限制，同时使得本射频干扰滤波器外径最小可做到1.5mm，大大减小了元件体积及重量，使得器件能够满足不断小型化、轻型化的设备；2、本专利技术中，外壳一端端口处引线与外壳之间的封装材料可以选用玻璃绝缘子，它的绝缘性能好，可以固定引线，使其定位准确，且稳定性好，不会变形。附图说明图1是本专利技术主视图剖视图;图中标记：1-引线；2-外壳；3-外壳一端端口处引线与外壳之间的封装材料；4-芯片；5-外壳、外壳内部引线、多层独石陶瓷管状电容芯片之间的封装材料；图2是本专利技术右视图剖视图；图中标记：1-引线；2-外壳；3-外壳一端端口处引线与外壳之间的封装材料；4-芯片。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。一种超小型射频干扰滤波器，如图1剖视图所示，包括多层独石陶瓷管状电容芯片4，引线1，外壳2，外壳一端端口处引线与外壳之间的封装材料3和外壳、外壳内部引线、多层独石陶瓷管状电容芯片之间的封装材料5，多层独石陶瓷管状电容芯片设置在外壳中，多层独石陶瓷管状电容芯片外电极与外壳连接，引线插入外壳内多层独石陶瓷管状电容芯片中，多层独石陶瓷管状电容芯片内电极与引线连接在一起，在外壳、多层独石陶瓷管状电容芯片、引线之间的空间中填充有封装材料。所述多层独石陶瓷管状电容芯片外径范围为0.9mm-10mm，最小可为0.9mm，相应的所述外壳的外径尺寸范围为15mm-1.5mm，最小可做到1.5mm。所述多层独石陶瓷管状电容芯片的外电极与外壳连接、多层独石陶瓷管状电容芯片的内电极与引线连接都是通过焊接的方式连接。所述外壳、多层独石陶瓷管状电容内部引线、多层独石陶瓷管状电容芯片之间的封装材料为。所述多层独石陶瓷管状电容外部引线与外壳之间的封装材料为玻璃绝缘子或环氧树脂。对应本专利技术超小型射频干扰滤波器的一种制作方法：将引线与芯片内电极焊接在一起，在将焊接好芯片的引线穿入壳体，并将芯片外电极与壳体焊接在一起，将壳体与引线之间的空间，用玻璃绝缘子和封装材料固定在一起。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超小型射频干扰滤波器，其特征在于：包括多层独石陶瓷管状电容芯片(4)、引线(1)、封装材料和外壳(2)，多层独石陶瓷管状电容芯片设置在外壳内，多层独石陶瓷管状电容芯片的外电极与外壳连接，引线插入外壳内多层独石陶瓷管状电容芯片中，多层独石陶瓷管状电容芯片的内电极与引线连接，在外壳、多层独石陶瓷管状电容芯片、引线之间的空间中填充有封装材料，所述多层独石陶瓷管状电容芯片外径值为0.9mm‑10mm。

【技术特征摘要】
1.一种超小型射频干扰滤波器，其特征在于：包括多层独石陶瓷管状电容芯片(4)、引线(1)、封装材料和外壳(2)，多层独石陶瓷管状电容芯片设置在外壳内，多层独石陶瓷管状电容芯片的外电极与外壳连接，引线插入外壳内多层独石陶瓷管状电容芯片中，多层独石陶瓷管状电容芯片的内电极与引线连接，在外壳、多层独石陶瓷管状电容芯片、引线之间的空间中填充有封装材料，所述多层独石陶瓷管状电容芯片外径值为0.9mm-10mm。2.根据权利要求1所述的一种超小型射频干扰滤波器，其特征在于：所述多层独石陶瓷管状电容芯片的外电极与外壳连接、多层独石陶瓷管状电容芯片的内电极与引线连接都是通过焊接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志伟，肖维，蒋誉锟，任志松，陈黎，
申请(专利权)人：成都宇鑫洪科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51