一种同轴波导到微带过渡电路结构制造技术

技术编号:18428748 阅读:71 留言:0更新日期:2018-07-12 02:34
本发明专利技术公开了一种同轴波导到微带过渡电路结构,包括:顶层微带传输线、介质基板、底层印制图形和同轴波导空气腔体;顶层微带传输线设置在介质基板上;底层印制图形为印制在介质基板下的带有槽线短路短截线的渐变槽线图形;顶层微带传输线、介质基板和底层印制图形构成电路板;电路板嵌入在同轴波导空气腔体的中心位置。通过本发明专利技术解决了传统波导到微带线带宽窄、插损大的缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种同轴波导到微带过渡电路结构
本专利技术属于通信
,尤其涉及一种同轴波导到微带过渡电路结构。
技术介绍
微波、毫米波固态功率放大器广泛应用于通信等领域。功率合成技术是实现固态功率放大器的必要技术手段,其中,波导内空间功率合成电路具有良好的应用前景。基于渐变鳍线波导微带过渡电路作为波导内空间功率合成放大器的关键电路,实现了波导模式与微带线模式的相互转换,基于渐变鳍线波导微带过渡电路设计就是确定鳍线形状以实现波导到槽线的宽带、小反射、低插损过渡。这类似于渐变传输线的阻抗变换设计,必须在反射损耗和尺寸间权衡。目前,文献中给出基于Klopfenstein曲线的最优渐变鳍线阵设计,但是由于端点处存在阻抗阶跃,加大反射损耗,使得传输特性变差,合成效率降低。
技术实现思路
本专利技术的技术解决问题:克服现有技术的不足,提供一种同轴波导到微带过渡电路结构,解决了传统波导到微带线带宽窄、插损大的缺点。为了解决上述技术问题,本专利技术公开了一种同轴波导到微带过渡电路结构,包括:顶层微带传输线(1)、介质基板(2)、底层印制图形(3)和同轴波导空气腔体(4);顶层微带传输线(1)设置在介质基板(2)上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同轴波导到微带过渡电路结构,其特征在于,包括:顶层微带传输线(1)、介质基板(2)、底层印制图形(3)和同轴波导空气腔体(4);顶层微带传输线(1)设置在介质基板(2)上;底层印制图形(3)为印制在介质基板(2)下的带有槽线短路短截线的渐变槽线图形;顶层微带传输线(1)、介质基板(2)和底层印制图形(3)构成电路板;电路板嵌入在同轴波导空气腔体(4)的中心位置。

【技术特征摘要】
1.一种同轴波导到微带过渡电路结构,其特征在于,包括:顶层微带传输线(1)、介质基板(2)、底层印制图形(3)和同轴波导空气腔体(4);顶层微带传输线(1)设置在介质基板(2)上;底层印制图形(3)为印制在介质基板(2)下的带有槽线短路短截线的渐变槽线图形;顶层微带传输线(1)、介质基板(2)和底层印制图形(3)构成电路板;电路板嵌入在同轴波导空气腔体(4)的中心位置。2.根据权利要求1所述的同轴波导到微带过渡电路结构,其特征在于,介质基板(2)为:介电常数为2.2的Rogers5880基板。3.根据权利要求1或2所述的同轴波导到微带过渡电路结构,其特征在于,介质基板(2)的厚度为0.254mm,长度为40mm,宽度为5mm,高度为0.254mm。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘亚威王慧玲祝大龙王雁翔
申请(专利权)人:北京遥测技术研究所航天长征火箭技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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